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VB法生长低位错GaAs单晶

人工晶体学报 2007年第1期36卷 200-204页

作者：王建利孙强牛沈军兰天平李仕福周传新刘津中国电子科技集团公司第四十六研究所天津300220

用于激光二极管(LD)和发光二极管(LED)的GaAs晶片,要求其具有低的位错密度(EPD)。为了获得低位错密度的GaAs晶片,必须先得到低位错密度的体单晶。我们采用垂直布里奇曼(VB)法分别得到了2英寸和3英寸的GaAs单晶,单晶长度可达10cm,平均位... 详细信息

用于激光二极管(LD)和发光二极管(LED)的GaAs晶片,要求其具有低的位错密度(EPD)。为了获得低位错密度的GaAs晶片,必须先得到低位错密度的体单晶。我们采用垂直布里奇曼(VB)法分别得到了2英寸和3英寸的GaAs单晶,单晶长度可达10cm,平均位错密度5000cm-2。通过改变加热器结构,改善轴向和径向的温度梯度,优化了生长时的固液界面,得到的单晶长度达20cm,平均位错密度为500cm-2,最大位错密度小于5000cm-2。

关键词：位错密度垂直布里奇曼法 GaAs晶体温度梯度热场

VB-GaAs晶体生长技术中掺Si浓度的控制

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半导体技术 2006年第7期31卷 503-505页

作者：牛沈军王建利兰天平中国电子科技集团公司第四十六研究所天津300220

结合VB-GaAs晶体生长工艺,对工艺中掺Si浓度的控制进行了探讨,提出了掺杂计算的修正因子。针对不同浓度要求的材料,通过工艺控制可提供满足要求的优质材料。

关键词： GaAs晶体 VB-GaAs技术硅掺杂

一级相变时的红外特征辐射—熔融结晶和蒸气冷凝或沉淀

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物理学报 2013年第7期62卷 561-567页

作者： Tatartchenko Vitali 刘一凡吴勇周健杰孙大伟袁军朱枝勇 Smirnov Pavel Rusanov Artem 牛沈军李东振宗志远陈晓飞上海中电振华晶体技术有限公司上海201210

本文报道了一种新的物理现象—一级相变时(熔融结晶,蒸气冷凝或沉淀)的红外特征辐射.实验结果根据相应的理论模型来进行分析.此理论模型是基于一个论断,那就是粒子(原子,分子,团簇)从高能级亚稳态(气态或液态)向低能级稳态(液态或结晶态... 详细信息

本文报道了一种新的物理现象—一级相变时(熔融结晶,蒸气冷凝或沉淀)的红外特征辐射.实验结果根据相应的理论模型来进行分析.此理论模型是基于一个论断,那就是粒子(原子,分子,团簇)从高能级亚稳态(气态或液态)向低能级稳态(液态或结晶态)相变时释放出一个或多个光子.这些光子的能量取决于相变潜热和新相粒子的结合特性.对所有研究过的物质来说,这种能量集中在红外区.这就是为什么这种辐射被称作红外特征辐射.在雾和云的形成过程中,水发生了结晶、冷凝、升华,从而产生了大量红外辐射留在了大气中.因而,该研究的结果必然对大气现象有很重要的影响:它是地球冷却的因素之一;冰雹云的形成伴随着强烈的红外辐射,这种辐射可用来表征高能相转化为低能相的过程,可以作为一种气象预警.红外特征辐射似乎可以用来解释木星的呈红色现象.它可以用于大气储能,就此,继风能、水能、太阳能、地热能后,红外特征辐射成为生态学上第五种纯净的能源.

关键词：熔体结晶蒸气结晶特鲁藤规则大气蓄能

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LED用GaAs抛光片清洗技术研究

半导体技术 2009年第5期34卷 446-448,458页

作者：王云彪赵权牛沈军吕菲杨洪星中国电子科技集团公司第四十六研究所天津300220

伴随着LED照明产业的迅猛发展,高质量的GaAs抛光片需求量日益增大。研究了一种有效的直径5.08cm低阻GaAs免洗抛光片的清洗技术,采用异丙醇低温超声去蜡结合兆声湿法清洗工艺,使晶片表面达到了低表面颗粒度、极低表面金属离子浓度,并形... 详细信息

伴随着LED照明产业的迅猛发展,高质量的GaAs抛光片需求量日益增大。研究了一种有效的直径5.08cm低阻GaAs免洗抛光片的清洗技术,采用异丙醇低温超声去蜡结合兆声湿法清洗工艺,使晶片表面达到了低表面颗粒度、极低表面金属离子浓度,并形成了较薄的富As氧化层表面。表面颗粒度通过Tencor6220测试大于0.3μm的颗粒少于10个,通过TXRF测试表面金属离子个数均控制在9×1010/cm2以内;通过台阶仪测量表面粗糙度为0.8nm,通过偏振光椭圆率测量仪测得均一的2nm厚表面氧化层。

关键词：发光二极管表面颗粒度金属离子浓度表面粗糙度

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VB-GaAs单晶中掺Si浓度的控制

电子工业专用设备 2010年第11期39卷 10-13页

作者：林健兰天平牛沈军中国电子科技集团公司第四十六研究所天津300220

低阻GaAs单晶的获得,一般是通过掺入掺杂剂Si来实现的。本文分析了VB-GaAs单晶的掺Si机理及作用,并在理论掺杂公式的基础上,通过实验和理论分析,确定了掺杂剂量的经验关系式。按此公式,在VB-GaAs单晶中得到了理想的掺Si浓度。

关键词： VB-GaAs单晶掺杂剂浓度

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用于超高温晶体生长炉的钇锆固溶体陶瓷

硅酸盐通报 2020年第9期39卷 3040-3042页

作者：梁新星黄小卫梁奇星刘小钢沈远胜牛沈军郑州方铭高温陶瓷新材料有限公司郑州452370

自主研制出了可用于超高温晶体生长炉温场的高纯钇锆固溶体陶瓷制品,在真空、保护气氛、空气环境使用温度达到2650℃,反复升降温周期使用寿命达到3年,较金属温场提升6倍寿命。以使用该陶瓷制备的温场生长120 kg级晶体为例,其晶体生长周... 详细信息

自主研制出了可用于超高温晶体生长炉温场的高纯钇锆固溶体陶瓷制品,在真空、保护气氛、空气环境使用温度达到2650℃,反复升降温周期使用寿命达到3年,较金属温场提升6倍寿命。以使用该陶瓷制备的温场生长120 kg级晶体为例,其晶体生长周期较金属钨钼温场缩短约25%,节省能耗40%以上,同时还可避免金属材料高温时出现的过收缩、破裂等问题,提高了安全性和生产效率,并且实现了材料的绿色环保和循环利用。

关键词：蓝宝石泡生法钇锆固溶体陶瓷温场

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砷化镓材料

科技创新导报 2010年第32期7卷 75-77页

作者：王建利牛沈军兰天平周春峰孙强中国电子科技集团公司第四十六研究所天津300220

文章介绍了Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料——砷化镓。从砷化镓材料的基本性质、参数出发,深入浅出地讨论了其相关性质形成的机理,以及与这些性质、参数相对应的有关半导体器件方面的应用情况,同时指出了为了适应器件的需求,如何在制造过程... 详细信息

文章介绍了Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料——砷化镓。从砷化镓材料的基本性质、参数出发,深入浅出地讨论了其相关性质形成的机理,以及与这些性质、参数相对应的有关半导体器件方面的应用情况,同时指出了为了适应器件的需求,如何在制造过程中得到性能参数较为理想的晶体材料而应采取的有关工艺措施。

关键词：砷化镓半导体材料迁移率能带结构掺杂剂载流子浓度位错密度(EPD) 饱合漂移速度

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光电器件用GaAs衬底材料的技术发展

光电器件用GaAs衬底材料的技术发展

人工智能发展、干中学效应与技能溢价——基于内生技术进步模型的分析

2004年中国材料研讨会

作者：牛沈军王建利丰梅霞周传新兰天平中国电子科技集团公司46所中国电子科技集团公司46所中国电子科技集团公司46所中国电子科技集团公司46所中国电子科技集团公司46所

＜正＞一、概述GaAs材料是第二代半导体材料的代表,由于所具有的直接带隙能带结构,使其具有较高的发光效率,因此在光电器件的研制与生产中的得到了广泛应用。GaAs衬底材料在光电器件中的应用主要有两个领域:LED和LD。另外该种类GaAs材...

＜正＞一、概述GaAs材料是第二代半导体材料的代表,由于所具有的直接带隙能带结构,使其具有较高的发光效率,因此在光电器件的研制与生产中的得到了广泛应用。GaAs衬底材料在光电器件中的应用主要有两个领域:LED和LD。另外该种类GaAs材料还可用于制作APD、OEIC、光电高速开关、太阳电池等。

关键词：

来源： cnki会议评论

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cnki会议

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中国工业经济 2024年 99-117页

作者：黄浩权戴天仕沈军暨南大学经济学院

人工智能技术正引领着新一轮科技革命和产业变革。在拥抱这些发展成果的同时，社会各界一直担忧人工智能发展会提升技能溢价，即扩大低技能劳动力与高技能劳动力之间的收入差距，并进一步扩大整个社会的收入差距。本文建立了一个内生技... 详细信息

人工智能技术正引领着新一轮科技革命和产业变革。在拥抱这些发展成果的同时，社会各界一直担忧人工智能发展会提升技能溢价，即扩大低技能劳动力与高技能劳动力之间的收入差距，并进一步扩大整个社会的收入差距。本文建立了一个内生技术进步模型，通过引入劳动力的技能异质性，划分出新任务的创造和旧任务的自动化改造两种技术进步形式，并强调低技能劳动力的干中学效应，全面考察人工智能发展对技能溢价的影响。研究发现：考虑低技能劳动力的干中学效应后，新任务的创造在提升对高技能劳动力需求的同时会更大幅度地提升对低技能劳动力的需求，长期看会降低技能溢价；旧任务的自动化则会降低对低技能劳动力的需求，提升技能溢价。在此基础上，本文使用数值模拟方法，进一步量化分析了低技能劳动力的学习能力、新任务的创造效率以及高技能劳动力的供给等因素对技能溢价的影响。本文有助于理解人工智能发展对技能溢价的影响机制，为制定相关政策提供启示。

关键词：人工智能干中学效应技能溢价内生技术进步