LED用GaAs抛光片清洗技术研究

作     者：王云彪 赵权 牛沈军 吕菲 杨洪星 Wang Yunbiao;Zhao Quan;Niu Shenjun;Lü Fei;Yang Hongxing

作者机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所天津300220 

出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期：2009年第34卷第5期

页      面：446-448,458页

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 0803[工学-光学工程] 

主　　题：发光二极管 表面颗粒度 金属离子浓度 表面粗糙度 

摘      要：伴随着LED照明产业的迅猛发展,高质量的GaAs抛光片需求量日益增大。研究了一种有效的直径5.08cm低阻GaAs免洗抛光片的清洗技术,采用异丙醇低温超声去蜡结合兆声湿法清洗工艺,使晶片表面达到了低表面颗粒度、极低表面金属离子浓度,并形成了较薄的富As氧化层表面。表面颗粒度通过Tencor6220测试大于0.3μm的颗粒少于10个,通过TXRF测试表面金属离子个数均控制在9×1010/cm2以内;通过台阶仪测量表面粗糙度为0.8nm,通过偏振光椭圆率测量仪测得均一的2nm厚表面氧化层。