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MOCVD生长温度对氧化锌薄膜结构及发光性能的影响(英文)

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人工晶体学报 2010年第1期39卷 34-38,43页

作者：王振华杨安丽刘祥林魏鸿源焦春美朱勤生杨少延王占国中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室北京100083

利用甲醇做氧源,采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)工艺在硅(111)衬底上生长了一系列的氧化锌薄膜,生长温度为400～600℃。薄膜的表面形貌及晶体质量分别利用场发射扫描电镜及X射线衍射仪进行了测量。研究表明:随着生长温度的降低,在X... 详细信息

利用甲醇做氧源,采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)工艺在硅(111)衬底上生长了一系列的氧化锌薄膜,生长温度为400～600℃。薄膜的表面形貌及晶体质量分别利用场发射扫描电镜及X射线衍射仪进行了测量。研究表明:随着生长温度的降低,在X射线衍射图谱中氧化锌(101)峰取代了(002)峰成为了主峰。这可能是由于温度过低使得甲醇未完全分解,而甲醇分子抑制了氧化锌沿c轴极性过快的生长所致。室温光致发光光谱结果表明在较高生长温度下获得的样品具有良好的光学性质,发光强度随着温度的降低而降低。

关键词： ZnO 甲醇 MOCVD 生长温度

超声时间-空间关联成像技术及三维超声在胎儿先天性心脏畸形及心外畸形诊断中的应用价值

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中国全科医学 2019年第3期22卷 346-350页

作者：王媛赵旭杨娅何宜静焦春美邱兵北京大学民航临床医学院妇产科北京市100123 首都医科大学附属北京安贞医院超声科北京市100029 中国民用航空局民用航空医学中心民用航空医学研究所北京市100123

背景产前超声诊断胎儿先天性心脏畸形(CHD)的复杂程度及是否合并心外畸形对胎儿预后有重要影响,超声时间-空间关联成像(STIC)技术对胎儿心脏检查有较好诊断准确性,但关于超声新技术辅助二维超声检查中胎儿预后的研究却鲜见报道。目的探... 详细信息

背景产前超声诊断胎儿先天性心脏畸形(CHD)的复杂程度及是否合并心外畸形对胎儿预后有重要影响,超声时间-空间关联成像(STIC)技术对胎儿心脏检查有较好诊断准确性,但关于超声新技术辅助二维超声检查中胎儿预后的研究却鲜见报道。目的探讨超声STIC技术及三维超声在胎儿CHD及心外畸形诊断中的临床应用价值。方法 2015年3月——2017年11月北京大学民航临床医学院共有7707例孕妇行孕中晚期产前常规二维超声检查,共检出32例CHD胎儿,运用超声STIC及三维超声进行超声容积数据的采集及分析,并与新生儿超声心动图或病理解剖结果进行比较,分析胎儿CHD及其合并的心外畸形类型与临床预后。结果 CHD胎儿的检出率为0.4%(32/7707);心脏有1处畸形合并心外畸形胎儿的检出率为13.3%(2/15),与心脏有2处及以上畸形合并心外畸形胎儿的检出率[35.3%(6/17)]比较,差异无统计学意义(P=0.229)。32例CHD胎儿中存活14例,心脏有1处畸形胎儿的存活率为86.7%(13/15),高于心脏有2处及以上畸形胎儿的存活率[5.9%(1/17)](P<0.05)。CHD合并心外畸形胎儿的存活率为12.5%(1/8),与CHD不合并心外畸形胎儿的存活率[54.2%(13/24)]比较,差异无统计学意义(P=0.053)。产前超声STIC及三维超声结果均与病理解剖结果一致。在1例胎儿心脏多发畸形的病例中,二维超声显示似有肺静脉异位引流,超声STIC显示胎儿心脏存在完全性肺静脉异位引流。结论发生2处及以上心脏畸形胎儿与仅发生1处心脏畸形合并心外畸形胎儿的检出率间无明显差异,发生2处及以上心脏畸形的胎儿存活率更低。应用三维超声及超声STIC可更全面、立体显示胎儿CHD及其合并的心外畸形,结合常规二维超声检查,可为临床决策提供更准确的超声检查依据。

关键词：超声检查,产前心脏缺损,先天性时间-空间关联成像病理学

用纳米棒ZnO作模板生长无支撑的AlN纳米晶(英文)

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Journal of Semiconductors 2007年第10期28卷 1508-1512页

作者：胡卫国魏鸿源焦春美康亭亭张日清刘祥林中国科学院半导体研究所北京100083

用金属有机物气相外延在纳米棒ZnO模板上沉积AlN薄膜.SEM测试表明该薄膜形成了一种倾倒纳米棒的表面.而GIXRD测试进一步证实它是纤锌矿结构的AlN,晶粒尺度约为12nm,接近于ZnO纳米棒的直径(30nm).这意味着纳米棒结构的ZnO能限制AlN的横... 详细信息

用金属有机物气相外延在纳米棒ZnO模板上沉积AlN薄膜.SEM测试表明该薄膜形成了一种倾倒纳米棒的表面.而GIXRD测试进一步证实它是纤锌矿结构的AlN,晶粒尺度约为12nm,接近于ZnO纳米棒的直径(30nm).这意味着纳米棒结构的ZnO能限制AlN的横向生长.此外,高温下用H2刻蚀ZnO直接在生长中实现了外延层的剥离.最终得到了无支撑的AlN纳米晶,完整无破损的区域约为1cm×1cm.定义这个生长机制为"生长-刻蚀-合并"过程.

关键词：金属有机物气相外延纳米材料氮化物

Influence of Different Interlayers on Growth Mode and Properties of InN by MOVPE

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Chinese Physics Letters 2008年第1期25卷 238-241页

作者：张日清刘祥林康亭亭胡卫国杨少延焦春美朱勤生 Key Laboratory of Material Science Institute of Semiconductors Chinese Academy of Sciences PO Box 912 Beijing 100083

We grow InN epilayers on different interlayers by metal organic vapour phase epitaxy （MOVPE） method, and investigate the effect of interlayer on the properties and growth mode of InN films. Three InN samples were deposited on nitrided sapphire, low-temperature InN （LT-InN） and high-temperature GaN （HT-GaN）, respectively. The InN layer grown directly on nitrided sapphire owns the narrowest x-ray diffraction rocking curve （XRC） width of 300 aresee among the three samples, and demonstrates a two-dimensional （2D） step-flow-like lateral growth mode, which is much different from the three-dimensional （3D） pillar-like growth mode of LT-InN and HT-GaN buffered samples. It seems that mismatch tensile strain is helpful for the lateral epitaxy of InN film, whereas compressive strain promotes the vertical growth of InN films.

关键词： pulsars x-ray spectra relativity and gravitation redshift

Effect of Nitridation on Morphology,Structural Properties and Stress of AlN Films

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Chinese Physics Letters 2008年第12期25卷 4364-4367页

作者：胡卫国焦春美魏鸿源张攀峰康亭亭张日清刘祥林 Key Laboratory of Semiconductor Materials Science Institute of Semiconductors Chinese Academy of Sciences PO Box 912 Beijing 100083

We investigate effects of nitridation on AlN morphology, structural properties and stress. It is found that 3min nitridation can prominently improve AlN crystal structure, and slightly smooth the surface morphology. However, 10min nitridation degrades out-of-plane crystal structure and surface morphology instead. Additionally, 3-min nitridation introduces more tensile stress （1.5 GPa） in AlN films, which can be attributed to the weaker islands 2D coalescent. Nitridation for lOmin can introduce more defects, or even forms polycrystallinity interlayer, which relaxes the stress. Thus, the stress in AlN with 10 min nitridation decreases to -0.2 GPa compressive stress.

关键词： AIN Film Structural Property

A Simple Route of Morphology Control and Structural and Optical Properties of ZnO Grown by Metal-Organic Chemical Vapour Deposition

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Chinese Physics Letters 2008年第8期25卷 3063-3066页

作者：范海波杨少延张攀峰魏鸿源刘祥林焦春美朱勤生陈涌海王占国 Key Laboratory of Semiconductor Materials Science Institute of Semiconductors Chinese Academy of Sciences PO Box 912 Beijing 100083

Employing the metal-organic chemical vapour deposition （MOCVD） technique, we prepare ZnO samples with different morphologies from the film to nanorods through conveniently changing the bubbled diethylzinc flux （BDF） and the carrier gas flux of oxygen （OCGF）. The scanning electron microscope images indicate that small BDF and OCGF induce two-dimensional growth while the large ones avail quasi-one-dimensional growth. X-ray diffraction （XRD） and Raman scattering analyses show that all of the morphology-dependent ZnO samples are of high crystal quality with a c-axis orientation. From the precise shifts of the 20 locations of ZnQ （002） face in the XRD patterns and the E2 （high） locations in the Raman spectra, we deduce that the compressive stress forms in the ZnO samples and is strengthened with the increasing BDF and OCGF. Photoluminescence spectroscopy results show all the samples have a sharp ultraviolet luminescent band without any defects-related emission. Upon the experiments a possible growth mechanism is proposed.

关键词： the power-law exponents precipitation durative abrupt precipitation change

Investigation of Oxygen Vacancy and Interstitial Oxygen Defects in ZnO Films by Photoluminescence and X-Ray Photoelectron Spectroscopy

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Chinese Physics Letters 2007年第7期24卷 2108-2111页

作者：范海波杨少延张攀峰魏鸿源刘祥林焦春美朱勤生陈涌海王占国 Key Laboratory of Semiconductor Materials Science Institute of Semiconductors Chinese Academy of Science PO Box 912 Beijing 100083

在不同温度准备并且在氧在 900 度 C 退火了的 ZnO 电影被光致发光(PL ) 和 X 光相片选举光谱学(XPS ) 学习。在成长得当的电影的 PL，绿光(GL ) 和黄光(YL ) 是相关的，这被观察，并且在退火以后， GL 被制止， YL 被提高。TheO 1s XPS... 详细信息

在不同温度准备并且在氧在 900 度 C 退火了的 ZnO 电影被光致发光(PL ) 和 X 光相片选举光谱学(XPS ) 学习。在成长得当的电影的 PL，绿光(GL ) 和黄光(YL ) 是相关的，这被观察，并且在退火以后， GL 被制止， YL 被提高。TheO 1s XPS 结果也在在退火以后 V-o 退火并且熄灭前显示出氧空缺(Vo ) 和空隙的氧(O-i ) 的共存。由联合二结果， GL 和 YL 分别地与 V-o 和 O-i 缺点有关，这被推出。

关键词：氧空位间隙原子 ZnO 薄膜光致发光

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经阴道超声诊断宫内宫外复合妊娠1例

医学理论与实践 2016年第22期29卷 3156-3156页

作者：焦春美民航总医院妇产科北京市100123

复合妊娠是指在宫内妊娠同时发生异位妊娠,是一种病理性妊娠,为临床罕见疾病。其自然发生率为1∶15 000~1∶30 000。随着辅助生殖技术应用的增加,复合妊娠发生率呈逐年上升趋势,至近年来,复合妊娠发生率上升为1∶（100~500）。相关报道... 详细信息

复合妊娠是指在宫内妊娠同时发生异位妊娠,是一种病理性妊娠,为临床罕见疾病。其自然发生率为1∶15 000~1∶30 000。随着辅助生殖技术应用的增加,复合妊娠发生率呈逐年上升趋势,至近年来,复合妊娠发生率上升为1∶（100~500）。相关报道显示受精卵在子宫体腔外种植的部位不同,最多见为输卵管、卵巢、宫角、宫颈、剖宫产瘢痕部位。

关键词：经阴道超声宫内宫外复合妊娠

Effects of V/Ⅲ ratio on a-plane GaN epilayers with an InGaN interlayer

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Chinese Physics B 2014年第2期23卷 14-18页

作者：王建霞汪连山杨少延李辉杰赵桂娟张恒魏鸿源焦春美朱勤生王占国 Key Laboratory of Semiconductor Materials Science Beijing Key Laboratory of Low Dimensional Semiconductor Materials and DevicesInstitute of SemiconductorsChinese Academy of Sciences

The effects of V/Ill growth flux ratio on a-plane GaN films grown on r-plane sapphire substrates with an InGaN interlayer are investigated. The surface morphology, crystalline quality, strain states, and density of basal stacking faults were found to depend heavily upon the V/III ratio. With decreasing V/III ratio, the surface morphology and crystal quality first improved and then deteriorated, and the density of the basal-plane stacking faults also first decreased and then increased. The optimal V/III ratio growth condition for the best surface morphology and crystalline quality and the smallest basal-plane stacking fault density of a-GaN films are found. We also found that the formation of basal-plane stacking faults is an effective way to release strain.

关键词： V/III ratio a-plane GaN InGaN interlayer metalorganic chemical vapor deposition