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(Ni_(0.81)Fe_(0.19))_(1-x)Cr_x作为种子层对NiFe/FeMn交换偏置的影响
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物理学报 2002年 第12期51卷 2849-2853页
作者: 滕蛟 蔡建旺 熊小涛 赖武彦 朱逢吾 中国科学院物理研究所磁学国家重点实验室 北京科技大学材料物理与化学系 北京100083 北京科技大学材料物理与化学系
采用一种新的种子层材料 :(Ni0 81 Fe0 1 9) 1 -xCrx,通过改变种子层中Cr原子的含量 ,使得在其上生长的NiFe FeMn双层膜的织构和晶粒尺寸产生极大的差异 ,系统研究了NiFe FeMn双层膜中FeMn晶粒尺寸和织构对交换偏置的影响 .实验结果表... 详细信息
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NiFeNb种子层对坡莫合金磁滞回线的影响
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物理学报 2005年 第11期54卷 5389-5394页
作者: 张翠玲 郑瑞伦 滕蛟 重庆工商大学理学院 重庆400067 西南师范大学物理学院 重庆400715 北京科技大学材料科学与工程学院 北京100083
以NiFeNb为种子层,制备(Ni79Fe21)1-xNbx(5nm)/(Ni79Fe21)(20nm)/Ta(3nm)系列膜,并对其颗粒大小、磁滞回线及表面粗糙度等进行测量,探讨种子层中Nb含量x对坡莫合金磁滞回线的影响.结果表明,以NiFeNb作种子层能更好地改善坡莫合金的微结... 详细信息
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基于SUPANET的统一流适配技术研究
基于SUPANET的统一流适配技术研究
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作者: 滕蛟 西南交通大学
学位级别:硕士
随着科学技术日新月异的发展,人们对网络的要求越来越高。有线电视网,电信电话网以及传统计算机网络开始相互融合,相互渗透,三网合一已经成为不可阻挡的大趋势。鉴于Internet难以为不同业务提供有力的服务质量保证的现状,四川省网络通... 详细信息
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NiFe/FeMn双层膜交换偏置的形成及热稳定性研究
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物理学报 2004年 第1期53卷 272-275页
作者: 滕蛟 蔡建旺 熊小涛 赖武彦 朱逢吾 北京科技大学材料物理与化学系 北京100083 中国科学院物理研究所磁学国家重点实验室 北京100080
研究了在铁磁 (NiFe) 反铁磁 (FeMn)双层膜之间 ,交换偏置的形成过程和热稳定性 ,特别是NiFe FeMn的交换偏置作用与FeMn层晶粒尺寸的关系 .和以前作者不同的是 ,本文方法采用非磁性Ni Fe Cr合金作缓冲层材料 ,改变Cr的含量就可以获得... 详细信息
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Ta种子层对Ni_(65)Co_(35)薄膜微结构和磁性的影响
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金属学报 2006年 第9期42卷 979-982页
作者: 王立锦 张辉 滕蛟 朱逢吾 北京科技大学材料科学与工程学院材料物理与化学系 北京100083
用直流磁控溅射方法制备了Ta(x nm)/Ni_(65)Co_(35)(40 nm)双层薄膜(x=0,1,2,3,4,5 nm),研究了Ta种子层不同制备工艺条件对Ni_(65)Co_(35)(40 nm)薄膜的各向异性磁电阻(AMR)和矫顽力的影响;通过X射线衍射(XRD)对Ni_(65)Co_(35)薄膜的... 详细信息
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侦查阶段律师辩护权问题研究
侦查阶段律师辩护权问题研究
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作者: 滕蛟 吉林财经大学
学位级别:硕士
本文首先明确了对于侦查阶段律师辩护权进行重新探讨的背景和意义。我国当前正在进行的以审判为中心的诉讼制度改革,想要达到的目标是改变以前的侦查为中心,重新确立以审判为中心的诉讼构造。在这一过程中庭审实质化是牵动这一改革进程... 详细信息
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退火对FeMn钉扎自旋阀性质的影响
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物理学报 2002年 第8期51卷 1846-1850页
作者: 柴春林 滕蛟 于广华 朱逢吾 赖武彦 肖纪美 中国科学院半导体研究所半导体科学实验室 北京100083 北京科技大学材料物理系 北京100083 中国科学院物理研究所 北京100080
通过对退火后FeMn钉扎自旋阀磁性的研究表明 ,真空退火对自旋阀的性质有影响 .低于 2 0 0℃的退火能有效的提高钉扎场 ;退火温度高于 2 0 0℃时 ,自旋阀的钉扎场要下降 ,其他性能也恶化 ;在 30 0℃时 ,钉扎场降为零 ,giantmagnetoresist... 详细信息
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沥青路面罩面工程设计与施工技术在顺德区德胜中路改造工程中的应用
沥青路面罩面工程设计与施工技术在顺德区德胜中路改造工程中的应...
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作者: 滕蛟 华南理工大学
学位级别:硕士
进入21世纪,随着我国城市化建设的速度愈发迅猛,道路工程建设也进入了一个新的阶段。沥青混凝土路面由于其在使用性能、环保效应等方面的显著优势,大量应用于城市道路建设当中。在道路快速建设的同时,现有的城市道路路面有很多由于使用... 详细信息
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NiFe薄膜AMR元件中非均匀退磁场和宽度的相关性
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金属学报 2007年 第6期43卷 599-602页
作者: 张辉 滕蛟 于广华 吴杏芳 朱逢吾 北京科技大学材料物理系 北京100083
采用磁控溅射方法制备了NiFe各向异性磁电阻(AMR)薄膜,经过光学曝光及离子刻蚀将NiFe薄膜制成了厚度t=20 nm、长度l=2.5 mm、宽度w分别为50,20,10,5和μm的AMR元件.测量了AMR元件的磁电阻效应.考虑沿宽度方向退磁场的非均匀性,计算... 详细信息
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高分辨磁旋转编码器磁鼓表露磁场分析与AMR检测磁头设计
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北京科技大学学报 2004年 第5期26卷 498-501,532页
作者: 王立锦 胡强 滕蛟 朱逢吾 北京科技大学材料科学与工程学院 北京100083 中国科学院物理研究所磁学国家重点实验室 北京100080
应用静磁场理论分析了高分辨磁旋转编码器磁鼓的表露磁场,通过数值计算得到磁鼓表露场分布的直观曲线.设计制作出性能优良的磁旋转编码器AMR检测磁头,理论分析结果与对磁鼓表露磁场的实际测试结果进行了分析对比.结果表明,AMR检测磁头... 详细信息
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