NiFe薄膜AMR元件中非均匀退磁场和宽度的相关性

作     者：张辉 滕蛟 于广华 吴杏芳 朱逢吾 ZHANG Hui;TENG Jiao;YU Guanghua;WU Xingfang;ZHU Fengwu

作者机构：北京科技大学材料物理系北京100083 

出 版 物：《金属学报》 (Acta Metallurgica Sinica)

年 卷 期：2007年第43卷第6期

页      面：599-602页

核心收录：

学科分类：08[工学] 080401[工学-精密仪器及机械] 0804[工学-仪器科学与技术] 080402[工学-测试计量技术及仪器] 

基　　金：国家自然科学基金项目50471093 国防基础科研项目A1420060203资助~~ 

主　　题：NiFe膜 各向异性磁电阻(AMR) AMR元件 非均匀退磁场 磁化反转 

摘      要：采用磁控溅射方法制备了NiFe各向异性磁电阻(AMR)薄膜,经过光学曝光及离子刻蚀将NiFe薄膜制成了厚度t=20 nm、长度l=2．5 mm、宽度w分别为50,20,10,5和μm的AMR元件．测量了AMR元件的磁电阻效应．考虑沿宽度方向退磁场的非均匀性,计算了磁电阻比率．结果表明,宽度决定了AMR元件中的退磁场分布和边缘退磁场的大小,直接影响着AMR元件的磁化反转过程．宽度越小,元件中的边缘退磁场越大,在外磁场下的磁化反转也越困难．在磁化反转过程中,磁化反转先从中心开始,逐渐扩展到边缘．