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改善放大器噪声性能的SiGe HBT几何参数优化设计

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北京工业大学学报 2012年第8期38卷 1158-1161页

作者：沈珮张万荣金冬月谢红云黄璐北京工业大学电子信息与工程控制学院北京100124

研究有源器件SiGe HBT的几何参数对单片低噪声放大器(LNA)噪声性能的影响.基于0.35μm SiGeBiCMOS工艺,研制了4款采用不同几何参数的SiGe HBT LNA.实验结果显示,在给定的偏置条件下,当发射极宽长比较小时,小范围改变发射极宽度对噪声系... 详细信息

研究有源器件SiGe HBT的几何参数对单片低噪声放大器(LNA)噪声性能的影响.基于0.35μm SiGeBiCMOS工艺,研制了4款采用不同几何参数的SiGe HBT LNA.实验结果显示,在给定的偏置条件下,当发射极宽长比较小时,小范围改变发射极宽度对噪声系数(NF)改善微弱,但适当增长发射极条长和增加发射极条数明显降低了NF,且不牺牲增益.另外,与采用其他几何尺寸的SiGe HBT LNAs相比,选用器件发射极面积为AE=4μm×40μm×4的LNA性能最优,在0.2～1.2 GHz内获得低至2.7 dB的噪声系数,高达26.7 dB的相关增益和最接近于50Ω的最佳噪声源阻抗.由于没有使用占片面积大的电感,放大器芯片面积仅为0.2 mm2.

关键词：硅锗异质结双极型晶体管低噪声放大器噪声系数

新型3.1～6GHz高增益超宽带低噪声放大器

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北京工业大学学报 2010年第9期36卷 1181-1185页

作者：沈珮张万荣金冬月谢红云尤云霞孙博韬肖盈北京工业大学电子信息与控制工程学院北京100124

在传统的窄带达林顿结构放大器基础上,提出一种新型高增益超宽带达林顿结构低噪声放大器.该放大器采用高频低噪声晶体管,采用电感补偿技术和正实电阻补偿技术,保持了达林顿放大器高增益的优点,而且也取得了低噪声、良好输入输出匹配和... 详细信息

在传统的窄带达林顿结构放大器基础上,提出一种新型高增益超宽带达林顿结构低噪声放大器.该放大器采用高频低噪声晶体管,采用电感补偿技术和正实电阻补偿技术,保持了达林顿放大器高增益的优点,而且也取得了低噪声、良好输入输出匹配和宽带稳定性.通过优化设计,新型放大器在3.1～6 GHz内,增益S21高达21 dB,变化不超过0.3 dB,噪声系数F为1.5～2.1 dB,输入输出反射系数S11和S22都小于-14 dB,在宽带内保持稳定.

关键词：低噪声放大器超宽带达林顿对电流增益

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SiGe HBT低噪声放大器的设计与制造

电子与信息学报 2010年第8期32卷 2028-2032页

作者：沈珮张万荣金冬月谢红云北京工业大学电子信息与工程控制学院北京100124

该文设计和制作了一款单片集成硅锗异质结双极晶体管(SiGe HBT)低噪声放大器(LNA)。由于放大器采用复合型电阻负反馈结构,所以可灵活调整不同反馈电阻,同时获得合适的偏置、良好的端口匹配和低的噪声系数。基于0.35μm Si CMOS平面工艺... 详细信息

该文设计和制作了一款单片集成硅锗异质结双极晶体管(SiGe HBT)低噪声放大器(LNA)。由于放大器采用复合型电阻负反馈结构,所以可灵活调整不同反馈电阻,同时获得合适的偏置、良好的端口匹配和低的噪声系数。基于0.35μm Si CMOS平面工艺制定了放大器单芯片集成的工艺流程。为了进一步降低放大器的噪声系数,在制作放大器中SiGe器件时,采用钛硅合金(TiSi2)来减小晶体管基极电阻。由于没有使用占片面积大的螺旋电感,最终研制出的SiGe HBT LNA芯片面积仅为0.282mm2。测试结果表明,在工作频带0.2-1.2GHz内,LNA噪声系数低至2.5dB,增益高达26.7dB,输入输出端口反射系数分别小于-7.4dB和-10dB。

关键词：硅锗异质结双极晶体管低噪声放大器单片集成噪声系数

超宽带SiGe HBT低噪声放大器的设计和分析

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高技术通讯 2011年第1期21卷 77-82页

作者：沈珮张万荣金冬月谢红云黄毅文北京工业大学电子信息与工程控制学院北京100124

设计了一款具有电阻反馈的新型超宽带（UWB）SiGe HBT低噪声放大器（LNA）。因为摒弃了使用占片面积大的电感，所以极大节省了放大器的芯片面积和制作成本。在新型放大器的反馈支路中，使用了复合分布式电阻和隔直流电容，代替了传统的... 详细信息

设计了一款具有电阻反馈的新型超宽带（UWB）SiGe HBT低噪声放大器（LNA）。因为摒弃了使用占片面积大的电感，所以极大节省了放大器的芯片面积和制作成本。在新型放大器的反馈支路中，使用了复合分布式电阻和隔直流电容，代替了传统的单一电阻。用这种方式设计的LNA，仅通过调整与电容串联的电阻就可以极大地改善放大器的端口匹配，同时不牺牲偏置。最终设计出的LNA版图面积仅为0．144mm^2。仿真实验显示，在3．1—10GHz超宽频带内，新型UWB LNA实现了低于4．5dB的噪声系数、高达20dB的增益（增益平坦度仅为1．032dB），小于1．637的输出端驻波比，大于2．3的稳定因子。此研究成果对设计开发低成本、高性能的单片UWB LNA具有重要指导意义。

关键词：低噪声放大器(LNA) SiGe异质结双极晶体管超宽带(UWB) 阻抗匹配噪声系数

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简述我国金融衍生产品市场发展分析

商场现代化 2014年第23期 208-209页

作者：沈珮燕厦门志永贸易有限公司

金融衍生产品自20世纪80年代以来经历了一个迅速发展过程,国际金融市场因金融衍生产品的出现而百花齐放,金融衍生产品市场交易额的增长很大程度上超越传统金融产品,并逐步成为国际市场的重要角色和发展的驱动力。随着我国利率市场化,人... 详细信息

金融衍生产品自20世纪80年代以来经历了一个迅速发展过程,国际金融市场因金融衍生产品的出现而百花齐放,金融衍生产品市场交易额的增长很大程度上超越传统金融产品,并逐步成为国际市场的重要角色和发展的驱动力。随着我国利率市场化,人民币汇率制度改革、和本市场股权分置改革等进程的不断加快,金融衍生产品在国内市场的发展契机已经到来。那么,衍生产品到底该何去何从?这是一个值得探讨的问题。而本文对我国金融衍生市场的现状、问题及发展前景进行分析,结合我国衍生市场情况对我国金融衍生产品市场发展提出相应的对策以及意见。

关键词：金融衍生品风险规避金融创新

家园沟通有策略——如何纠正孩子爱玩水的问题

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福建教育 2016年第3期24卷 114-115页

作者：沈珮瑄厦门市松柏幼儿园

“搓搓手心，搓搓手背，搓搓手指缝，指甲也要搓一搓……”西西边念儿歌边认真洗完手后，仰着小脸j中着我笑眯眯地说：“老师，我还没洗干净，我要再洗一遍。”只见他放慢念儿歌的节奏，小手也随着节奏慢慢搓，慢慢洗……我心里偷偷乐... 详细信息

“搓搓手心，搓搓手背，搓搓手指缝，指甲也要搓一搓……”西西边念儿歌边认真洗完手后，仰着小脸j中着我笑眯眯地说：“老师，我还没洗干净，我要再洗一遍。”只见他放慢念儿歌的节奏，小手也随着节奏慢慢搓，慢慢洗……我心里偷偷乐着：真是聪明又自觉的孩子，还懂得变换儿歌的节奏来控制洗手速度，让小手洗得更干净，真棒!

关键词：搓手还一举高小吴儿童观反馈情况

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射频功率HBT热稳定性分析及镇流电阻优化

北京工业大学学报 2008年第2期34卷 141-144,149页

作者：金冬月张万荣谢红云沈珮王扬北京工业大学电子信息与控制工程学院北京100022

为了有效改善射频功率HBT的热不稳定性、消除自加热效应对功率器件电学特性的影响,从热电反馈网络出发,阐述了晶体管热稳定因子S的物理意义.在考虑发射极电流正温度系数、器件能带连续性(△E_v)、重掺杂效应(△E_g)、基极和发射极加入... 详细信息

为了有效改善射频功率HBT的热不稳定性、消除自加热效应对功率器件电学特性的影响,从热电反馈网络出发,阐述了晶体管热稳定因子S的物理意义.在考虑发射极电流正温度系数、器件能带连续性(△E_v)、重掺杂效应(△E_g)、基极和发射极加入镇流电阻(R_B和R_E)等因素的情况下。给出了功率HBT自热完全补偿(S= 0)所需最小镇流电阻(R_c)表达式.结果表明,在△E_v+△E_g>2κT时,HBT工作温度丁越大,R_c反而越小.由于R_c的减小,功率HBT将能提供更大的输出功率、功率增益和功率附加效率.

关键词：异质结双极晶体管热稳定镇流电阻

3～6GHz SiGe HBT Cascode低噪声放大器的设计

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北京工业大学学报 2012年第8期38卷 1162-1166页

作者：丁春宝张万荣谢红云沈珮陈亮尤云霞孙博韬王任卿北京工业大学电子信息与控制工程学院北京100124

基于Jazz 0.35μm SiGe工艺设计一款满足UWB和IEEE802.11a标准的低噪声放大器.采用并联电感峰化技术与Cascode结构来展宽带宽;完成了芯片版图的设计,芯片面积为1.16 mm×0.78 mm;在带宽为3～6 GHz范围内,最大增益为26.9 dB,增益平坦度为... 详细信息

基于Jazz 0.35μm SiGe工艺设计一款满足UWB和IEEE802.11a标准的低噪声放大器.采用并联电感峰化技术与Cascode结构来展宽带宽;完成了芯片版图的设计,芯片面积为1.16 mm×0.78 mm;在带宽为3～6 GHz范围内,最大增益为26.9 dB,增益平坦度为±0.9 dB.放大器的输入输出匹配良好,其回波损耗S11和S22均小于-10dB,输入与输出驻波比小于1.5,1 dB压缩点为-22.9 dBm.在整个频段内,放大器无条件稳定.

关键词：低噪声放大器 SiGe异质结双极晶体管达林顿对

Improving the quality factor of an RF spiral inductor with non-uniform metal width and non-uniform coil spacing

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Journal of Semiconductors 2011年第6期32卷 64-68页

作者：沈珮张万荣黄璐金冬月谢红云 School of Electronic Information and Control Engineering Beijing University of Technology Alabama Microelectronics Science and Technology Center Electronic and Computer Engineering DepartmentAuburn University

An improved inductor layout with non-uniform metal width and non-uniform spacing is proposed to increase the quality factor（Q factor）.For this inductor layout,from outer coil to inner coil,the metal width is reduced by an arithmetic-progression step,while the metal spacing is increased by a geometric-progression step. An improved layout with variable width and changed spacing is of benefit to the Q factor of RF spiral inductor improvement（approximately 42.86%）,mainly due to the suppression of eddy-current loss by weakening the current crowding effect in the center of the spiral *** order to increase the Q factor further,for the novel inductor, a patterned ground shield is used with optimized layout *** results indicate that,in the range of 0.5 to 16 GHz,the Q factor of the novel inductor is at an optimum,which improves by 67%more than conventional inductors with uniform geometry dimensions（equal width and equal spacing）,is enhanced by nearly 23%more than a PGS inductor with uniform geometry dimensions,and improves by almost 20%more than an inductor with an improved layout.

关键词： inductor layout optimization variable metal width and spacing integrated RF inductor silicon substrate