SiGe HBT低噪声放大器的设计与制造

作     者：沈珮 张万荣 金冬月 谢红云 Shen Pei;Zhang Wan-rong;Jin Dong-yue;Xie Hong-yun

作者机构：北京工业大学电子信息与工程控制学院北京100124 

出 版 物：《电子与信息学报》 (Journal of Electronics & Information Technology)

年 卷 期：2010年第32卷第8期

页      面：2028-2032页

核心收录：

学科分类：080902[工学-电路与系统] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 

基　　金：国家自然科学基金(60776051 60376033) 北京市自然科学基金(4082007) 北京市教委科技发展计划(KM200710005015 KM200910005001) 北京市属市管高校中青年骨干教师培养计划(102(KB)-00856) 北京市优秀跨世纪人才基金(67002013200301) 北京工业大学第七届研究生科技基金资助课题 

主　　题：硅锗异质结双极晶体管 低噪声放大器 单片集成 噪声系数 

摘      要：该文设计和制作了一款单片集成硅锗异质结双极晶体管(SiGe HBT)低噪声放大器(LNA)。由于放大器采用复合型电阻负反馈结构,所以可灵活调整不同反馈电阻,同时获得合适的偏置、良好的端口匹配和低的噪声系数。基于0.35μm Si CMOS平面工艺制定了放大器单芯片集成的工艺流程。为了进一步降低放大器的噪声系数,在制作放大器中SiGe器件时,采用钛硅合金(TiSi2)来减小晶体管基极电阻。由于没有使用占片面积大的螺旋电感,最终研制出的SiGe HBT LNA芯片面积仅为0.282mm2。测试结果表明,在工作频带0.2-1.2GHz内,LNA噪声系数低至2.5dB,增益高达26.7dB,输入输出端口反射系数分别小于-7.4dB和-10dB。