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检索条件"作者=沈家树"
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GaAIAs/GaAs正面发光管的失效机理研究
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半导体光电 1991年 第2期12卷 133-140页
作者: 沈家树 重庆光电技术研究所 重庆永川632163
研究和分析了高辐射GaAlAs/GaAs LED的退化机理。经高温加速老化,估算器件的工作寿命为10~5小时,并估算该器件的激活能为0.58eV。
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在半绝缘InP衬底上制作用于单片集成的InGaAs PIN光电二极管
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半导体光电 1985年 第1期 59-60页
作者: 沈家树
用LPE方法在半绝缘InP衬底上制作适用于光电单片集成的InGaAs PIN光电二极管。这种光电二极管具有低的暗电流和高速响应的特点。这种光电二极管在-10V工作电压下,暗电流密度为2.5×10;A/cm;。这个值是目前在这种材料系中所报导的最低值... 详细信息
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具有同轴横向结(CTJ)的新型激光器和发光管结构
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半导体光电 1985年 第1期 41-42页
作者: 沈家树
本文首次报导和演示了一种具有同轴横向结(CTJ)的新型激光器(LD)和发光管(LED)结构。它的光输出以及P-N结是园柱形的,并且是垂直于衬底的。这种CTJ结构将可有很多种变化和性能。
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0.5W、2~21GHz单片砷化镓(GaAs)分布放大器
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半导体光电 1985年 第1期 43-44页
作者: 沈家树
本文报导了用于分布放大器设计中的一个新的电路原理。这就是在栅极馈线上串连电容器来降低栅极的损耗。在总宽带输出功率和效率增加的情况下,它使放大器的栅极宽度大大地增加。用6×300μm场效应管的单片GaAs分布放大器已创造了这一记... 详细信息
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1.5μm波段、220KM的单模光缆
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半导体光电 1985年 第2期 91-92页
作者: 沈家树
制作了为1.5μm波段而专门设计的超低损耗单模光缆。光缆参数是,模式场半径为6μm;有效截止波长为1.4μm;在1.5μm处,平均损耗为0.19dB/公里。用每段2KM的光纤连接而成,具有107个接头,总长度为216KM的光缆的总损耗为46.3dB。经过长期使... 详细信息
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带波导的压电膜光调制器
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半导体光电 1985年 第2期 95-96页
作者: 沈家树
根据马赫——曾德型光学干涉原理提出和证明了压电膜光调制器。调制器由二个二端互相连接的波导构成,以分离入射光并把它们重新合并。每个波导制作在聚二氟乙烯(PVDF)膜上而作为电压驱动移相器。根据马赫——曾德型光学干涉原理已经... 详细信息
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旋转腐蚀法在光刻腐蚀中的应用
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半导体光电 1988年 第1期 66-69页
作者: 沈家树 重庆光电技术研究所
本文提出了一种新型的化学腐蚀方法——旋转腐蚀法。这种腐蚀方法是采用一种特殊的装置,通过旋转使腐蚀液产生离心力,迫使腐蚀液由中心向边缘处流动。这种方法可以给出一个很高的腐蚀速度,而且可以利用液体流向上的特点腐蚀出某些特定... 详细信息
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自集成透镜的GaAs/GaAlAs发光管
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半导体光电 1988年 第3期 53-55+62页
作者: 沈家树 重庆光电技术研究所
本文简述了近十几年来高耦合效率发光管的发展状况。叙述了发光管结构的选择及几种类型发光管的耦合效率。同时探讨了自集成单透镜发光管的工艺过程。
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介绍热天平
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化学通报 1959年 第7期 35-38页
作者: 沈家树 中山大学化学系
1.什么是热天平? 人们很早就知道有些物质在加热过程中重量会起一定的变化;而变化的程度与温度有一定的关系。分析化学在重量分析中也总结了这方面的经验,例如生成的沉淀须在一定的温度维持相当时间才能达到某个固定化学组成。冶金学... 详细信息
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Zn在GaAs中的开管扩散
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半导体光电 1988年 第4期 101-103页
作者: 刘川 沈家树 重庆光电技术研究所
采用开管扩散在GaAs中扩散获得成功。比较了不同温度及不同的扩散条件下的扩散结深,扩散浓度的关系;并测量了不同扩散时间Zn的损耗量。采用红外光谱法分析了表面扩散浓度,并在实际的GaAs正面LED中得到了应用。
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