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Zn在GaAs中的开管扩散

作     者：刘川 沈家树 

作者机构：重庆光电技术研究所 

出 版 物：《半导体光电》 (Semiconductor Optoelectronics)

年 卷 期：1988年第4期

页      面：101-103页

主　　题：开管扩散 损耗量 正面 闭管扩散 GaAs 扩散结深 Zn 

摘      要：采用开管扩散在GaAs中扩散获得成功。比较了不同温度及不同的扩散条件下的扩散结深,扩散浓度的关系;并测量了不同扩散时间Zn的损耗量。采用红外光谱法分析了表面扩散浓度,并在实际的GaAs正面LED中得到了应用。

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