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检索条件"作者=汪师俊"
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SiH_4-O_2体系LPCVD SiO_2薄膜的工艺及其应用
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微电子学与计算机 1995年 第5期12卷 1-4页
作者: 汪师俊 何莲萍 李积和 上海交通大学 上海硅材料厂
本文研究了SiH4—O2体系LPCVDSiO2的工艺及设备。为了得到厚度均匀性好的薄膜,改进了反应气体的进气方式和装片舟的结构,获得了每炉100片、直径为100mm的硅片的膜厚不均匀性≤士5%的结果。
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低温下阻遏蛋白MogR对单增李斯特菌鞭毛形成的影响
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微生物学报 2024年 第5期64卷 1506-1520页
作者: 邓霞 栗绍文 刘梅 华中农业大学动物医学院 湖北武汉430070
【目的】单核细胞增生李斯特菌(简称单增李斯特菌)(Listeria monocytogenes,Lm)是食源性病原菌,可以引发李斯特菌病(listeriosis)。Lm能在低温下生长,对冷藏食品的安全构成严重威胁,并对人类健康造成潜在的危害。Lm能低温生长与抑制鞭... 详细信息
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光化学气相淀积氮化硅的工艺及其应用研究——(Ⅲ)光CVD氮化硅薄膜应用于提高器件可靠性
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微电子学与计算机 1993年 第9期10卷 1-3页
作者: 汪师俊 蔡琪玉 沈天慧 上海交通大学高纯硅及硅烷国家重点实验室 上海市200030
采用光化学气相淀积(光CVD)氮化硅薄膜进行器件的表面钝化,使整个器件提高了可靠性.
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光化学气相淀积氮化硅的工艺及其应用研究——(Ⅰ)光化学气相淀积氧化硅的工艺研究
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微电子学与计算机 1993年 第2期10卷 46-48页
作者: 汪师俊 蔡琪玉 沈天慧 上海交通大学
文章介绍制备光化学气相淀积氮化硅薄膜的原理、设备及实验结果。
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光化学气相淀积氮化硅的工艺及其应用研究——Ⅱ光化学气相淀积氮化硅膜的性质
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微电子学与计算机 1993年 第3期10卷 45-48页
作者: 汪师俊 蔡琪玉 沈天慧 上海交通大学高纯硅及硅烷国家重点实验室 上海市200030
采用红外吸收光谱(IR)、俄歇能谱(AES)、X射线光电子能谱(XPS)、二次离子质谱(SIMS)及气相色谱等方法对光化学气相淀积(光CVD)氮化硅薄膜进行了分析.
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化学气相淀积在大规模集成电路中的应用
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微处理机 1985年 第1期9卷 44-49页
作者: 汪师俊 航天工业部骊山微电子公司
集成电路的制作工艺主要是薄膜工艺,是以半导体材料为衬底,在其上淀极多层不同的薄膜。用来作隔离介质膜、电容介质膜、掩蔽杂质扩散的阻挡膜、多层布线的绝缘膜、表面保护膜、互连线的导电膜等。形成薄膜的方式也是多种多样的。有化学... 详细信息
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国内外具身认知视角下的设计研究现状与进展
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包装工程 2024年 第12期45卷 91-104页
作者: 何抒琪 集美大学美术与设计学院 福建厦门361021
目的对国内外基于具身认知的设计研究文献进行分析,以客观解读具身认知视角下的设计研究现状与进展,从而为设计实践提供前瞻性参考。方法以Web of Science核心合集数据库和知网CNKI数据库中具身认知视角下的设计相关文献为数据来源,通过... 详细信息
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化学汽相淀积技术(二十一)
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半导体杂志 1990年 第1期15卷 48-53页
作者: 沈天慧 汪师俊 上海交通大学
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化学汽相淀积技术(十九)
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半导体杂志 1989年 第2期14卷 47-54页
作者: 沈天慧 汪师俊
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化学汽相淀积技术(二十)
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半导体杂志 1989年 第3期14卷 48-53页
作者: 沈天慧 汪师俊
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