检索结果-南通市图书馆

AlGaN合金中局域态和极化电场的竞争机制

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发光学报 2014年第7期35卷 761-766页

作者：毛德丰金鹏李维刘贵鹏王维颖王占国中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室低维半导体材料与器件北京市重点实验室北京100083

通过MOVPE方法生长了不同Al组分的3块AlxGa1-xN样品,利用稳态光谱和时间分辨光谱对其样品的光学特性进行了分析。鉴于影响氮化物发光性质的极化电场或局域态的单一机制不能充分解释我们的实验现象,提出了局域态-内部极化电场竞争的机制... 详细信息

通过MOVPE方法生长了不同Al组分的3块AlxGa1-xN样品,利用稳态光谱和时间分辨光谱对其样品的光学特性进行了分析。鉴于影响氮化物发光性质的极化电场或局域态的单一机制不能充分解释我们的实验现象,提出了局域态-内部极化电场竞争的机制。通过对实验数据的分析,得出如下重要结论:样品PL峰位蓝移的温度起点基本对应于局域态和极化电场起作用的交替点,PL峰位发生蓝移的温度起点与光强-温度曲线的斜率出现明显变化的温度点一致;随着温度的升高,若AlGaN合金样品中PL峰位存在二次蓝移,则说明样品中电场分布不均匀。

关键词：发光强度局域态极化电场温度 AlGaN合金

交织真情运送未来——青岛交运集团温馨校车运营模式简析

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交通企业管理 2015年第7期30卷 1-4页

作者：毛德丰交运集团青岛温馨校车有限公司

青岛交运集团青岛温馨校车有限公司（以下简称校车公司）于2008年10月筹建并开始进行校车市场调研,2011年9月试运行第一条专业校车线路,2012年4月10日正式组建注册为独立运营的专业化校车运营公司。校车公司于2012年和2013年连续两年成... 详细信息

青岛交运集团青岛温馨校车有限公司（以下简称校车公司）于2008年10月筹建并开始进行校车市场调研,2011年9月试运行第一条专业校车线路,2012年4月10日正式组建注册为独立运营的专业化校车运营公司。校车公司于2012年和2013年连续两年成为青岛市政府为群众办实事项目之一的校车工程的责任单位。截止目前,校车公司校车总数达到1 600辆,拥有员工4 000余人,

关键词：校车运营模式全域覆盖行业标准青岛交运集团

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功率LED热特性分析

照明工程学报 2009年第2期20卷 30-34页

作者：毛德丰郭伟玲高国沈光地北京工业大学北京光电子技术实验室北京100124

随着LED功率的升高,热应力对LED的影响越来越显著,过高的结温不但会使器件寿命急剧衰减,还会严重影响LED的峰值波长,光功率,光通量等诸多性能参数。因此精确掌握LED器件的温升规律便成为了提高设备工作可靠性和芯片结构设计的关键所在... 详细信息

随着LED功率的升高,热应力对LED的影响越来越显著,过高的结温不但会使器件寿命急剧衰减,还会严重影响LED的峰值波长,光功率,光通量等诸多性能参数。因此精确掌握LED器件的温升规律便成为了提高设备工作可靠性和芯片结构设计的关键所在。本文通过标准电学法对不同颜色的1W功率LED及不同功率的GaN基白光LED的结温和热阻进行了测量,实验结果表明:同种结构LED的温度系数K虽然离散但比较接近,不同结构LED芯片K明显不同;在相同衬底材料,相同芯片结构条件下,LED芯片结温会随芯片功率的增大而升高。并首次进行了变电流下不同功率LED芯片的结温和热阻测量,发现无论功率大小,结温均随热电流的增大而上升,功率越大,上升幅度也越大。随着LED两端所加电流的增大,3W白光LED的热阻呈上升趋势,而1W白光LED的热阻随电流增加基本不变。

关键词：光电子热阻正向电压法功率发光二极管

Enhancing redshift phenomenon in time-resolved photoluminescence spectra of AlGaN epilayer

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Chinese Physics B 2017年第7期26卷 399-402页

作者：李维金鹏王维颖毛德丰潘旭王晓亮王占国 Science and Technology on Metrology and Calibration Laboratory Changcheng Institute of Metrology & MeasurementAviation Industry Corporation of China Key Laboratory of Semiconductor Materials Science Institute of Semiconductors College of Materials Science and Opto-Electronic TechnologyUniversity of Chinese Academy of Sciences Chinese Academy of Sciences

AlGaN epitaxial layer has been studied by means of temperature-dependent time-integrated photoluminescence（PL）and time-resolved photoluminescence（TRPL）. An enhancing redshift phenomenon in TRPL spectra with increasing temperature was observed, and the localized excitons behaved like quasi two-dimensional excitons between 6 K and 90 K. We demonstrated that these behaviors are caused by a change in the carrier dynamics with increasing temperature due to the competition of carriers＇ localization and delocalization in the AlGaN alloy.

关键词： AlGaN time-resolved photoluminescence localized excitons

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GaN基功率LED高低温特性研究

固体电子学研究与进展 2010年第2期30卷 304-307页

作者：贾学姣郭伟玲高伟裘利平李瑞毛德丰沈光地北京工业大学光电子技术省部共建教育部重点实验室北京100124

首次对自制的GaN基大功率白光和蓝光发光二极管在-30~100°C的温度下进行了在线的光电特性测试,对两种不同LED的正向电压、相对光强、波长、色温等参数随温度变化的关系进行了数据曲线拟合,对比分析了参数变化的原因,以及这些变化对实... 详细信息

首次对自制的GaN基大功率白光和蓝光发光二极管在-30~100°C的温度下进行了在线的光电特性测试,对两种不同LED的正向电压、相对光强、波长、色温等参数随温度变化的关系进行了数据曲线拟合,对比分析了参数变化的原因,以及这些变化对实际应用的影响。结果表明,温度对大功率LED的光电特性有很大影响,通过对比发现白光LED的部分光参数随温度的变化不仅与GaN芯片有关,同时受到荧光粉的影响。低温环境下,要考虑LED的正向电压升高和峰值波长蓝移对应用的影响;而高温条件下要考虑光功率降低和峰值波长红移对应用的影响。

关键词：氮化镓功率发光二极管低温正向电压峰值波长

Effects of interface roughness on photoluminescence full width at half maximum in GaN/AlGaN quantum wells

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Chinese Physics B 2014年第11期23卷 562-565页

作者：王维颖刘贵鹏金鹏毛德丰李维王占国田武陈长清 Key Laboratory of Semiconductor Materials Science and Beijing Key Laboratory of Low-dimensional Semiconductor Materials and Devices Institute of Semiconductors Chinese Academy of Sciences Wuhan National Laboratory for Optoelectronics Huazhong University of Science and Technology

Low temperature photoluminescence （PL） measurements have been performed for a set of GaN/AlxGal xN quantum wells （QWs）. The experimental results show that the optical full width at half maximum （FWHM） increases relatively rapidly with increasing A1 composition in the AlxGal xN barrier, and increases only slightly with increasing GaN well width. A model considering the interface roughness is used to interpret the experimental results. In the model, the FWHM＇s broadening caused by the interface roughness is calculated based on the triangle potential well approximation. We find that the calculated results accord with the experimental results well.

关键词： GaN/A1GaN quantum wells interface roughness optical full width at half maximum

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功率LED电压与温度关系研究

功率LED电压与温度关系研究

沟道长度对碳纳米管薄膜晶体管阈值电压的调控作用

中国照明论坛——城市照明节能规划、设计与和谐发展科技研讨会

作者：毛德丰郭伟玲高国沈光地北京工业大学第二实验楼北京光电子技术实验室

1、引言众所周知,大功率发光二极管(power light-emitting diodes)作为下一代发光技术的基石,具有发光效率高、使用寿命长、高可靠性等优点。但随着LED功率的增大,过多的热会堆积在有源区,影响LED的可靠性及诸多光参数,甚至造成LED的失... 详细信息

1、引言众所周知,大功率发光二极管(power light-emitting diodes)作为下一代发光技术的基石,具有发光效率高、使用寿命长、高可靠性等优点。但随着LED功率的增大,过多的热会堆积在有源区,影响LED的可靠性及诸多光参数,甚至造成LED的失效。因此准确测量LED的结温就变得异常重要。电学参数法因具有灵敏度高、测量迅速、试验成本低廉等优

关键词： LED InGaN 正向电压法温度关系电压温度系数注入电流正向压降测试电流

来源： cnki会议评论

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真空科学与技术学报 2017年第8期37卷 821-825页

作者：董国栋夏继业孟虎田博元黄奇赵杰毛德丰刘晓惠方家梁学磊 "纳米器件与物理化学"教育部重点实验室北京大学信息科学技术学院北京100871 京东方科技集团股份有限公司北京100176

根据碳纳米管薄膜晶体管特有的渗流输运机制,通过改变器件的沟道长度实现了对器件阈值电压的调控。与通常的晶体管阈值电压调控方法相比,该方法具有工艺简单且阈值电压调控范围大的优势。这种阈值调控方法不仅是对常规晶体管阈值调控方... 详细信息

根据碳纳米管薄膜晶体管特有的渗流输运机制,通过改变器件的沟道长度实现了对器件阈值电压的调控。与通常的晶体管阈值电压调控方法相比,该方法具有工艺简单且阈值电压调控范围大的优势。这种阈值调控方法不仅是对常规晶体管阈值调控方法的有益补充,同时也对碳纳米管薄膜晶体管的实际应用进程具有重要的促进作用。

关键词：碳纳米管薄膜晶体管阈值电压沟道长度

Anomalous temperature-dependent photoluminescence peak energy in InAlN alloys

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Journal of Semiconductors 2014年第9期35卷 16-20页

作者：李维金鹏王维颖毛德丰刘贵鹏王占国王嘉铭许福军沈波 Key Laboratory of Semiconductor Materials Science and Beijing Key Laboratory of Low-Dimensional Semiconductor Materials and Devices Institute of Semiconductors Chinese Academy of Sciences State Key Laboratory of Artificial Microstructure and Mesoscopic Physics School of Physics Peking University

InA1N has been studied by means of temperature-dependent time-integrated photoluminescence and time-resolved photoluminescence. The variation of PL peak energy did not follow the behavior predicted by Varshni formula, and a faster redshift with increasing temperature was observed. We used a model that took account of the thermal activation and thermal transfer of localized excitons to describe and explain the observed behavior. A good fitting to the experiment result is obtained. We believe the anomalous temperature dependence of PL peak energy shift can be attributed to the temperature-dependent redistribution of localized excitons induced by thermal activation and thermal transfer in the strongly localized states. V-shaped defects are thought to be a major factor causing the strong localized states in our ln0.153Al0.847N sample.

关键词： InA1N photoluminescence thermal activation V-defects