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激光诱导击穿光谱测量重掺硅中的氧含量(英文)

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无机材料学报 2010年第8期25卷 893-896页

作者：季振国席俊华毛启楠杭州电子科技大学电子信息学院杭州310018 浙江大学硅材料国家重点实验室杭州310027

利用一台高能脉冲激光器和一个光纤耦合的CCD光谱仪构建了激光诱导击穿光谱仪(LIBS),并用它测量了重掺硅片中的氧含量.硅中的氧含量通过LIBS谱中的O_I(777nm)谱线和Si_I(288nm)谱线的强度比值O_I/Si_I获得.为了确定氧含量的绝对值,选定... 详细信息

利用一台高能脉冲激光器和一个光纤耦合的CCD光谱仪构建了激光诱导击穿光谱仪(LIBS),并用它测量了重掺硅片中的氧含量.硅中的氧含量通过LIBS谱中的O_I(777nm)谱线和Si_I(288nm)谱线的强度比值O_I/Si_I获得.为了确定氧含量的绝对值,选定了4个轻掺杂的硅样品,分别利用业界通用的傅利叶变换红外吸收光谱(FTIR)和LIBS对其中的氧含量进行了测量,由此得出了利用LIBS确定硅中氧含量的定标曲线,并根据该定标曲线成功地测出了几个重掺硅片中的氧含量.

关键词：激光诱导击穿光谱氧含量重掺硅

Bi_2O_3薄膜的制备及其电阻开关特性的研究

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无机材料学报 2012年第3期27卷 323-326页

作者：季振国王君杰毛启楠席俊华杭州电子科技大学电子材料与器件工艺实验室杭州310018 浙江大学硅材料国家重点实验室杭州310027

电阻式存储器由于具有众多的优点有望成为最有前景的下一代高速非挥发性存储器的选择之一.实验利用射频磁控溅射法在重掺硅上沉积了Bi2O3薄膜,并对该薄膜的结晶状态和Au/Bi2O3/n+Si/Al结构的电阻开关特性进行了研究.XRD分析结果表明,射... 详细信息

电阻式存储器由于具有众多的优点有望成为最有前景的下一代高速非挥发性存储器的选择之一.实验利用射频磁控溅射法在重掺硅上沉积了Bi2O3薄膜,并对该薄膜的结晶状态和Au/Bi2O3/n+Si/Al结构的电阻开关特性进行了研究.XRD分析结果表明,射频磁控溅射法沉积所得的Bi2O3薄膜结晶性能好,(201)取向明显.I-V曲线测试结果表明,Au/Bi2O3/n+Si/Al结构具有单极性电阻开关特性.通过对不同厚度Bi2O3薄膜的Au/Bi2O3/n+Si/Al结构I-V特性比较发现,随着薄膜厚度的增加,电阻开关的Forming、Set和Reset阈值电压均随之增加.对于Bi2O3薄膜厚度为31.2 nm的Au/Bi2O3/n+Si/Al结构,其Forming、Set和Reset阈值电压均低于4 V,符合存储器低电压工作的要求.

关键词： Bi2O3薄膜电阻开关特性薄膜厚度

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界面势垒对碳纳米管场发射特性的影响

强激光与粒子束 2010年第2期22卷 397-400页

作者：陈雷锋季振国糜裕宏毛启楠杭州电子科技大学电子信息学院杭州310018 浙江大学硅材料国家重点实验室杭州310027

以界面势垒对碳纳米管(CNT)场发射的影响为研究目的,在硅衬底上引进很薄的二氧化硅层,以二氧化硅层作为绝缘势垒,然后在二氧化硅界面层上直接生长CNT,来研究二氧化硅绝缘势垒层对CNT场发射的影响。场发射结果为:Fowler-Nordheim(F-N)曲... 详细信息

以界面势垒对碳纳米管(CNT)场发射的影响为研究目的,在硅衬底上引进很薄的二氧化硅层,以二氧化硅层作为绝缘势垒,然后在二氧化硅界面层上直接生长CNT,来研究二氧化硅绝缘势垒层对CNT场发射的影响。场发射结果为:Fowler-Nordheim(F-N)曲线分为两部分,高电场下偏离F-N曲线并趋于饱和。在双势垒模型的基础上,从电场在两势垒上的分布不同及电子在两势垒上的隧穿几率不同,理论上分析了界面势垒对场发射的影响:低电场下电子在界面势垒的隧穿几率大于在表面势垒的隧穿几率,界面势垒对场发射不起阻碍作用,场发射遵守F-N规律;高电场下电子在界面势垒的隧穿几率小于在表面势垒的隧穿几率,场发射偏离F-N规律。理论对实验结果进行了合理的解释。

关键词：碳纳米管场发射绝缘势垒隧穿几率双势垒模型非线性F-N曲线

真空快速退火对CIGS太阳能电池性能的影响

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无机材料学报 2015年第1期30卷 35-40页

作者：田力张晓勇毛启楠李学耕于平荣王东北京大学工学院北京100871 普尼太阳能(杭州)有限公司杭州310051

采用溅射后硒化法制备CIGS电池吸收层,并在此基础上制备具有glass/Mo/CIGS/Cd S/i-ZnO/ZnO:Al/Ni-Al结构的CIGS电池。实验研究了真空退火对电池性能的影响。通过优化退火条件,电池光电转换效率从4.91%提高到14.01%。进一步研究发现,退... 详细信息

采用溅射后硒化法制备CIGS电池吸收层,并在此基础上制备具有glass/Mo/CIGS/Cd S/i-ZnO/ZnO:Al/Ni-Al结构的CIGS电池。实验研究了真空退火对电池性能的影响。通过优化退火条件,电池光电转换效率从4.91%提高到14.01%。进一步研究发现,退火有助于改善部分单层薄膜的性能,但是其对电池性能的提升主要来自来于:1)退火促使Cd2+扩散进入CIGS表面取代VCu,钝化浅能级缺陷的同时形成n-CIGS,使p-n结进入CIGS层内部,从而大幅减少了界面复合中心;2)退火使得CIGS表面吸附的H2O分子脱附,提高了CIGS电学和带隙均匀性,从而改善电池的均匀性,电池性能得到全面提升。

关键词： CuInxGa1-xSe 退火溅射后硒化均匀性同质结

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《大学化学实验》课程教改初探

中国科技期刊数据库科研 2022年第8期 152-154页

作者：裴浪鲍亮毛启楠钟家松杭州电子科技大学材料与环境工程学院浙江杭州310018

化学是自然学科中一门重要的基础科学,实验是化学的灵魂和生命。《大学化学实验》课程作为高等院校化学、化工、材料、生物类专业学生重要的专业性实验课程,是培养学生实验技能及科学研究基本思维的重要环节。基于此,本文针对《大学化... 详细信息

化学是自然学科中一门重要的基础科学,实验是化学的灵魂和生命。《大学化学实验》课程作为高等院校化学、化工、材料、生物类专业学生重要的专业性实验课程,是培养学生实验技能及科学研究基本思维的重要环节。基于此,本文针对《大学化学实验》教学中存在课程内容吸引性不足、教学手段和考核形式单一的问题,从优化课程内容、改进教学手段和考核方式、推广研究生助教等环节提出几点关于《大学化学实验》课程的改革构想与可行性建议。旨在通过以创新能力培养为导向的教学改革,加强学生主动参与实验的兴趣和积极性,开拓学生科学视野,挖掘学生的综合创新能力和专业担当精神,达到提升《大学化学实验》教学效果的目的。

关键词：大学化学实验实验教学综合能力改革特色与创新

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下电极对ZnO薄膜电阻开关特性的影响

物理学报 2013年第7期62卷 392-397页

作者：李红霞陈雪平陈琪毛启楠席俊华季振国杭州电子科技大学电子材料与器件工艺实验室杭州310018 浙江大学硅材料国家重点实验室杭州310013

本文采用直流磁控溅射法在三种不同的下电极(BEs)上制备了ZnO薄膜,获得了W/ZnO/BEs存储器结构.研究了不同的下电极材料对器件电阻开关特性的影响.研究结果表明,以不同下电极所制备的器件都具有单极性电阻开关特性.在低阻态时,ZnO薄膜的... 详细信息

本文采用直流磁控溅射法在三种不同的下电极(BEs)上制备了ZnO薄膜,获得了W/ZnO/BEs存储器结构.研究了不同的下电极材料对器件电阻开关特性的影响.研究结果表明,以不同下电极所制备的器件都具有单极性电阻开关特性.在低阻态时,ZnO薄膜的导电机理为欧姆传导,而高阻态时薄膜的导电机理为空间电荷限制电流.不同下电极与ZnO薄膜之间的肖特基势垒高度对电阻开关过程中的操作电压有较大的影响,并基于导电细丝模型对不同下电极上ZnO薄膜的低阻态阻值及reset电流的变化进行了解释.

关键词： ZnO薄膜电阻开关下电极

Eu^(2+)和Dy^(3+)掺杂浓度对Sr_2MgSi_2O_7材料的荧光和长余辉性能的影响

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无机材料学报 2016年第8期31卷 819-826页

作者：毛启楠李鹤季振国席俊华张峻孔哲杭州电子科技大学材料与环境工程学院杭州310018

采用高温固相法制备得到Sr_2Mg Si_2O_7:Eu^(2+)和Sr_2Mg Si_2O_7:Eu^(2+),Dy^(3+)发光粉,并详细研究了Eu^(2+)和Dy^(3+)的掺杂浓度对Sr_2Mg Si_2O_7材料的荧光和长余辉性能的影响。所有样品都在470 nm附近呈现较宽的发光峰,这可归因于E... 详细信息

采用高温固相法制备得到Sr_2Mg Si_2O_7:Eu^(2+)和Sr_2Mg Si_2O_7:Eu^(2+),Dy^(3+)发光粉,并详细研究了Eu^(2+)和Dy^(3+)的掺杂浓度对Sr_2Mg Si_2O_7材料的荧光和长余辉性能的影响。所有样品都在470 nm附近呈现较宽的发光峰,这可归因于Eu^(2+)离子的4f^65d→4f^7电子能级跃迁。当Eu^(2+)掺杂浓度超过淬灭浓度,其浓度淬灭效应导致发光粉的荧光强度下降和余辉时间减短。同时,发射峰的峰位随Eu^(2+)浓度的增加而发生红移,这主要由于晶体场分裂能和斯托克斯位移变化造成的,而电子云扩大效应变化所产生的影响相对较弱。Dy^(3+)离子会抑制荧光,但有助于延长余辉时间。当其掺杂浓度超过10mol%时,Eu^(2+)\Dy^(3+)离子通过隧道复合机制发生浓度淬灭,从而使材料的长余辉寿命减少。

关键词：硅酸镁锶发光性能掺杂浓度淬灭

一种基于锡锑氧化物的透明PN结及整流特性(英文)

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无机材料学报 2009年第6期24卷 1259-1262页

作者：季振国周荣福毛启楠霍丽娟曹虹杭州电子科技大学电子信息学院杭州310018 浙江大学硅材料国家重点实验室杭州310027

利用反应磁控溅射法制备了半导体锡锑氧化物薄膜(TAO).根据霍尔效应测试结果,当Sn/Sb原子比处于0.22～0.33范围内时,TAO薄膜是p型导电的,在此范围之外,TAO薄膜是n型导电的.光学带隙测量结果表明,不同Sn/Sb比的TAO薄膜的禁带宽度基本相同... 详细信息

利用反应磁控溅射法制备了半导体锡锑氧化物薄膜(TAO).根据霍尔效应测试结果,当Sn/Sb原子比处于0.22～0.33范围内时,TAO薄膜是p型导电的,在此范围之外,TAO薄膜是n型导电的.光学带隙测量结果表明,不同Sn/Sb比的TAO薄膜的禁带宽度基本相同(～3.9eV).构造了一个全透明的PN结,其中n区为Sn/Sb原子比为0.5的TAO薄膜,p区为Sn/Sb原子比为0.33的TAO薄膜.n区TAO的电极用铟锡氧化物(ITO),p区TAO的电极用Cu薄膜.实验结果表明,由于两种导电类型的TAO薄膜具有相同的禁带宽度,上述透明PN结构具有典型的准同质PN结的整流特性.

关键词：透明半导体薄膜锡锑氧化物 PN结

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激光诱导击穿光谱及其在元素分析中的应用

材料科学与工程学报 2011年第3期29卷 455-460,428页

作者：季振国李铁强席俊华毛启楠杭州电子科技大学电子材料与器件工艺实验室浙江杭州310018 浙江大学硅材料国家重点实验室浙江杭州310027

激光诱导击穿光谱是一种新的元素分析方法,但仍处于不断完善之中。利用它可以分析不同形态样品的成分,因此在成分分析和微量元素检测方面具有重要的应用前景。本文阐述了激光击穿诱导光谱仪的基本原理和激光诱导击穿光谱在多个领域中的... 详细信息

激光诱导击穿光谱是一种新的元素分析方法,但仍处于不断完善之中。利用它可以分析不同形态样品的成分,因此在成分分析和微量元素检测方面具有重要的应用前景。本文阐述了激光击穿诱导光谱仪的基本原理和激光诱导击穿光谱在多个领域中的应用,研究内容涉及固体样品、液体样品、气体样品、微量杂质分析和成分深度剖析等,并分析了基体效应、自吸收效应、测量时间、环境气体、激光参数等对激光诱导击穿光谱分析结果的影响。

关键词：激光诱导击穿光谱激光紫外-可见光谱元素检测