Eu^(2+)和Dy^(3+)掺杂浓度对Sr_2MgSi_2O_7材料的荧光和长余辉性能的影响

作     者：毛启楠 李鹤 季振国 席俊华 张峻 孔哲 MAO Qi-Nan;LI He;JI Zhen-Guo;XI Jun-Hua;ZHANG Jun;KONG Zhe

作者机构：杭州电子科技大学材料与环境工程学院杭州310018 

出 版 物：《无机材料学报》 (Journal of Inorganic Materials)

年 卷 期：2016年第31卷第8期

页      面：819-826页

核心收录：

学科分类：08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 

基　　金：国家自然科学基金(61372025) 浙江省自然科学基金(LY15E030009) 浙江省科技计划项目(2014C33220 2015C37037)~~ 

主　　题：硅酸镁锶 发光性能 掺杂 浓度淬灭 

摘      要：采用高温固相法制备得到Sr_2Mg Si_2O_7:Eu^(2+)和Sr_2Mg Si_2O_7:Eu^(2+),Dy^(3+)发光粉,并详细研究了Eu^(2+)和Dy^(3+)的掺杂浓度对Sr_2Mg Si_2O_7材料的荧光和长余辉性能的影响。所有样品都在470 nm附近呈现较宽的发光峰,这可归因于Eu^(2+)离子的4f^65d→4f^7电子能级跃迁。当Eu^(2+)掺杂浓度超过淬灭浓度,其浓度淬灭效应导致发光粉的荧光强度下降和余辉时间减短。同时,发射峰的峰位随Eu^(2+)浓度的增加而发生红移,这主要由于晶体场分裂能和斯托克斯位移变化造成的,而电子云扩大效应变化所产生的影响相对较弱。Dy^(3+)离子会抑制荧光,但有助于延长余辉时间。当其掺杂浓度超过10mol%时,Eu^(2+)\Dy^(3+)离子通过隧道复合机制发生浓度淬灭,从而使材料的长余辉寿命减少。