检索结果-南通市图书馆

宽温区MOSFET反型层载流子迁移率的模型和测定方法

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固体电子学研究与进展 2001年第4期21卷 448-452页

作者：冯耀兰宋安飞张海鹏樊路加东南大学微电子中心南京210096

首先介绍了宽温区 (2 7～ 30 0°C) MOSFET的阈值电压、泄漏电流和漏源电流的特点以及载流子迁移率的高温模型 ;进而给出了室温下 MOSFET反型层载流子迁移率的测定方法 ,最后提出了利用线性区 I- V特性方程测定宽温区 MOSFET反型层载流... 详细信息

首先介绍了宽温区 (2 7～ 30 0°C) MOSFET的阈值电压、泄漏电流和漏源电流的特点以及载流子迁移率的高温模型 ;进而给出了室温下 MOSFET反型层载流子迁移率的测定方法 ,最后提出了利用线性区 I- V特性方程测定宽温区 MOSFET反型层载流子迁移率的方法。

关键词：宽温区金属-氧化物-半导体场效应晶体管载流子迁移率

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注入能量和剂量对阈电压的影响

电子器件 1986年第3期 70-72页

作者：樊路加

在目前CMOS器件研制中,由于采用离子注入工艺,使阈电压的调整变的简单易行。在栅氧化膜形成后,通过薄的栅氧化层进行沟道区域注入,然后经过适当退火,便能达到目的。本文结合我室研制的***等电路,在60KeV能量的离子束注入机上,就注入能... 详细信息

在目前CMOS器件研制中,由于采用离子注入工艺,使阈电压的调整变的简单易行。在栅氧化膜形成后,通过薄的栅氧化层进行沟道区域注入,然后经过适当退火,便能达到目的。本文结合我室研制的***等电路,在60KeV能量的离子束注入机上,就注入能量和剂量对阈电压的影响,加以说明。一、注入能量对阈电压的影响沟道注入必须较严格地注意注入的能量值,因为沟道注入是在做好栅氧化膜后进行的。对于一定的注入剂量,如果能量过份低,则注入离子穿不过栅氧化层,阈电压不变。随着注入能

关键词：剂量注入能量用药量阈电压栅氧化层

Influence of High Temperature Treatment on the Performance of Nickel-Induced Laterally Crystallized Thin Film Transistors

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Journal of Semiconductors 2002年第6期23卷 571-576页

作者：秦明樊路加 VincentPoon C.Y.Yuen 东南大学微电子中心南京210096 香港科技大学电机与电子工程系

Well known for their good performance,thin film transistors (TFTs) with active layers which were nickel induced laterally crystallized,are fabricated by conventional process of dual gate *** influence of pre high temperature treatment of device fabrication on the performance of TFTs is also *** experiment shows that the high temperature treatment affects the performance of the devices *** best performance is obtained by adopting pre treatment of 1000℃.The mobility of 314cm 2/(V·s) is obtained at NMOS TFTs with pre treatment of 1000℃,which is 10% and 22% higher than that treated at 1100℃ and without pre high temperature treatment,respectively.A maximum on/off current ratio of 3×10 8 is also obtained at 1000℃.Further investigation of uniformity verifies that the result is reliable.

关键词： nickel induced lateral crystallization thin film transistor high temperature treatment

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单片集成MEMS中的阳极键合工艺

电子器件 2005年第4期28卷 743-746页

作者：祁雪黄庆安秦明张会珍樊路加东南大学MEMS教育部重点实验室南京210096

分析了阳极键合工艺的原理及其工艺条件对CMOS电路的影响,并通过理论分析和实验研究了单片集成MEMS中的两种阳极键合方法:对于玻璃在硅片上方的键合方式,通过在电路部分上方玻璃上腐蚀一定深度的腔及用氮化硅层保护电路可以在很大程度... 详细信息

分析了阳极键合工艺的原理及其工艺条件对CMOS电路的影响,并通过理论分析和实验研究了单片集成MEMS中的两种阳极键合方法:对于玻璃在硅片上方的键合方式,通过在电路部分上方玻璃上腐蚀一定深度的腔及用氮化硅层保护电路可以在很大程度上减轻阳极键合工艺的影响;而玻璃在硅片下方的键合方式,硅片上的电路几乎不受阳极键合工艺的影响,两种方法各有优缺点。

关键词：单片集成MEMS 阳极键合

流体动力学模型中流密度方程的二维OAD离散方法

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东南大学学报（自然科学版） 1999年第6期29卷 26-31页

作者：吴金刘其贵樊路加夏君杨廉峰魏同立东南大学微电子中心南京210096

本文系统分析了用于流密度方程有限差分离散的ＳＧ和ＯＡＤ方法，完善了适合于二维非均匀网格系统的流线ＳＧ方法．在此基础上，提出了适合流体动力学模型中流密度方程离散的二维ＯＡＤ方法．简单的数值实验表明，ＯＡＤ离散方法不仅... 详细信息

本文系统分析了用于流密度方程有限差分离散的ＳＧ和ＯＡＤ方法，完善了适合于二维非均匀网格系统的流线ＳＧ方法．在此基础上，提出了适合流体动力学模型中流密度方程离散的二维ＯＡＤ方法．简单的数值实验表明，ＯＡＤ离散方法不仅能够解决数值计算中存在的侧风扩散效应。

关键词：半导体器件 OCAD离散法流密度流体动力学模型

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电子镇流器与荧光灯管匹配的设计方法

灯与照明 1991年第1期14卷 4-6页

作者：樊路加诸玉华

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高压MOS集成电路及其应用

电子器件 1987年第4期 13-18页

作者：唐国洪陈德英樊路加

本文分析了MOS器件漏耐压低的原因,实现高耐压的途径和高耐压MOS器件的结构,最后着重介绍了偏置栅高压MOS IC的应用.

关键词： MOS IC 漏区低导通电阻高压器件

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多功能浇水器的设计

电子器件 2007年第5期30卷 1608-1610页

作者：龚亚欢吴广志樊路加东南大学电子科学与工程学院南京210096

为满足对花卉爱好者家庭中的盆花或农林产业中的植物进行自动地浇水的需求.采用自制传感器,结合AT89C52单片机芯片和其它相关器件研究设计自动多功能浇水器.通过测试表明,多功能浇水器具有设置灵活,数字显示,自动分析土壤水分,成本较低... 详细信息

为满足对花卉爱好者家庭中的盆花或农林产业中的植物进行自动地浇水的需求.采用自制传感器,结合AT89C52单片机芯片和其它相关器件研究设计自动多功能浇水器.通过测试表明,多功能浇水器具有设置灵活,数字显示,自动分析土壤水分,成本较低的特点.此设备可以广泛应用在上述场合,达到预期的设计目的和要求.

关键词：电子设计土壤水分检测信号转换口线方式

银川市黄河滩区土壤理化性状、重金属含量和微生物多样性分析与评价

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银川市黄河滩区土壤理化性状、重金属含量和微生物多样性分析与评...

作者：于路加北方民族大学

学位级别：硕士

黄河滩区是沉积黄河泥沙、滞蓄洪水的重要区域,也是经济发展和农业生产的重要地带。银川市黄河滩地耕地面积大,人类活动频繁,严重破坏原有植被及河滩地自然生态,造成河滩地生态系统退化、水源涵养功能降低。目前,由于建设黄河流域生态... 详细信息

黄河滩区是沉积黄河泥沙、滞蓄洪水的重要区域,也是经济发展和农业生产的重要地带。银川市黄河滩地耕地面积大,人类活动频繁,严重破坏原有植被及河滩地自然生态,造成河滩地生态系统退化、水源涵养功能降低。目前,由于建设黄河流域生态保护和高质量发展先行区的需要,银川市黄河西岸滩地已经全部退耕,退耕后的河滩地面临土地资源规划利用、生态保护等问题。本研究以银川段83.8 km黄河两岸滨河大道以内滩地为研究区,分析土壤理化性质空间变异特征,并对土壤肥力质量进行评价;检测土壤中重金属含量,评价滩区土壤重金属污染及潜在生态风险水平,解析土壤重金属来源;分析滩区6种典型用地类型土壤微生物群落结构和功能多样性,探究不同用地类型下土壤微生物群落和功能特征及驱动因素。本研究可为全面掌握银川市黄河滩区土壤资源现状,为滩区的生态恢复、土地资源开发利用、土壤改良等提供理论依据,为建设黄河流域生态保护和高质量发展先行区提供数据支撑。主要研究结果如下:1、银川市黄河滩地表层土壤容重介于1.07 g/cm～1.52 g/cm,田间持水量为18.18%～31.16%,总孔隙度介于33.60%～49.83%,毛管孔隙度在26.67%～36.43%,非毛管孔隙度为5.6%～17.00%;p H均值为8.44,可溶性含盐量均值为5.91 g/kg;全钾、速效钾和有效磷平均含量分别为20.26 g/kg、184.60 mg/kg和21.47 mg/kg处于二级水平;有机质平均含量为12.23 g/kg处于四级水平;全氮、碱解氮和全磷平均含量分别为0.69 g/kg、48.97 mg/kg和0.72 g/kg为五级水平。不同用地类型之间,林地土壤容重和全磷含量显著最低（P退耕地>林地>耕地;研究区Zn和Cd呈轻微富集,其余6种元素无富集;研究区整体处于轻度生态风险水平,Cd属于中度潜在生态风险水平,其余重金属处于轻度水平;联合受体模型表明交通和农业等人为活动来源对Zn和Cd的贡献较大,其余重金属受土壤母质等自然源影响较大。3、研究区土壤细菌优势菌门主要为变形杆菌门和放线菌门,水稻田土壤中变形杆菌含量显著最高（P<0.05）;林地土壤中放线菌的相对丰度高于其他土壤,水稻田土壤中其相对丰度显著最低（P<0.05）。真菌优势菌门为子囊菌门,林地的子囊菌含量最高,果园中担子菌的相对丰度显著高于其它用地类型（P<0.05）,退耕地土壤中球囊菌门相对丰度显著高于其它用地（P<0.05）。苜蓿地土壤细菌α多样性显著高于其它用地（P<0.05）,退耕地相对较低。土壤细菌主要功能是新陈代谢,真菌主要为病理-腐生-共生类群;全磷、速效磷和微生物生物量氮与细菌多样性显著相关（P<0.05）,EC、微生物生物量碳与真菌多样性呈显著正相关（P<0.05）,微生物生物量氮和碱解氮与真菌多样性呈显著负相关（P<0.05）;冗余分析结果表明,土壤细菌群落结构与土壤p H、总氮、全磷和速效钾呈显著相关（P<0.05）,EC、总磷和微生物生物量碳与土壤真菌群落呈显著相关（P<0.05）。结构方程模型显示,土壤p H和EC对滩区土壤微生物和土壤营养影响较大。综上所述,研究区土壤容重和孔隙特征对植物生长较适宜,整体肥力偏低,p H和无机态氮是土壤肥力的制约因子。土壤处于轻度重金属潜在生态风险水平,人为活动导致Cd和Zn的污染,其余重金属无富集主要来自土壤母质。不同用地类型土壤微生物群落和功能多样性差异显著,土壤环境因子对微生物群落结构多样性具有显著影响。

关键词：黄河滩区土壤理化性质土壤肥力评价重金属污染评价土壤微生物多样性