宽温区MOSFET反型层载流子迁移率的模型和测定方法
The Model and Measurement Method of Inversion Layer Carrier Mobility of MOSFET in the Wide Temperature Range作者机构：东南大学微电子中心南京210096
出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)
年 卷 期：2001年第21卷第4期
页 面：448-452页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
基 金：国家自然科学基金重点项目 (批准号 :6 9736 0 2 0 )
主 题：宽温区 金属-氧化物-半导体场效应晶体管 载流子迁移率
摘 要：首先介绍了宽温区 (2 7～ 30 0°C) MOSFET的阈值电压、泄漏电流和漏源电流的特点以及载流子迁移率的高温模型 ;进而给出了室温下 MOSFET反型层载流子迁移率的测定方法 ,最后提出了利用线性区 I- V特性方程测定宽温区 MOSFET反型层载流子迁移率的方法 。
维普期刊数据库
同方期刊数据库