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溅射偏压对柔性衬底ITO薄膜结构和光电特性的影响

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电子元件与材料 2003年第7期22卷 6-10页

作者：杨田林高绪团韩圣浩山东理工大学物理系山东淄博255049 山东大学物理与微电子学院山东济南250100

用磁控溅射工艺,在柔性衬底上,在不同直流偏压条件下,制备了ITO(氧化铟锡)透明导电膜。最佳直流负偏压为40 V,此时制备的薄膜,其自由载流子霍耳迁移率有最大值为89.3 cm2/(V·s),薄膜的电阻率有最小值为6.3104W·cm,在可见光范围内相对... 详细信息

用磁控溅射工艺,在柔性衬底上,在不同直流偏压条件下,制备了ITO(氧化铟锡)透明导电膜。最佳直流负偏压为40 V,此时制备的薄膜,其自由载流子霍耳迁移率有最大值为89.3 cm2/(V·s),薄膜的电阻率有最小值为6.3104W·cm,在可见光范围内相对透过率为80%左右。X射线衍射谱表明:薄膜为多晶纤锌矿结构,垂直于衬底的c轴具有(222)方向的择优取向,最大晶粒尺寸为55 nm。并重点讨论了薄膜的结构、电学和光学特性与衬底负偏压的关系。

关键词：溅射偏压 ITO薄膜光电特性共振吸收

新型金黄色富硅氮化硅阳光控制膜的制备及性能

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硅酸盐学报 2016年第4期44卷 566-571页

作者：贾绍辉张家震张淮凌杨田林威海中玻镀膜玻璃股份有限公司山东威海264200 山东大学威海分校山东威海264209

采用磁控溅射方法,以纯Si作为靶材,Ar和N_2为溅射气体在3 300 mm宽幅的玻璃基片上制备出大面积均匀的金黄色阳光控制膜。利用X射线衍射、X射线光电子能谱和椭偏仪对不同工艺参数下薄膜的结构、组成和光学参数进行了表征。结果表明:金黄... 详细信息

采用磁控溅射方法,以纯Si作为靶材,Ar和N_2为溅射气体在3 300 mm宽幅的玻璃基片上制备出大面积均匀的金黄色阳光控制膜。利用X射线衍射、X射线光电子能谱和椭偏仪对不同工艺参数下薄膜的结构、组成和光学参数进行了表征。结果表明:金黄色阳光控制膜的主要成分为富硅氮化硅相;溅射功率和溅射气体通过影响薄膜中硅/氮化硅含量比而改变薄膜的外观颜色。优化工艺条件下制备的金黄色阳光控制膜的色度指标为L*=62.4,a*=4.5,b*=31.6,遮阳系数可达0.59,具有良好的装饰和节能效果。

关键词：阳光控制膜氮化硅磁控溅射玻璃基片

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氧分压对铟镓锌氧化物薄膜晶体管性能的影响

人工晶体学报 2014年第12期43卷 3108-3112页

作者：刘媛媛童杨王雪霞王昆仑宋淑梅杨田林山东大学空间科学与物理学院威海264209

室温下,利用射频磁控溅射技术在p型硅衬底上,不同氧分压下制备了铟镓锌氧化物薄膜晶体管(IGZO TFT)。结果表明,不同氧分压的IGZO薄膜呈非晶态;随着氧分压的增大其光学带隙先增大后减小;IGZO TFT场效应迁移率先增大后减小,器件由耗尽型... 详细信息

室温下,利用射频磁控溅射技术在p型硅衬底上,不同氧分压下制备了铟镓锌氧化物薄膜晶体管(IGZO TFT)。结果表明,不同氧分压的IGZO薄膜呈非晶态;随着氧分压的增大其光学带隙先增大后减小;IGZO TFT场效应迁移率先增大后减小,器件由耗尽型转变为增强型。当氧分压为7.47%时,IGZO TFT电学性能最好,场效应迁移率为4.44 cm2/(V·s),亚阈值摆幅的值是2.1 V/decade,电流开关比大于105。

关键词：射频磁控溅射氧分压光学带隙 IGZO TFT

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有机衬底SnO_2掺Sb透明导电膜的制备

太阳能学报 2003年第2期24卷 273-277页

作者：杨田林韩圣浩高绪团杨光德山东理工大学物理系淄博255091 山东大学物理与微电子学院济南250100

采用射频磁控溅射法在有机的柔性衬底上制备出了SnO2 :Sb透明导电膜 ,讨论了薄膜的结构和光电性质对制备条件的依赖关系。制备的样品为多晶薄膜 ,并且保持了二氧化锡的金红石结构。对衬底适当的加热 ,当衬底温度为2 0 0℃时 ,在PI(Polyi... 详细信息

采用射频磁控溅射法在有机的柔性衬底上制备出了SnO2 :Sb透明导电膜 ,讨论了薄膜的结构和光电性质对制备条件的依赖关系。制备的样品为多晶薄膜 ,并且保持了二氧化锡的金红石结构。对衬底适当的加热 ,当衬底温度为2 0 0℃时 ,在PI(Polyisocyanate聚酰亚胺 )胶片上制备出了性能良好的薄膜 ,薄膜相应的自由载流子霍耳迁移率有最大值为 13cm2 /VS ,载流子浓度为 15 .5× 10 19cm-3 ,薄膜的电阻率有最小值 3.7× 10 -3 Ω·cm。在可见光范围内 ,样品的相对透过率为 85

关键词：柔性衬底 SnO2:Sb透明导电膜射频磁控溅射

有机衬底SnO_2:Sb透明导电膜的制备与特性研究

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物理学报 2002年第2期51卷 351-354页

作者：郝晓涛马瑾徐现刚杨莺歌张德恒杨田林马洪磊山东大学物理与微电子学院光电材料与器件研究所济南250100 山东大学晶体材料国家重点实验室济南250100 淄博学院数理系淄博255000

常温下 ,采用射频磁控溅射法在有机的柔性衬底上制备出了SnO2 :Sb透明导电膜 ,并对薄膜的结构和光电性质进行了研究 .制备的样品为多晶薄膜 ,并且保持了二氧化锡的金红石结构 .性能良好的薄膜电阻率为 6 .5× 10 - 3Ω·cm ,载流子浓度... 详细信息

常温下 ,采用射频磁控溅射法在有机的柔性衬底上制备出了SnO2 :Sb透明导电膜 ,并对薄膜的结构和光电性质进行了研究 .制备的样品为多晶薄膜 ,并且保持了二氧化锡的金红石结构 .性能良好的薄膜电阻率为 6 .5× 10 - 3Ω·cm ,载流子浓度为 1.2× 10 2 0 cm- 3 ,霍耳迁移率是 9.7cm2 ·V- 1 ·s- 1 .薄膜在可见光区的平均透过率达到了 85 %.

关键词：柔性衬底 SnO2:Sb透明导电膜射频磁控溅射法制备氧化锡锡光学透过率光电性质结构

衬底温度和溅射偏压对ZnO:Al透明导电膜结构和光电特性的影响

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电子元件与材料 2004年第7期23卷 31-34页

作者：杨田林韩圣浩张鹏王爱芳山东大学威海分校应用物理系山东威海264209

利用射频磁控溅射法在有机薄膜衬底和7059玻璃衬底上制备出了具有良好附着性的低电阻率的 ZnO:Al透明导电膜。研究了薄膜的结构和光电特性与衬底温度的关系,薄膜为多晶纤锌矿结构,垂直于衬底的 c 轴具有[002]方向的择优取向,薄膜的最低... 详细信息

利用射频磁控溅射法在有机薄膜衬底和7059玻璃衬底上制备出了具有良好附着性的低电阻率的 ZnO:Al透明导电膜。研究了薄膜的结构和光电特性与衬底温度的关系,薄膜为多晶纤锌矿结构,垂直于衬底的 c 轴具有[002]方向的择优取向,薄膜的最低电阻率分别为 1.01×10–3ù·cm 和 8.48×10–4ù·cm,在可见光区的平均透过率分别达到了72%和 85%。并研究了溅射偏压对有机衬底 ZnO:Al 薄膜结构及光电特性影响,最佳负偏压为 60 V。

关键词： ZnO:Al薄膜衬底温度溅射偏压膜结构光电性质

高迁移率非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管的制备与特性研究

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物理学报 2013年第7期62卷 405-409页

作者：李帅帅梁朝旭王雪霞李延辉宋淑梅辛艳青杨田林山东大学(威海)空间科学与物理学院威海264209

由于铟镓锌氧化物(IGZO)薄膜具有高迁移率和高透过率的特点,它作为有源层被广泛的应用于薄膜晶体管(TFT).本文利用磁控溅射方法制备了TFT的有源层IGZO和源漏电极,用简单低成本的掩膜法控制沟道的尺寸,制备了具有高迁移率、底栅结构的n... 详细信息

由于铟镓锌氧化物(IGZO)薄膜具有高迁移率和高透过率的特点,它作为有源层被广泛的应用于薄膜晶体管(TFT).本文利用磁控溅射方法制备了TFT的有源层IGZO和源漏电极,用简单低成本的掩膜法控制沟道的尺寸,制备了具有高迁移率、底栅结构的n型非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管(IGZO-TFT).利用X射线衍射仪(XRD)和紫外可见光分光光度计分别测试了IGZO薄膜的衍射图谱和透过率图谱,研究了IGZO薄膜的结构和光学特性.通过测试IGZO-TFT的输出特性和转移特性曲线,讨论了IGZO有源层厚度对IGZO-TFT特性的影响.制备的IGZO-TFT器件的场效应迁移率高达15.6cm2·V-1·s-1,开关比高于107.

关键词：非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管有源层

Cr基及其化合物过渡层对TiCN涂层性能的影响

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中国表面工程 2017年第2期30卷 56-62页

作者：李方正王昆仑赵继凤郑小燕辛艳青杨田林山东大学(威海)空间科学与物理学院山东威海264209

为研究过渡层材料及结构对TiCN涂层性能的影响,设计3种Cr基及其化合物过渡层,利用多弧离子镀技术制备TiCN涂层。膜系分别为Cr/TiCN、Cr/CrN/TiCN和Cr/CrN/CrCN/TiCN。利用SEM、XRD、纳米压痕仪、划痕仪、摩擦磨损试验机和球磨仪对涂层... 详细信息

为研究过渡层材料及结构对TiCN涂层性能的影响,设计3种Cr基及其化合物过渡层,利用多弧离子镀技术制备TiCN涂层。膜系分别为Cr/TiCN、Cr/CrN/TiCN和Cr/CrN/CrCN/TiCN。利用SEM、XRD、纳米压痕仪、划痕仪、摩擦磨损试验机和球磨仪对涂层的微观结构和性能进行表征。结果表明:随着过渡层由单层Cr依次加入CrN和CrCN,涂层原有的柱状晶生长被抑制并最终消除。与具有Ti过渡层的TiCN相比,涂层不再具有明显择优取向,(111)峰强度大大减弱而(200)峰发生宽化。具有CrN和CrCN过渡层的样品硬度和附着力明显高于以单层Cr为过渡层的样品,Cr/CrN/CrCN/TiCN膜系硬度和附着力最高,分别为(30.11±0.34)GPa和(37.21±0.46)N。摩擦磨损试验结果表明:CrCN过渡层的引入显著提升了涂层耐磨性,其对应样品摩擦因数最低,达到0.111,并在球磨测试中表现稳定,而其它膜系均出现不同程度的磨损形貌。

关键词：过渡层 TiCN涂层硬度附着力耐磨性

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基于信息分形的行人轨迹预测方法

电子与信息学报 2024年第2期46卷 527-537页

作者：杨田王钢赖健汪洋哈尔滨工业大学电子与信息工程学院哈尔滨150001 哈尔滨工业大学电子与信息工程学院深圳518055 哈尔滨工业大学智能海洋工程研究院深圳518055

行人轨迹预测应用十分广泛,比如自动驾驶、机器人导航等。在轨迹预测中,一些不确定信息给轨迹预测任务带来了挑战,比如判别器中对轨迹信息判别的不确定,复杂的交互信息。在不确定信息处理科学领域,信息分形能有效处理不确定信息的不确... 详细信息

行人轨迹预测应用十分广泛,比如自动驾驶、机器人导航等。在轨迹预测中,一些不确定信息给轨迹预测任务带来了挑战,比如判别器中对轨迹信息判别的不确定,复杂的交互信息。在不确定信息处理科学领域,信息分形能有效处理不确定信息的不确定性和复杂性。受此启发,为了充分处理判别器中轨迹信息判别的不确定性,提升预测精度,该文提出了基于信息分形的轨迹预测方法。首先,场景信息和历史轨迹信息被特征提取模块提取。然后,通过注意力模块获取到场景-行人之间的交互信息与行人-行人之间的交互信息。最后基于生成对抗网络和信息分形生成合理的轨迹。在两个公共数据集ETH/UCY上实验表明,该方法能有效处理轨迹信息的不确定性,提高轨迹预测的精度。比如突然转弯、从后方超越前人、避让等行为的轨迹都能有效预测。在平均位移误差(ADE)和终点位移误差(FDE)上相比基准模型误差平均降低了11.11%和23.48%。

关键词：行人轨迹预测不确定信息处理信息分形生成对抗网络