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检索条件"作者=杨森祖"
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简易高T_c超导YBaCuO薄膜桥结
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低温与超导 1993年 第3期21卷 37-41页
作者: 戴建国 李元 杨森祖 高燕 郭大元 钱珉 南京大学信息物理系
在ZrO_2.基片上采用DC磁控溅射原位生长得到高Tc超导YBaCuO薄膜,我们通过刻蚀这种薄膜简易地制得薄膜Josephson桥结,其临界温度Tc为83K~90K,在液氮温度下,临界电流Ic与正常态电阻R_N之间的乘积IcR_N为0.2mV~1.6mV不等.一般能观测到8m... 详细信息
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铌膜的反应离子束刻蚀
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南京大学学报(自然科学版) 1992年 第2期28卷 239-242页
作者: 周家槐 杨森祖 吴培亨 张晖 南京大学信息物理系
反应离子束刻蚀(RIE)是制备以铌为上、下电极的SIS结的重要步骤。本方研究了反应气体为CF_4/O_2,阳极和阴极表面材料分别为聚四氟乙烯和石英时的铌及光刻胶的刻蚀情况,测出了氧气含量与铌及光刻胶的刻蚀速率的关系曲线及总溅射气压与铌... 详细信息
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高温超导体厚膜及其在微波无源器件上的若干应用
高温超导体厚膜及其在微波无源器件上的若干应用
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作者: 顾民 杨森祖 南京大学物理系 南京大学电子科学与工程系
系统论述了高温超导体厚膜的概念、制备方法,高温超导体厚膜的特性,介绍了高温超导体厚膜在微波无源器件上的若干应用。
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Eu2CuO4缓冲层和YBCO超导薄膜的制备及研究
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低温物理学报 2003年 第S1期25卷 276-278页
作者: 吴安宁 康琳 孙国柱 杨森祖 吉争鸣 吴培亨 南京大学电子科学与工程系 南京大学电子科学与工程系 南京210093
本文用脉冲激光淀积法在LaAlO3 (1 0 0 )基片上外延生长Eu2 CuO4薄膜缓冲层和YBCO超导薄膜 ,用X射线衍射扫描分析表明ECO薄膜为c轴取向 .
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高Tc超导薄膜颗粒边界的特性研究
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低温物理学报 1995年 第4期17卷 249-252页
作者: 王芄,张晖,康琳,金彪兵,杨森祖,吴培亨,阎少林 南京大学电子科学与工程系,微结构科学技术高等研究中心,南开大学电子学系
我们通过对Y系、T1系颗粒薄膜的研究,用光刻图形技术结合控制化学湿刻的办法制备出边界结构比较单纯的薄膜颗粒边界结,用扫描电镜(SEM)对颗粒边界的形貌和成分进行了分析,测量了这种颗粒边界结的直流特性和高频特性以及微波... 详细信息
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Phonon Characteristics of Polycrystalline Cubic SrTiO3 Thin Films
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Chinese Physics Letters 2003年 第9期20卷 1561-1564页
作者: 杜宇雷 陈光 张明生 杨森祖 DepartmentofMaterialsScienceandEngineering NanjingUniversityofScienceandTechnologyNanjing210094 NationalLaboratoryofSolidStateMicrostructures NanjingUniversityNanjing210093 DepartmentofElectricalScienceandEngineering NanjingUniversityNanjing210093
Polycrystalline SrTiO3 thin films with the cubic perovskite structure were grown on quartz substrates by pulsed laser deposition. The first-order Raman scattering processes, which were forbidden in SrTiO3 single cryst... 详细信息
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准光技术改善Josephson结与毫米波的耦合
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南京大学学报(自然科学版) 1998年 第1期34卷 108-113页
作者: 张新宇 吉争鸣 周军 杨森祖 吴培亨 南京大学电子科学与工程系微结构科学技术高等研究中心
在高温超导Josephson结混频器的研究中,要获得较好的性能指标,结与毫米波源的耦合能力是很重要的参数.研究如何提高这种耦合能力,在实际应用中有着十分重要的意义.为此,我们用准光学原理,设计了LAO介质透镜系统,以... 详细信息
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脉冲激光淀积Ba1-xKxBiO3薄膜
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低温物理学报 1996年 第2期18卷 120-123页
作者: 周军,吉争鸣,杨森祖,吴培亨,刘治国,张世远 南京大学电子科学与工程系,南京大学固体物理微结构实验室,南京大学物理系
我们用熔融法制备了Ba1-xKxBiO3氧化物超导体,其超导转变温度28.5K,零电阻温度25.2K.以此为靶,用脉冲激光淀积技术,制备了Ba1-xKxBiO3超导薄膜,Tc(onset)=24.5K,Tc(R=0)... 详细信息
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无光刻法制备Bi2Sr2CaCu2O8+x单晶内禀结
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低温物理学报 1998年 第5期 49-52页
作者: 靳敏,单文磊,周军,冯一军,杨森祖,吴培亨 南京大学电子科学与工程系微结构科学技术高等研究中心
我们发展了一种简易的、无光刻法制备Bi2Sr2CaCu2O8+x单晶内禀结的新型工艺,制备过程简单,重复性好,成功率高,结面积在20μm×20μm~80μm×80μm之间.同时,我们测量了内禀结的直流I~V特性,得到... 详细信息
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掩模法制备高TcYBa2Cu3O7 Josephson边缘结(英文)
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低温物理学报 1998年 第3期 2-5页
作者: 苏杰,李元,左景萍,周军,吉争鸣,康琳,杨森祖,吴培亨 南京大学电子科学与工程系微结构科学技术高等研究中心
本文利用脉冲激光沉积的定向性和掩模的阴影效应,原位沉积N-YBCO作为势垒层制备了高TcYBa2Cu3O7Josephson边缘结.在60K,微波辐照观察到明显的Shapiro台阶.在Tc附近,Ic∽(1-T/Tc)... 详细信息
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