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过渡材料对等离子喷涂Al_2O_3梯度陶瓷涂层性能影响

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焊接学报 2007年第10期28卷 25-28页

作者：雷阿利李高宏冯拉俊徐大鹏西安理工大学材料科学与工程学院西安710048

针对Al2O3陶瓷涂层结合强度低、孔隙率高的实际,选择NiAl金属间化合物和金属铜粉作为过渡材料,利用等离子喷涂制备Al2O3梯度陶瓷涂层,并对梯度涂层进行组织形貌观察,测试结合强度和孔隙率。结果表明,梯度涂层的组织表现出宏观的不均匀... 详细信息

针对Al2O3陶瓷涂层结合强度低、孔隙率高的实际,选择NiAl金属间化合物和金属铜粉作为过渡材料,利用等离子喷涂制备Al2O3梯度陶瓷涂层,并对梯度涂层进行组织形貌观察,测试结合强度和孔隙率。结果表明,梯度涂层的组织表现出宏观的不均匀性和微观连续性的分布特征,NiAl和Cu是金属基体与Al2O3涂层之间过渡层的理想材料,可以有效地提高涂层的结合强度,而Cu-Al2O3梯度涂层又比NiAl-Al2O3梯度涂层结合强度高;梯度涂层的孔隙率远低于双涂层的孔隙率,在Cu-Al2O3梯度涂层中随AlO含量的增加,涂层的孔隙率降低,而且孔隙率低于NiAl-AlO梯度涂层。

关键词：等离子喷涂梯度涂层 Al2O3陶瓷涂层

等离子喷涂Cu-Al_2O_3梯度涂层的组织与耐磨性分析

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焊接学报 2008年第5期29卷 65-68,116页

作者：雷阿利李高宏冯拉俊董楠西安理工大学材料科学与工程学院西安710048

针对纯陶瓷涂层由于结合强度低、孔隙率高、影响涂层耐磨性的实际,用等离子喷涂法制备了Cu-Al2O3梯度涂层,用电子扫描显微镜(SEM)、金相显微镜等手段对涂层进行微观组织和成分分析,用自制销盘式固定磨料磨损试验机,检测了Cu-Al2O3梯度... 详细信息

针对纯陶瓷涂层由于结合强度低、孔隙率高、影响涂层耐磨性的实际,用等离子喷涂法制备了Cu-Al2O3梯度涂层,用电子扫描显微镜(SEM)、金相显微镜等手段对涂层进行微观组织和成分分析,用自制销盘式固定磨料磨损试验机,检测了Cu-Al2O3梯度涂层的耐磨料磨损性能。结果表明,采用等离子喷涂法制备的Cu-Al2O3梯度涂层无明显的组织突变和宏观层间界面,涂层的组织表现出宏观不均匀性和微观连续性分布特征;梯度涂层中当Al2O3含量(质量分数,%)达到80%时(GC6),涂层的耐磨性最高,约为基体的3倍,随着Al2O3含量继续增大,纯陶瓷涂层(GC7)的耐磨性有所下降。

关键词：等离子喷涂氧化铝陶瓷梯度涂层磨料磨损

Mg含量对原位TiC/Al-4.5Cu复合材料微观组织与拉伸性能的影响

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稀有金属材料与工程 2013年第7期42卷 1377-1381页

作者：梁艳峰董晟全李高宏西安工业大学陕西西安710032

采用接触反应法制备了原位TiC/Al-4.5Cu复合材料,借助光学显微镜、透射电子显微镜研究了向基体合金中添加不同含量的Mg对复合材料微观组织和拉伸性能的影响。结果表明:随着Mg的添加量由0.8%(质量分数,下同)增加到2.0%,TiC/Al-4.5Cu复合... 详细信息

采用接触反应法制备了原位TiC/Al-4.5Cu复合材料,借助光学显微镜、透射电子显微镜研究了向基体合金中添加不同含量的Mg对复合材料微观组织和拉伸性能的影响。结果表明:随着Mg的添加量由0.8%(质量分数,下同)增加到2.0%,TiC/Al-4.5Cu复合材料的延伸率下降,而抗拉强度在1.5%Mg时,达到极值。与同等条件下制备的不含Mg的TiC/Al-4.5Cu复合材料相比,抗拉强度提高了17.7%,但延伸率下降了17.9%。TiC颗粒的细化有助于复合材料力学性能的提高,但针状Al2CuMg相的析出阻碍了复合材料塑性的进一步提高。TiC/Al-4.5Cu-Mg复合材料中TiC颗粒尺寸为100nm左右。

关键词：原位TiC Al—4 5Cu复合材料接触反应法微观组织拉伸性能

TiAl_3相对原位TiC/Al-4.5Cu复合材料高温磨损行为的影响

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稀有金属材料与工程 2017年第12期46卷 3843-3848页

作者：梁艳峰董晟全何子博李高宏西安工业大学陕西西安710021 陕西省光电功能材料与器件重点实验室陕西西安710021

采用接触反应法制备了原位TiC/Al-4.5Cu复合材料,研究了微观组织中TiAl_3相对复合材料100~250℃高温下干摩擦磨损行为的影响。结果表明:高温下原位TiC/Al-4.5Cu复合材料磨损量均随载荷(15~55 N)增加而增加,但含TiAl_3相的复合材料磨损... 详细信息

采用接触反应法制备了原位TiC/Al-4.5Cu复合材料,研究了微观组织中TiAl_3相对复合材料100~250℃高温下干摩擦磨损行为的影响。结果表明:高温下原位TiC/Al-4.5Cu复合材料磨损量均随载荷(15~55 N)增加而增加,但含TiAl_3相的复合材料磨损量始终较高。当载荷大于35 N,复合材料存在一个磨损加剧的临界转变温度;含TiAl_3相的复合材料该临界转变温度较低。TiAl_3相的存在降低了复合材料的耐磨性。

关键词：原位TiC/Al-4.5Cu复合材料接触反应法干摩擦磨损

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结构缺陷对HgI_2晶体光吸收的影响

人工晶体学报 2010年第4期39卷 872-877页

作者：许岗李高宏介万奇西安工业大学材料与化工学院西安710032 西北工业大学材料学院西安710072

为研究HgI2晶体结构缺陷与光吸收的关系,测试了晶体的UV和中红外透过光谱。结果表明,波长约为580nm时,存在着本征吸收限;波长大于580nm时,随波长增加,晶体对光的吸收减小,透过率达到45%以上;在1000～2500nm范围内,UV光谱存在四个明显的... 详细信息

为研究HgI2晶体结构缺陷与光吸收的关系,测试了晶体的UV和中红外透过光谱。结果表明,波长约为580nm时,存在着本征吸收限;波长大于580nm时,随波长增加,晶体对光的吸收减小,透过率达到45%以上;在1000～2500nm范围内,UV光谱存在四个明显的光吸收带,对应的入射光能量分别为0.79±0.01eV,0.72eV,0.57±0.01eV和0.53eV。中红外透过曲线随波长增加而增大,透过率为39%～68%。通过M/HgI2的I～t曲线,采用简单能级模型进一步确认了生长的HgI2晶体存在0.79±0.01eV和0.72eV两个陷阱能级。分析认为,HgI2晶体层间的相对移动形成的结构缺陷造成1572.5nm(0.79±0.01eV)和1729.2nm(0.72eV)处的吸收,晶体缺碘造成2117.5nm(0.57±0.01eV)处的吸收和汞空位造成2305.8nm(0.53eV)的吸收。在中红外波段,晶体结构缺陷造成了显著的晶格吸收。严格控制原料的化学计量比有利于减少HgI2晶体的结构缺陷,提高晶体的光学性能。

关键词：碘化汞结构缺陷自由载流子吸收

HgI_2晶体溅射Au电极与化学镀Au电极的I-V特性

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人工晶体学报 2009年第4期38卷 1008-1011页

作者：许岗介万奇李高宏西北工业大学材料科学与工程学院西安710072 西安工业大学材料与化工学院西安710032

利用Agilent4155型CVIV测试仪测定了分别采用溅射Au和涂敷氯金酸(AuCl3溶液)作为电极材料时HgI2晶体的I-V特性。测试表明,Au/HgI2和AuCl3/HgI2的欧姆接触特性值b分别为0.89和1.06,HgI2晶体的电阻率为109Ω.cm。计算接触电阻Rc的结果表明... 详细信息

利用Agilent4155型CVIV测试仪测定了分别采用溅射Au和涂敷氯金酸(AuCl3溶液)作为电极材料时HgI2晶体的I-V特性。测试表明,Au/HgI2和AuCl3/HgI2的欧姆接触特性值b分别为0.89和1.06,HgI2晶体的电阻率为109Ω.cm。计算接触电阻Rc的结果表明,Au/HgI2与AuCl3/HgI2接触电阻为1.6×107Ω和4.3×106Ω;AuCl3/HgI2更容易产生较低的接触电阻,形成良好的欧姆接触。分析认为AuCl3/HgI2接触中电极本质上是氯金酸分解产生Au单质并形成电极。由于电极制备工艺没有显著影响晶体表面质量,使AuCl3/HgI2具有良好的欧姆接触特性。溅射Au电极在制备工艺中的温度升高和真空度造成晶体表面质量下降,使Au/HgI2欧姆接触特性较差。

关键词：碘化汞 Au AuCl3 接触特性 I-V 特性

进口、国产及准贝氏体铸钢链轨架材料的组织与性能

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机械工程材料 2001年第12期25卷 26-28页

作者：程巨强李高宏詹海春西安工业学院材料科学与工程系陕西西安710032

用金相分析、X射线衍射、扫描电镜及力学性能测试分析了进口、国产及准贝氏体铸钢链轨架材质的组织及力学性能。数据表明 ,准贝氏体铸钢链轨架具有高强、可焊、耐磨等特点。

关键词：链轨架铸钢准贝氏体采煤机组织性能

碘化汞晶体的热处理与探测器性能表征(英文)

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稀有金属材料与工程 2010年第12期39卷 2088-2090页

作者：许岗介万奇李高宏孙晓燕西北工业大学凝固技术国家重点实验室陕西西安710072 西安工业大学陕西西安710032

利用自行设计的垂直两温区晶体生长炉,采用静态升华法生长α-HgI2晶体。经过23d的生长,获得了尺寸约为15mm×12mm×5mm的α-HgI2晶体。通过XRD和4155CVIV电学测试仪表征晶体的相关特性,并对利用该晶体制备的探测器进行核辐射探测性能测... 详细信息

利用自行设计的垂直两温区晶体生长炉,采用静态升华法生长α-HgI2晶体。经过23d的生长,获得了尺寸约为15mm×12mm×5mm的α-HgI2晶体。通过XRD和4155CVIV电学测试仪表征晶体的相关特性,并对利用该晶体制备的探测器进行核辐射探测性能测试。结果表明,生长的α-HgI2晶体富碘。对晶体适宜的加热可以有效减少富碘现象。晶体的电阻率约为1012?.cm。制备的α-HgI2核辐射探测器对未使用准直器的241Am辐射源(59.5keV)在室温下的分辨率为14.6%(8.69keV)。

关键词：碘化汞晶体生长炉热处理核辐射探测器性能表征 energy resolution single crystal performance 241Am gamma ray 自行设计晶体制备性能测试相关特性富碘 results 准直器未使用升华法两温区

SiC_p/Mahle142铝基复合材料的油润滑摩擦磨损性能研究

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铸造 2004年第2期53卷 101-104页

作者：杜卫东李建平郭永春李高宏杨忠杨觉明西安工业学院材料与化工学院陕西西安710032

用液态搅拌法制备了SiCp/Mahle142铝基复合材料,研究了2% 15%SiC/Mahle142铝基复合材料和基体合金Mahle142与球墨铸铁对磨时的油润滑摩擦磨损性能。结果表明,SiCp/Mahle142复合材料的油润滑耐磨性随SiCp体积分数的增加而显著提高,在本... 详细信息

用液态搅拌法制备了SiCp/Mahle142铝基复合材料,研究了2% 15%SiC/Mahle142铝基复合材料和基体合金Mahle142与球墨铸铁对磨时的油润滑摩擦磨损性能。结果表明,SiCp/Mahle142复合材料的油润滑耐磨性随SiCp体积分数的增加而显著提高,在本研究条件下,980N载荷时,15%SiCp/Mahle142铝基复合材料的耐磨性优良,磨损率仅为基体合金的10 3%,而摩擦系数相当;扫描电镜对磨损表面形貌的观察分析表明,SiCp/Mahle142铝基复合材料磨损机制主要表现为磨粒磨损和粘着磨损。

关键词： SiC颗粒铝基复合材料磨粒磨损粘着磨损