碘化汞晶体的热处理与探测器性能表征(英文)

作     者：许岗 介万奇 李高宏 孙晓燕 Xu Gang;Jie Wanqi;Li Gaohong;Sun Xiaoyan

作者机构：西北工业大学凝固技术国家重点实验室陕西西安710072 西安工业大学陕西西安710032 

出 版 物：《稀有金属材料与工程》 (Rare Metal Materials and Engineering)

年 卷 期：2010年第39卷第12期

页      面：2088-2090页

核心收录：

学科分类：07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0703[理学-化学] 0702[理学-物理学] 

基　　金：Xi'an Applied Materials Innovation Funds(XA-AM-200811) 

主　　题：碘化汞 晶体生长炉 热处理 核辐射探测器 性能表征 energy resolution single crystal performance 241Am gamma ray 自行设计 晶体制备 性能测试 相关特性 富碘 results 准直器 未使用 升华法 两温区 

摘      要：利用自行设计的垂直两温区晶体生长炉,采用静态升华法生长α-HgI2晶体。经过23d的生长,获得了尺寸约为15mm×12mm×5mm的α-HgI2晶体。通过XRD和4155CVIV电学测试仪表征晶体的相关特性,并对利用该晶体制备的探测器进行核辐射探测性能测试。结果表明,生长的α-HgI2晶体富碘。对晶体适宜的加热可以有效减少富碘现象。晶体的电阻率约为1012?.cm。制备的α-HgI2核辐射探测器对未使用准直器的241Am辐射源(59.5keV)在室温下的分辨率为14.6%(8.69keV)。