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电阻转变型非挥发性存储器概述

科学通报 2011年第24期56卷 1967-1973页

作者：李颖弢龙世兵吕杭炳刘琦刘肃刘明兰州大学物理科学与技术学院兰州730000 中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术实验室北京100029

随着材料科学以及半导体技术的高速发展,电阻转变型存储器(RRAM)器件由于其具有非挥发特性、高读写速度、低功耗、高集成度、多值存储能力、低成本等优势,引起了人们极大的兴趣并一度成为现阶段研究的热点.和所有产品一样,RRAM器件也需... 详细信息

随着材料科学以及半导体技术的高速发展,电阻转变型存储器(RRAM)器件由于其具有非挥发特性、高读写速度、低功耗、高集成度、多值存储能力、低成本等优势,引起了人们极大的兴趣并一度成为现阶段研究的热点.和所有产品一样,RRAM器件也需要一些性能参数来评判其优缺点.对RRAM器件来说,评判其性能的主要参数包括操作电压、操作速度、电阻比率、耐受性、保持特性、多级存储、器件良率.此外,还对导致RRAM器件发生电阻转变的主要机理,不同电极材料、掺杂以及不同器件结构对电阻转变特性的影响进行了总结.最后,对RRAM存在的主要问题以及研究的重点作了简单评述.

关键词：电阻转变存储器电阻转变特性参数

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阻变存储器无源高密度交叉阵列研究进展

科学通报 2018年第28期63卷 2954-2966页

作者：李晓燕李颖弢高晓平陈传兵韩根亮甘肃省传感器与传感技术重点实验室兰州730000 兰州大学物理科学与技术学院兰州730000

阻变存储器(resistive random access memory, RRAM)以其结构简单、操作速度快、可缩小性好、易三维(3D)集成、与互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor, CMOS)工艺兼容等优势成为下一代非挥发性存储器的有力... 详细信息

阻变存储器(resistive random access memory, RRAM)以其结构简单、操作速度快、可缩小性好、易三维(3D)集成、与互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor, CMOS)工艺兼容等优势成为下一代非挥发性存储器的有力竞争者之一,但基于阻变存储器无源交叉阵列中的交叉串扰问题影响了其实现高密度存储的应用和发展.本文简单介绍了阻变存储器交叉阵列中的串扰现象,详细综述了避免无源交叉阵列串扰的1D1R(one diode one resistor)结构、1S1R(one selector one resistor)结构、背靠背(back to back)结构及具有自整流效应的1R(one resistor)结构.同时,对基于阻变存储器无源交叉阵列实现高密度存储的研究发展趋势以及面临的挑战进行了展望.

关键词：阻变存储器高密度无源交叉阵列交叉串扰

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阻变存储器及其集成技术研究进展

微电子学 2009年第4期39卷 546-551页

作者：左青云刘明龙世兵王琴胡媛刘琦张森王艳李颖弢中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术实验室北京100029

在各种新型非挥发性存储器中,阻变存储器(RRAM)具有成为下一代存储器的潜力。介绍了RRAM器件的基本结构,分类总结了常用的材料以及制备工艺,对RRAM阵列的集成方案进行了比较,并讨论了目前存在的问题;最后,对RRAM的研究趋势进行了展望。

关键词：非挥发性存储器阻变存储器电阻转变

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1T1R结构RRAM的故障可测性设计

半导体技术 2018年第5期43卷 388-393,400页

作者：陈传兵许晓欣李晓燕李颖弢兰州大学物理科学与技术学院微电子研究所兰州730000 中国科学院微电子研究所北京100029

阻变随机存储器（RRAM）中存在的故障严重影响产品的可靠性和良率。采用精确高效的测试方法能有效缩短工艺优化周期,降低测试成本。基于SMIC 28 nm工艺平台,完成了1T1R结构的1 Mbit RRAM模块的流片。详细分析了测试中的故障响应情况,并... 详细信息

阻变随机存储器（RRAM）中存在的故障严重影响产品的可靠性和良率。采用精确高效的测试方法能有效缩短工艺优化周期,降低测试成本。基于SMIC 28 nm工艺平台,完成了1T1R结构的1 Mbit RRAM模块的流片。详细分析了测试中的故障响应情况,并定义了一种故障识别表达式。在March算法的基础上,提出针对RRAM故障的有效测试算法,同时设计了可以定位故障的内建自测试（BIST）电路。仿真结果表明,该测试方案具有占用引脚较少、测试周期较短、故障定位准确、故障覆盖率高的优势。

关键词： 1T1R结构阻变随机存储器(RRAM) 内建自测试(BIST) 故障类型测试算法故障定位

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负电阻的串联及并联方式研究

物理与工程 2022年第1期32卷 47-51页

作者：霍显杰张祎李永刚田力学王方聪李颖弢兰州大学物理科学与技术学院甘肃兰州730000

本文通过改变负电阻连接方式以及接地端的位置,对负电阻的串联与并联方式进行仿真研究,得到了多个基于运算放大器构建的负电阻的串联与并联方式,使负电阻的串联与并联不局限于两个负电阻。该方式可使多个负电阻在串联与并联时表现出与... 详细信息

本文通过改变负电阻连接方式以及接地端的位置,对负电阻的串联与并联方式进行仿真研究,得到了多个基于运算放大器构建的负电阻的串联与并联方式,使负电阻的串联与并联不局限于两个负电阻。该方式可使多个负电阻在串联与并联时表现出与正电阻一样的特性。该研究结果明确了负电阻的串联与并联方式,在电路实验教学和工程实践中具有一定的意义。

关键词：负电阻极性接地端串联与并联方式

Investigation of resistive switching behaviours in WO_3-based RRAM devices

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Chinese Physics B 2011年第1期20卷 589-595页

作者：李颖弢龙世兵吕杭炳刘琦王琴王艳张森连文泰刘肃刘明 Institute of Microelectronics School of Physical Science and TechnologyLanzhou University Laboratory of Nano-Fabrication and Novel Devices Integrated Technology Institute of MicroelectronicsChinese Academy of Sciences

In this paper, a WO3-based resistive random access memory device composed of a thin film of WO3 sandwiched between a copper top and a platinum bottom electrodes is fabricated by electron beam evaporation at room temperature. The reproducible resistive switching, low power consumption, multilevel storage possibility, and good data retention characteristics demonstrate that the Cu/WO3/Pt memory device is very promising for future nonvolatile memory applications. The formation and rupture of localised conductive filaments is suggested to be responsible for the observed resistive switching behaviours.

关键词： resistive random access memory resistive switching nonvolatile WO3

Self-compliance multilevel storage characteristic in HfO_2-based device

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Chinese Physics B 2016年第10期25卷 259-261页

作者：高晓平傅丽萍陈传兵袁鹏李颖弢 Gansu Key Laboratory of Sensor and Sensor Technology Institute of Sensor Technology Gansu Academy of Sciences Cuiying Honors College Lanzhou University School of Physical Science and Technology Lanzhou University

In this paper, the self-compliance bipolar resistive switching characteristic of an HfO-based memory device with Ag/HfO/Au structure for multilevel storage is investigated. By applying a positive voltage, the dual-step set processes corresponding to three stable resistance states are observed in the device. The multilevel switching characteristics can still be observed after 48 hours. In addition, the resistance values of all the three states show negligible degradation over 104 s,which may be useful for the applications in nonvolatile multilevel storage.

关键词： resistive switching resistive random access memory multilevel self-compliance

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漫话物理

LiF作电子注入缓冲层对有机电致发光器件电容的影响(英文)

2019年

作者：张加驰王得印徐远丽李颖弢李慧慧慈志鹏参编

物理是自然科学中最基础的学科。从社会发展的角度看，物理的演变引领着科学的发展，推动着文明的进步，比如：工具（力学）的制作和应用，标志着区别于猿猴的人类的诞生；蒸汽机（热学）的发明推动了人类改造世界能力的飞跃；而现在信... 详细信息

ISBN: (纸本)9787311055820

物理是自然科学中最基础的学科。从社会发展的角度看，物理的演变引领着科学的发展，推动着文明的进步，比如：工具（力学）的制作和应用，标志着区别于猿猴的人类的诞生；蒸汽机（热学）的发明推动了人类改造世界能力的飞跃；而现在信息网络技术（电磁学）的发展又引领着新的社会变革。不仅过去，人类的将来也在很大程度上依赖于物理的发展和应用，所以从国家层面普及物理教育具有重要的社会意义。而从个人发展的角度看，一方面物理与生活紧密相关，学习物理就是在帮助我们更好地认识身边的世界；另一方面，物理学习能很好地培养个人的基本科学素质和理性思维能力。对于个人发展而言，未来无论从事何种职业，学习一些物理都是大有裨益的。

关键词：物理学普及读物

来源：汇雅图书（南通市图书馆... 评论

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汇雅图书（南通市图书馆）

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液晶与显示 2007年第5期22卷 512-515页

作者：李颖弢刘肃王方聪张春林岳红菊兰州大学物理科学与技术学院甘肃兰州730000

已经有多种方法分析了LiF作为电子注入缓冲层对有机电致发光器件的影响,用LiF/Al双层阴极和发光层Alq3制成的有机电致发光器件(OLED),可以降低器件的开启电压,提高器件的发光效率、发光亮度。文章主要对OLEDs(A):Al/Alq3/ITO和(B):Al/Li... 详细信息

已经有多种方法分析了LiF作为电子注入缓冲层对有机电致发光器件的影响,用LiF/Al双层阴极和发光层Alq3制成的有机电致发光器件(OLED),可以降低器件的开启电压,提高器件的发光效率、发光亮度。文章主要对OLEDs(A):Al/Alq3/ITO和(B):Al/LiF(1nm)/Alq3/ITO的C-V特性进行了研究,当在阴极和发光层Alq3之间加上1nm厚的LiF层作为电子注入缓冲层以后,器件的电容由不加LiF时的72500pF减小到12500pF,由于电容的减小,有效地降低了器件的功耗,进而提高了器件的寿命,节约了能源,进一步改善了器件的性能。

关键词： OLEDs LiF 电容