电阻转变型非挥发性存储器概述

作     者：李颖弢 龙世兵 吕杭炳 刘琦 刘肃 刘明 

作者机构：兰州大学物理科学与技术学院兰州730000 中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术实验室北京100029 

出 版 物：《科学通报》 (Chinese Science Bulletin)

年 卷 期：2011年第56卷第24期

页      面：1967-1973页

核心收录：

学科分类：08[工学] 081201[工学-计算机系统结构] 0812[工学-计算机科学与技术（可授工学、理学学位）] 

基　　金：国家重点基础研究发展计划(2010CB934200 2011CBA00602) 国家自然科学基金(60825403 50972160)资助项目 

主　　题：电阻转变存储器 电阻转变 特性参数 

摘      要：随着材料科学以及半导体技术的高速发展,电阻转变型存储器(RRAM)器件由于其具有非挥发特性、高读写速度、低功耗、高集成度、多值存储能力、低成本等优势,引起了人们极大的兴趣并一度成为现阶段研究的热点.和所有产品一样,RRAM器件也需要一些性能参数来评判其优缺点.对RRAM器件来说,评判其性能的主要参数包括操作电压、操作速度、电阻比率、耐受性、保持特性、多级存储、器件良率.此外,还对导致RRAM器件发生电阻转变的主要机理,不同电极材料、掺杂以及不同器件结构对电阻转变特性的影响进行了总结.最后,对RRAM存在的主要问题以及研究的重点作了简单评述.