检索结果-南通市图书馆

水热法制备纳米氧化锆煅烧过程中晶粒生长特性研究（英文）

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稀有金属材料与工程 2017年第4期46卷 899-905页

作者：李飞李雁淮宋忠孝徐可为马大衍高波崔红西安交通大学金属材料强度国家重点实验室陕西西安710049 西安航天复合材料研究所纳米材料及表面技术工程中心陕西西安710025

对水热法制备的纳米氧化锆在不同温度和保温时间条件下进行了煅烧,采用X射线衍射结合全谱模型方法分析了晶粒尺寸和晶粒尺寸分布的变化。结果表明,当煅烧温度在300℃时,纳米氧化锆晶粒开始生长并伴随着晶粒尺寸分布宽化。纳米氧化锆的... 详细信息

对水热法制备的纳米氧化锆在不同温度和保温时间条件下进行了煅烧,采用X射线衍射结合全谱模型方法分析了晶粒尺寸和晶粒尺寸分布的变化。结果表明,当煅烧温度在300℃时,纳米氧化锆晶粒开始生长并伴随着晶粒尺寸分布宽化。纳米氧化锆的晶粒生长速率及晶粒尺寸分布与煅烧温度和保温时间有关。根据分析结果,计算了晶粒生长指数和晶粒生长活化能。讨论了晶粒生长机理,晶粒旋转合并是纳米氧化锆晶粒生长的主要方式。

关键词：纳米氧化锆晶粒生长晶粒尺寸分布晶粒旋转合并

共沉淀纳米YSZ晶体结构演变的全谱拟合分析（英文）

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稀有金属材料与工程 2015年第11期44卷 2716-2720页

作者：李飞李雁淮宋忠孝徐可为张智崔红西安交通大学金属材料强度国家重点实验室陕西西安710049 西安航天复合材料研究所陕西西安710025

采用X射线结合全谱拟合,对共沉淀纳米YSZ制备过程中的晶体结构演变进行了分析。结果表明,四方纳米YSZ的含量与锻烧温度有关;在低锻烧温度下生成的四方纳米YSZ具有错乱的晶格,其晶格参数随锻烧温度的升高而变化,经1200℃锻烧后恢复;四方... 详细信息

采用X射线结合全谱拟合,对共沉淀纳米YSZ制备过程中的晶体结构演变进行了分析。结果表明,四方纳米YSZ的含量与锻烧温度有关;在低锻烧温度下生成的四方纳米YSZ具有错乱的晶格,其晶格参数随锻烧温度的升高而变化,经1200℃锻烧后恢复;四方纳米YSZ的晶粒尺寸随锻烧温度的升高先减小后增大。同时探讨了晶格参数变化的原因并计算了四方纳米YSZ晶粒生长的激活能。

关键词： YSZ 共沉淀晶体结构全谱拟合

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氧化锆空心球粉体制备及其涂层性能研究进展

稀有金属材料与工程 2014年第12期43卷 3183-3187页

作者：李飞李雁淮徐可为宋忠孝张智崔红周莉西安交通大学金属材料强度国家重点实验室陕西西安710049 西安航天复合材料研究所陕西西安710025 中航工业西安航空发动机(集团)有限公司陕西西安710021

粉体是决定等离子喷涂热障涂层性能的基本因素,本文主要介绍了高性能等离子喷涂热障涂层用氧化锆空心球粉体的制备方法及其涂层性能的相关研究。等离子球化和喷雾干燥造粒是制备氧化锆空心球粉体的两种不同方法;氧化锆空心粉体在等离子... 详细信息

粉体是决定等离子喷涂热障涂层性能的基本因素,本文主要介绍了高性能等离子喷涂热障涂层用氧化锆空心球粉体的制备方法及其涂层性能的相关研究。等离子球化和喷雾干燥造粒是制备氧化锆空心球粉体的两种不同方法;氧化锆空心粉体在等离子喷涂过程中更易熔化,并且在熔化后形成空心液滴;空心液滴与基体碰撞铺展过程中存在的"反溅"使其铺展凝固时间更长,形成的扁平粒子直径小,厚度均匀,缺陷少;相对于其它类型粉体,采用氧化锆空心球粉体制备的热障涂层具有适中的孔隙率,低热导率和低模量,抗高温烧结,符合高性能热障涂层的性能要求。

关键词：热障涂层等离子喷涂氧化锆空心球粉体

脉冲电压幅值对等离子体化学气相沉积TiN薄膜膜基结合行为的影响

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金属学报 2000年第1期36卷 77-80页

作者：马胜利李雁淮徐可为西安交通大学金属材料强度国家重点实验室西安710049

用工业型脉冲等离子体化学气相沉积（ＰＣＶＤ）设备、在高速钢（Ｗ１８Ｃｒ４Ｖ）和钴基硬质合金ＳＣ３０基材表面沉积了ＴｉＮ薄膜，用扫描电镜（ＳＥＭ）和连续加载压入仪研究了脉冲电压幅值对膜基结合行为的影响．结果表明随脉冲... 详细信息

用工业型脉冲等离子体化学气相沉积（ＰＣＶＤ）设备、在高速钢（Ｗ１８Ｃｒ４Ｖ）和钴基硬质合金ＳＣ３０基材表面沉积了ＴｉＮ薄膜，用扫描电镜（ＳＥＭ）和连续加载压入仪研究了脉冲电压幅值对膜基结合行为的影响．结果表明随脉冲电压在５５０－７５０Ｖ之间逐渐增大，ＴｉＮ晶粒增大，膜层脆性增加。沉积速率提高、但膜层结合力下降；在６５０Ｖ以下膜基界面有一伪扩散层出现，超过６５０Ｖ后伪扩散层消失，这是改善膜基结合行为的关键因素。

关键词： PCVD 膜基结合力压入法氮化钛薄膜

基于弹塑性滚动接触疲劳法评价硬质薄膜结合强度

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真空科学与技术学报 2015年第11期35卷 1380-1384页

作者：邱龙时朱晓东鲁莎李雁淮徐可为西安交通大学金属材料强度国家重点实验室西安710049

滚动接触疲劳法表征结合强度的剪切应力幅是一个对界面因素敏感,而对非界面因素不敏感的力学参量,能真实反映膜基结合状态,是较为合理的动态结合强度评价方法。但由于应力计算的模型采用弹性力学方法,对膜基结合强度较高而厚度很小的薄... 详细信息

滚动接触疲劳法表征结合强度的剪切应力幅是一个对界面因素敏感,而对非界面因素不敏感的力学参量,能真实反映膜基结合状态,是较为合理的动态结合强度评价方法。但由于应力计算的模型采用弹性力学方法,对膜基结合强度较高而厚度很小的薄膜,往往加大载荷也较难使膜基界面发生分离。本文采用小直径、高弹性模量Al_2O_3球的滚动接触疲劳方式,对高结合强度的硬质薄膜进行评价,并采用有限元方法计算弹塑性变形条件下的应力分布,切应力幅的计算结果具有合理性。改进后的滚动接触疲劳法允许基体发生弹塑性变形,界面切应力大幅度提高,能够在相对较少周次下造成薄膜剥落,失效部位发生于界面,因而更适合于评价结合强度较高的硬质薄膜。

关键词：硬质薄膜结合强度滚动接触疲劳有限元弹塑性

面心立方金属材料压入初期突变现象的位错机制

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表面技术 2020年第1期49卷 94-102页

作者：汪可华宋宝睿涂文静李雁淮王福德陈坚东南大学材料科学与工程学院南京211189 西安交通大学材料科学与工程学院西安710049 首都航天机械有限公司北京100076

接触应力是引发金属构件形变与失效的重要来源之一。为了理解材料的力学行为与失效机制,研究者对接触条件下位错的产生与运动开展了大量研究。然而由于实验技术的限制,对接触初期塑性变形机理的认识仍较为薄弱。近年来得益于原位表征和... 详细信息

接触应力是引发金属构件形变与失效的重要来源之一。为了理解材料的力学行为与失效机制,研究者对接触条件下位错的产生与运动开展了大量研究。然而由于实验技术的限制,对接触初期塑性变形机理的认识仍较为薄弱。近年来得益于原位表征和高测试精度的优点,仪器化纳米压入技术被陆续地应用于研究材料接触初期变形行为,尤其针对面心立方结构(FCC)的金属材料,结合模拟分析与微观表征,大大促进了对相关位错行为的理解。因此,在简要介绍仪器化纳米压入技术的特点、模型及应用的基础之上,首先,介绍了纳米压入接触初期载荷-位移曲线的突变现象,讨论了其与位错行为的关系;其次,重点以面心立方金属材料为对象,从位错萌生和位错运动与反应两个方面分别介绍了二者与突变现象的关系,并结合文献报道,详细讨论了压入过程位错萌生的影响因素,以及位错运动与反应机制;最后,进行了总结和展望,提出借助多种先进实验和模拟方法的交叉使用,将有助于揭示接触条件下的位错行为,从而为仪器化纳米压入技术的发展和理解接触条件下金属材料的变形与失效提供理论基础。

关键词：初期塑性纳米压入载荷-位移曲线位错

Pulsed DC plasma enhanced chemical vapor deposited TiN/Ti(C,N) multilayer coatings

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中国有色金属学会会刊：英文版 2000年第4期10卷 489-492页

作者：马胜利李雁淮南俊马徐可为西安交通大学金属材料强度国家重点实验室陕西西安

TiN single coatings and TiN/Ti(C,N) multilayer coatings deposited on Cr12MoV substrate have been completed by pulsed DC plasma enhanced chemical vapor deposition(PCVD) process. The SEM, XRD and microvicker’s hardness as well as the indentation test were used to study the microstructure and mechanical properties of TiN/Ti(C,N) multilayer coatings. The results show that TiN/Ti(C,N) coatings are fine and have free column structure, and carbon atoms take the place of some nitrogen atoms in Ti(C,N) coatings when lower flow ratio of CH 4 is used. The microvicker’s hardness and interfacial adhesion between TiN/Ti(C,N) coatings and Cr12MoV substrate increases more obviously than that of TiN single hard coatings due to the more dense and free column structure when process is optimized.

关键词： PCVD TiN/Ti(C,N) multilayer coating microstructures properties

准原位透射电镜样品气体处理系统的研制及应用

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电子显微学报 2022年第4期41卷 381-386页

作者：张丹利吴建东李雁淮单智伟西安交通大学金属材料强度国家重点实验室微纳尺度材料行为研究中心陕西西安710049

环境气氛对材料结构与性能的影响是材料领域关注的重要问题。透射电子显微镜是研究材料微观组织结构的重要仪器,目前通过高成本改造电镜腔室可引入气体,但为保证电镜正常工作和仪器的分辨率,可通入气体种类少,腔室气体压力低;原位气氛... 详细信息

环境气氛对材料结构与性能的影响是材料领域关注的重要问题。透射电子显微镜是研究材料微观组织结构的重要仪器,目前通过高成本改造电镜腔室可引入气体,但为保证电镜正常工作和仪器的分辨率,可通入气体种类少,腔室气体压力低;原位气氛样品杆操作难度高、安全系数低、耗材昂贵。本文针对上述问题,研制了一种可以直接插入透射电镜样品杆的气体处理系统及其应用,实现了易于从环境气氛实验向透射电镜观察迁移的准原位功能,它采用不锈钢材质加工而成的真空腔室,可通入更高气压、更多种类的气体,实现样品处理多样化,节省透射电镜使用机时,扩宽了对材料与气体相互作用的研究范围。

关键词：透射电子显微镜气体处理系统准原位

磁控溅射CuCrMo薄膜耐126kV 20kA电弧烧蚀性能

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中国表面工程 2022年第4期35卷 238-247页

作者：苗晓军范艳艳钱旦李雁淮宋忠孝庞亚娟郝留成平高集团有限公司平顶山467001 西安交通大学金属材料强度国家重点实验室西安710049

提升真空断路器CuCr触头的抗电弧烧蚀能力是决定其能否应用于高压真空灭弧室的核心关键,尚未见有效触头材料或表面涂层改性技术使CuCr触头应用于126kV以上真空灭弧室的报道。基于CuCrMo薄膜的优异电气性能,对沉积CuCrMo薄膜的真空灭弧... 详细信息

提升真空断路器CuCr触头的抗电弧烧蚀能力是决定其能否应用于高压真空灭弧室的核心关键,尚未见有效触头材料或表面涂层改性技术使CuCr触头应用于126kV以上真空灭弧室的报道。基于CuCrMo薄膜的优异电气性能,对沉积CuCrMo薄膜的真空灭弧室触头进行126kV下的抗电弧烧蚀研究,并进行开断寿命的工程验证。采用磁控溅射技术在CuCr50真空触头片表面沉积5μm厚的CuCrMo薄膜,对其进行126kV 20kA电流下23次的电寿命试验。利用XRD、SEM和3D共聚焦显微镜研究电弧烧蚀后表面形貌。研究结果表明:沉积CuCrMo薄膜的触头片,在纵向磁场和126kV 20kA条件下可有效分散电弧,较未镀膜触头片有更小电弧电流密度;经过23次电寿命试验后,表面烧蚀程度比未镀膜的触头片轻,表面粗糙度降低,提高了触头的开断寿命。为表面改性真空断路器CuCr触头在高电压大电流真空灭弧室的应用提供了有效工程依据。

关键词：磁控溅射 CuCrMo 电弧烧蚀 126kV真空断路器电寿命