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电荷耦合效应对高耐压沟槽栅极超势垒整流器击穿电压的影响

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物理学报 2021年第6期70卷 229-236页

作者：徐大林王玉琦李新化史同飞中国科学院合肥物质科学研究院固体物理研究所合肥230031 中国科学技术大学合肥230026 安徽建筑大学数理学院合肥230022

通过沟槽结构和可调节的电子势垒,沟槽栅极超势垒整流器可以更为有效地实现通态压降和反向漏电流之间的良好折衷.在高压应用时,电荷耦合效应对于提高该器件的反向承压能力起到了关键作用.本文通过理论模型与器件模拟结果,分析了沟槽深... 详细信息

通过沟槽结构和可调节的电子势垒,沟槽栅极超势垒整流器可以更为有效地实现通态压降和反向漏电流之间的良好折衷.在高压应用时,电荷耦合效应对于提高该器件的反向承压能力起到了关键作用.本文通过理论模型与器件模拟结果,分析了沟槽深度、栅氧厚度和台面宽度等关键参数对电荷耦合作用下二维电场分布的影响,归纳出了提高该器件击穿电压的思路与方法,为器件设计提供了有意义的指导.在此基础上,提出了阶梯栅氧结构,该结构在维持几乎相同击穿电压的同时,使正向导通压降降低51.49%.

关键词：沟槽栅极超势垒整流器电荷耦合效应击穿电压阶梯栅氧

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柠条的营养特性及其在动物生产中的应用

湖南饲料 2018年第2期 41-42页

作者：李新化徐荣湖南农业大学动物科技学院长沙410128

柠条营养物质丰富,粗蛋白含量高,可消化率高,是一种重要的非粮型饲料原料,具有及其重要的饲养价值。本文就柠条的营养特性、在动物生产中的应用、在畜牧业中的应用前景以及小结四个方面进行综述。

关键词：柠条营养特性动物生产应用

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基于PID技术的深能级光离化截面测试方法

Journal of Semiconductors 2008年第8期29卷 1585-1588页

作者：王莹李新化安徽大学电子科学与技术学院合肥230009 中国科学院固体物理研究所材料物理重点实验室合肥230031

在分析GaN中深能级中心与入射光子间相互作用的基础上,提出了一种基于PID(proportional-integral-derivative)技术的深能级中心光离化截面的测试方法.在针对分子束外延生长GaN材料的光离化截面测试中,使用该方法得到的测试结果同Klein... 详细信息

在分析GaN中深能级中心与入射光子间相互作用的基础上,提出了一种基于PID(proportional-integral-derivative)技术的深能级中心光离化截面的测试方法.在针对分子束外延生长GaN材料的光离化截面测试中,使用该方法得到的测试结果同Klein等人报道的HEMTs器件中光离化谱吻合较好,表明基于PID技术的深能级中心光离化截面测试方法能够精确地测试GaN材料中深能级光离化截面.与现有技术相比,该方法的优点是操作方便、测试相对准确,可作为一种缺陷"指纹"鉴定的新方法应用于GaN材料的深能级研究中.

关键词：光离化截面深能级中心 PID

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桑叶多酚提取与体外抗氧化能力研究进展

饲料研究 2019年第2期42卷 68-72页

作者：冯淦熠贺喜杨浩然项轩黄慧李新化曹蓉湖南农业大学动物科学技术学院湖南长沙410128

我国是传统的种桑养蚕大国,桑树广泛分布于全国各地,桑叶资源十分丰富。近年来,桑叶逐渐应用于畜禽生产中,具有提高动物生产性能及饲料转化率、改善动物健康状态等作用。但关于桑叶抗氧化活性成分的提取及其体外抗氧化能力的研究较少,... 详细信息

我国是传统的种桑养蚕大国,桑树广泛分布于全国各地,桑叶资源十分丰富。近年来,桑叶逐渐应用于畜禽生产中,具有提高动物生产性能及饲料转化率、改善动物健康状态等作用。但关于桑叶抗氧化活性成分的提取及其体外抗氧化能力的研究较少,不利于进一步开发利用宝贵的桑叶资源。文章通过对桑叶营养成分和生理功能、多酚类物质的提取方法和体外抗氧化作用等相关研究进行了综述,为开展桑叶体外抗氧化能力测定试验提供一定的技术指导。

关键词：桑叶多酚类物质提取方法抗氧化能力

Excel 2013表格制作、数据处理分析从入门到精通 5

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2016年

作者：鼎新化

本书讲解了Excel 2013表格制作等相关知识与操作技能。全书共分15章，包括Excel电子表格快速入门、工作表与工作簿的管理操作、表格数据的录入与编辑、表格格式的美化与设置、图文表格的制作、表格数据的计算方法、表格数据的排序、筛... 详细信息

ISBN: (数字)9787113215385

ISBN: (纸本)9787113215385

本书讲解了Excel 2013表格制作等相关知识与操作技能。全书共分15章，包括Excel电子表格快速入门、工作表与工作簿的管理操作、表格数据的录入与编辑、表格格式的美化与设置、图文表格的制作、表格数据的计算方法、表格数据的排序、筛选与分类汇总、Excel数据图表与透视图的应用、Excel表格的页面设计与打印操作，以及Excel在相关商务办公应用领域的实战操作等内容。

关键词：表处理软件

来源：畅想之星图书光盘版（南... 评论

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窄带隙半铅锡钙钛矿太阳能电池研究

量子电子学报 2020年第1期37卷 93-98页

作者：倪斌李新化安徽大学物理与材料科学学院安徽合肥230031 中国科学院固体物理研究所安徽合肥230031

半铅锡钙钛矿太阳能电池因具有窄带隙、低毒性的优点,已成为钙钛矿太阳能电池研究的热点.但是铅锡钙钛矿成膜质量差,限制了电池效率的提高.通过在前驱液中加入二甲基亚矶延缓薄膜结晶速率,制备了致密无孔洞的高质量薄膜.同时,使用氟化... 详细信息

半铅锡钙钛矿太阳能电池因具有窄带隙、低毒性的优点,已成为钙钛矿太阳能电池研究的热点.但是铅锡钙钛矿成膜质量差,限制了电池效率的提高.通过在前驱液中加入二甲基亚矶延缓薄膜结晶速率,制备了致密无孔洞的高质量薄膜.同时,使用氟化锡和富勒烯衍生物分别减少了钙钛矿晶格中以及晶界与界面处的缺陷,提高了器件效率.通过上述手段制备的半铅锡钙钛矿太阳能电池效率可达15.1%.

关键词：太阳能电池铅锡钙钛矿形貌改善缺陷钝化

Quantum dots-templated growth of strain-relaxed GaN on a c-plane sapphire by radio-frequency molecular beam epitaxy

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Chinese Physics B 2012年第10期21卷 485-490页

作者：郭浩民文龙赵志飞步绍姜李新化王玉琦 Key Laboratory of Materials Physics Institute of Solid State PhysicsChinese Academy of Sciences

We investigated the quantum dots-templated growth of a（0001） GaN film on a c-plane sapphire substrate.The growth was carried out in a radio-frequency molecular beam epitaxy system.The enlargement and coalescence of grains on the GaN quantum dots template was observed in the atom force microscopy images,as well as the more ideal surface morphology of the GaN epitaxial film on the quantum dots template compared with the one on the AlN buffer.The Ga polarity was confirmed by the reflected high energy electron diffraction patterns and the Raman spectra.The significant strain relaxation in the quantum dots-templated GaN film was calculated based on the Raman spectra and the X-ray rocking curves.Meanwhile,the threading dislocation density in the quantum dots-templated film was estimated to be 7.1×107cm-2,which was significantly suppressed compared with that of the AlN-buffered GaN film.The roomtemperature Hall measurement showed an electron mobility of up to 1860cm2 /V·s in the two-dimensional electron gas at the interface of the Al 0.25Ga0.75 N/GaN heterojunction.

关键词： Ⅲ-V semiconductor radio-frequency molecular beam epitaxy dislocation

Effect of double AlN buffer layer on the qualities of GaN films grown by radio-frequency molecular beam epitaxy

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Chinese Physics B 2008年第4期17卷 1360-1363页

作者：李新化钟飞邱凯尹志军姬长建 Key Laboratory of Material Physics Institute of Solid State PhysicsChinese Academy of Sciences

This paper reports that the GaN thin films with Ga-polarity and high quality were grown by radio-frequency molecular beam epitaxy on sapphire （0001） substrate with a double A1N buffer layer. The buffer layer consists of a high-temperature （HT） A1N layer and a low-temperature （LT） A1N layer grown at 800℃ and 600℃, respectively. It is demonstrated that the HT-A1N layer can result in the growth of GaN epilayer in Ga-polarity and the LT-A1N layer is helpful for the improvement of the epilayer quality. It is observed that the carrier mobility of the GaN epilayer increases from 458 to 858cm^2/V.s at room temperature when the thickness of LT-A1N layer varies from 0 to 20nm. The full width at half maximum of x-ray rocking curves also demonstrates a substantial improvement in the quality of GaN epilavers by the utilization of LT-A1N layer.

关键词： Gallium Nitride buffer layer carrier mobility polarity

羟基磷灰石生物陶瓷粉体制备及其在钛基体上的涂覆

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羟基磷灰石生物陶瓷粉体制备及其在钛基体上的涂覆

作者：李新化合肥工业大学

学位级别：硕士

羟基磷灰石(Ca(PO)(OH)，HAP)生物陶瓷及其复合材料是具有优秀生物活性的医用生物材料，被广泛应用于骨骼的替代和修复。羟基磷灰石粉末的制备是研究羟基磷灰石生物陶瓷材料的基础，本文采用共沉淀法制备羟基磷灰石粉末，在探讨HA... 详细信息

羟基磷灰石(Ca(PO)(OH)，HAP)生物陶瓷及其复合材料是具有优秀生物活性的医用生物材料，被广泛应用于骨骼的替代和修复。羟基磷灰石粉末的制备是研究羟基磷灰石生物陶瓷材料的基础，本文采用共沉淀法制备羟基磷灰石粉末，在探讨HAP前驱体烧结工艺的同时，分析了共沉淀化学反应过程中溶液pH值、反应溶液Ca／P比、溶剂组成对产物的影响，结果表明，在水—乙醇体系中共沉淀化学反应并经700℃热处理2h可以制备出纯净的结晶良好的羟基磷灰石粉末，粉末颗粒直径在40nm左右，分布均匀，化学分析表明，产物粉末的Ca／P物质的量比接近于标准化学计量比1.667。在钛基体上涂覆羟基磷灰石生物陶瓷涂层是当今羟基磷灰石复合材料研究的热点之一，本文选用电沉积工艺(电化学反应+低温碱液处理+热处理)制备羟基磷灰石涂层，探索了电化学反应过程中电流强度，涂层质量随时间的变化关系和电极电位对电化学沉积涂层形貌的影响，结果表明，通过控制电化学反应过程中电极电位和沉积时间可以控制涂层质量，从而间接控制涂层厚度，同时，电沉积工艺能够得到结晶良好，较纯净的多孔羟基磷灰石涂层，然而由于羟基磷灰石涂层与基体之间结合强度较低(5MPa)，本文所采用的电沉积法制备羟基磷灰石生物陶瓷涂层还不能满足人体对植入材料力学性能的要求。

关键词：羟基磷灰石,生物陶瓮,化学计量比,电沉积,复合材料