基于PID技术的深能级光离化截面测试方法
A New Photoionization Cross Section Measurement Technique Based on PID Control作者机构：安徽大学电子科学与技术学院合肥230009 中国科学院固体物理研究所材料物理重点实验室合肥230031
出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报（英文版）)
年 卷 期：2008年第29卷第8期
页 面：1585-1588页
核心收录：
学科分类：08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）]
基 金：安徽省青年教师基金资助项目(批准号:2007jq1021)~~
摘 要：在分析GaN中深能级中心与入射光子间相互作用的基础上,提出了一种基于PID(proportional-integral-derivative)技术的深能级中心光离化截面的测试方法.在针对分子束外延生长GaN材料的光离化截面测试中,使用该方法得到的测试结果同Klein等人报道的HEMTs器件中光离化谱吻合较好,表明基于PID技术的深能级中心光离化截面测试方法能够精确地测试GaN材料中深能级光离化截面.与现有技术相比,该方法的优点是操作方便、测试相对准确,可作为一种缺陷指纹鉴定的新方法应用于GaN材料的深能级研究中.
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