检索结果-南通市图书馆

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

工艺过程对MPP CCD暗电流的影响研究

半导体光电 2010年第1期31卷 93-95页

作者：雷仁方许宏曾武贤李仁豪重庆光电技术研究所重庆400060

采用测试硅材料少子寿命的方法评价了MPPCCD制作工艺中各工艺过程对器件暗电流的影响，然后对CCD的工艺过程进行了优化，并将优化后的工艺过程应用到了1024×1024可见光MPPCCD的工艺制作中。采用优化后的工艺制作的器件暗电流比优化工... 详细信息

采用测试硅材料少子寿命的方法评价了MPPCCD制作工艺中各工艺过程对器件暗电流的影响，然后对CCD的工艺过程进行了优化，并将优化后的工艺过程应用到了1024×1024可见光MPPCCD的工艺制作中。采用优化后的工艺制作的器件暗电流比优化工艺前的下降了50％，典型值为20～30pA／cm2。

关键词： MPP CCD 工艺过程暗电流密度少子寿命

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

拉通型硅基APD保护环工艺研究

半导体光电 2017年第3期38卷 361-364页

作者：李睿智袁安波曾武贤重庆光电技术研究所重庆400060

研究了离子注入后推结与扩散两种掺杂方式制作保护环对拉通型硅基雪崩光电二极管(Si-APD)器件成品率的影响,对比在不同工艺条件下器件反向击穿电压、暗电流的变化情况。研究结果表明,采用离子注入后推结的方式,在注入后3h@1 100℃条件... 详细信息

研究了离子注入后推结与扩散两种掺杂方式制作保护环对拉通型硅基雪崩光电二极管(Si-APD)器件成品率的影响,对比在不同工艺条件下器件反向击穿电压、暗电流的变化情况。研究结果表明,采用离子注入后推结的方式,在注入后3h@1 100℃条件下的成品率为94%;采用扩散掺杂方式,器件成品率不超过65%。两种方式对器件反向击穿电压影响较小且暗电流抑制效果相当。离子注入后推结制备保护环的方式更适合Si-APD制程。

关键词：拉通型Si-APD 保护环离子注入技术扩散技术成品率

溅射参数对Fe-Si化合物的相形成及结构的影响

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

四川师范大学学报：自然科学版 2008年第5期31卷 593-596页

作者：张晋敏谢泉梁艳曾武贤贵州大学电子科学与信息技术学院贵州贵阳550025

对直流磁控溅射方法制备Fe-Si化合物的工艺过程进行了研究.首先通过改变溅射气压,溅射功率和Ar气流量,在Si(100)衬底上沉积约100 nm纯金属Fe膜,随后在真空退火炉中800℃长时间退火形成Fe-Si化合物.由X射线衍射(XRD)对所形成的Fe-Si化合... 详细信息

对直流磁控溅射方法制备Fe-Si化合物的工艺过程进行了研究.首先通过改变溅射气压,溅射功率和Ar气流量,在Si(100)衬底上沉积约100 nm纯金属Fe膜,随后在真空退火炉中800℃长时间退火形成Fe-Si化合物.由X射线衍射(XRD)对所形成的Fe-Si化合物的物相和晶体结构进行分析,给出了一组最优化的溅射工艺参数:溅射Ar气压1.5 Pa,溅射功率100 W,溅射Ar气流量20 SCCM.

关键词：磁控溅射溅射参数 Fe—Si化合物 X-射线衍射晶体结构

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

CCD用透明栅电极的制作

半导体光电 2010年第5期31卷 732-735页

作者：李华高赵梁博邓涛曾武贤向华兵熊玲重庆光电技术研究所重庆400060 天津工业大学信息与通信工程学院天津300160

采用反应溅射法制备了ITO透明导电薄膜材料,薄膜电阻率为2.59×10-4Ω·cm,可见光透过率可达90%;通过优化光刻工艺条件,选择合适的ITO薄膜刻蚀液,完成了ITO透明栅电极的制作;使用ITO透明电极代替其中一相多晶硅电极,制作的CCD图像传感器... 详细信息

采用反应溅射法制备了ITO透明导电薄膜材料,薄膜电阻率为2.59×10-4Ω·cm,可见光透过率可达90%;通过优化光刻工艺条件,选择合适的ITO薄膜刻蚀液,完成了ITO透明栅电极的制作;使用ITO透明电极代替其中一相多晶硅电极,制作的CCD图像传感器,其蓝光响应明显增加。

关键词： ITO薄膜透明栅电极 CCD

激光扫描磁控溅射Fe/Si膜直接形成α-FeSi_2

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

功能材料 2008年第7期39卷 1087-1090页

作者：张晋敏谢泉余平张勇肖清泉杨子义梁艳曾武贤贵州大学电子科学与信息技术学院贵州贵阳550025

用直流磁控溅射方法分别在室温及不同温度的Si(100)衬底上沉积Fe膜,随后采用脉冲激光扫描进行退火,X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)表征了激光扫描对薄膜结晶性质和表面显微结构的影响。测量结果证实直接形成了Fe-Si化合物系的富... 详细信息

用直流磁控溅射方法分别在室温及不同温度的Si(100)衬底上沉积Fe膜,随后采用脉冲激光扫描进行退火,X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)表征了激光扫描对薄膜结晶性质和表面显微结构的影响。测量结果证实直接形成了Fe-Si化合物系的富硅高温相-αFeSi2,室温沉积样品的结晶性质随激光能量密度的增加而提高;反应沉积样品的结晶性质随衬底温度升高而提高。

关键词：磁控溅射激光扫描退火结晶性质显微结构

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

长线阵CCD光敏区铝剥离技术

半导体光电 2010年第6期31卷 858-860,863页

作者：曾武贤张振宇廖乃镘钟玉杰袁安波重庆光电技术研究所重庆400060

介绍了去除长线阵CCD光敏区中金属的两种方法,即湿法腐蚀和剥离,并比较了两者的优劣。分析了曝光和显影时间对剥离图形的影响,比较了在金属化过程中溅射和蒸发对剥离效果的影响。通过优化工艺参数,实现了长线阵CCD光敏区的铝剥离,剥离... 详细信息

介绍了去除长线阵CCD光敏区中金属的两种方法,即湿法腐蚀和剥离,并比较了两者的优劣。分析了曝光和显影时间对剥离图形的影响,比较了在金属化过程中溅射和蒸发对剥离效果的影响。通过优化工艺参数,实现了长线阵CCD光敏区的铝剥离,剥离后光敏区长度为8cm,宽度平均值为6.2μm,线宽均匀性为98.5%。

关键词： CCD 剥离显影均匀性

铁硅化合物β-FeSi_2带间光学跃迁的理论研究

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

Journal of Semiconductors 2007年第9期28卷 1381-1387页

作者：闫万珺谢泉张晋敏肖清泉梁艳曾武贤贵州大学电子科学与信息技术学院贵阳550025

采用基于第一性原理的赝势平面波方法系统地计算了β-FeSi2基态的几何结构、能带结构和光学性质.能带结构计算表明β-FeSi2属于一种准直接带隙半导体,禁带宽度为0.74eV;其能态密度主要由Fe的3d层电子和Si的3p层电子的能态密度决定;利用... 详细信息

采用基于第一性原理的赝势平面波方法系统地计算了β-FeSi2基态的几何结构、能带结构和光学性质.能带结构计算表明β-FeSi2属于一种准直接带隙半导体,禁带宽度为0.74eV;其能态密度主要由Fe的3d层电子和Si的3p层电子的能态密度决定;利用计算的能带结构和态密度分析了带间跃迁占主导地位的β-FeSi2材料的介电函数、反射谱、折射率以及消光系数等光学性质计算结果,复介电函数的计算结果表明β-FeSi2具有各向异性的性质;吸收系数最大峰值为2.67×105cm-1.

关键词： β-FeSi2 电子结构光学特性

γ射线辐照对探测器的SiO_(2)-Si_(3)N_(4)复合栅界面和暗电流的影响

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

集成电路应用 2022年第4期39卷 4-7页

作者：曾武贤钟玉杰重庆光电技术研究所重庆400060

分析表明,利用γ射线对SiO_(2)-Si_(3)N_(4)复合栅进行辐照,通过C-V曲线测试发现,经过γ射线辐照,C-V曲线向负方向漂移,C-V曲线整体抬高,平带电压向负方向漂移,界面态增大。辐照后CCD器件的暗电流变大,通过γ射线辐照对CCD的Si-SiO_(2)... 详细信息

分析表明,利用γ射线对SiO_(2)-Si_(3)N_(4)复合栅进行辐照,通过C-V曲线测试发现,经过γ射线辐照,C-V曲线向负方向漂移,C-V曲线整体抬高,平带电压向负方向漂移,界面态增大。辐照后CCD器件的暗电流变大,通过γ射线辐照对CCD的Si-SiO_(2)界面产生损伤的机理分析,发现辐照后器件暗电流的增加主要是辐照后栅氧化层中产生的感生界面态电荷和场氧化层中产生大量的复合中心引起。辐照后CCD暗电流的变化和SiO_(2)-Si_(3)N_(4)复合栅界面的变化原因相同,SiO_(2)-Si_(3)N_(4)复合栅界面的变化导致了CCD暗电流发生了变化。

关键词：集成电路 γ射线 Si-SiO_(2)界面 CCD 辐射损伤

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

高响应905nm硅雪崩光电二极管设计

电子技术（上海） 2021年第1期50卷 4-7页

作者：曾武贤钟玉杰黄烈云重庆光电技术研究所重庆400060

阐述n+-p-π-p+外平面结构APD的工作原理和设计考虑,其感光面积为0.2~0.8mm。这些光电二极管被优化用于检测905nm辐射,并在该范围内实现了优异的参数-高增益、低噪声、高检测率。

关键词：硅雪崩光电二极管 n+-p-π-p+结构响应度