拉通型硅基APD保护环工艺研究
Study on Guard-ring Process of Silicon Reach-through APD作者机构：重庆光电技术研究所重庆400060
出 版 物：《半导体光电》 (Semiconductor Optoelectronics)
年 卷 期：2017年第38卷第3期
页 面：361-364页
学科分类：0808[工学-电气工程] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 0803[工学-光学工程]
主 题：拉通型Si-APD 保护环 离子注入技术 扩散技术 成品率
摘 要：研究了离子注入后推结与扩散两种掺杂方式制作保护环对拉通型硅基雪崩光电二极管(Si-APD)器件成品率的影响,对比在不同工艺条件下器件反向击穿电压、暗电流的变化情况。研究结果表明,采用离子注入后推结的方式,在注入后3h@1 100℃条件下的成品率为94%;采用扩散掺杂方式,器件成品率不超过65%。两种方式对器件反向击穿电压影响较小且暗电流抑制效果相当。离子注入后推结制备保护环的方式更适合Si-APD制程。
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