检索结果-南通市图书馆

铒掺杂富硅热氧化SiO_2/Si发光薄膜的显微结构

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光谱学与光谱分析 2001年第6期21卷 758-762页

作者：徐飞肖志松程国安易仲珍曾宇昕张通和顾岚岚复旦大学应用物理表面国家重点实验室上海200433 北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室南昌大学材料科学与工程系江西南昌330047

利用金属蒸气真空弧 (MEVVA)离子源将稀土元素Er离子掺杂到富硅热氧化SiO2 /Si薄膜中。卢瑟福背散射 (RBS)和X 射线电子能谱仪 (XPS)分析表明 ,Er浓度可达原子百分数 (x)～ 10 ,即Er的原子体浓度为～ 10 2 1·cm-3 。XPS研究发现 ,随着S... 详细信息

利用金属蒸气真空弧 (MEVVA)离子源将稀土元素Er离子掺杂到富硅热氧化SiO2 /Si薄膜中。卢瑟福背散射 (RBS)和X 射线电子能谱仪 (XPS)分析表明 ,Er浓度可达原子百分数 (x)～ 10 ,即Er的原子体浓度为～ 10 2 1·cm-3 。XPS研究发现 ,随着Si注量增大 ,退火态样品表面硅含量增多 ,热氧化硅含量减少。反射式高能电子衍射 (RHEED)和原子灵敏度因子法 (AFM)研究表明 ,样品表面没有大量Er析出或铒硅化物形成 ,退火后表层中Si外延再生长、有针状微晶硅颗粒形成。在 77K及室温下 ,研究了Er掺杂富硅热氧化SiO2 /Si薄膜的近红外区 1 5

关键词： MEVVA离子源半导体薄膜铒光致发光显微结构掺杂 SiO2/Si发光薄膜富硅氧化硅光谱

退火温度对掺铒硅1.54μm光致发光的影响

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核技术 2002年第8期25卷 631-636页

作者：徐飞肖志松程国安易仲珍曾宇昕张通和顾岚岚复旦大学应用表面物理国家重点实验室南昌大学材料科学与工程系北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室北京师范大学低能核物理研究所北京市辐射中心北京100875

利用金属蒸气真空弧 (MEVVA)离子源将稀土金属Er离子注入单晶硅中 ,经快速退火制备出掺铒硅发光薄膜。RBS分析表明掺铒硅的浓度接近 10at% ,即可达 10 2 1cm- 3量级。XRD分析薄膜物相结构发现 ,退火温度升高将导致Er偏析。通过RHEED和AF... 详细信息

利用金属蒸气真空弧 (MEVVA)离子源将稀土金属Er离子注入单晶硅中 ,经快速退火制备出掺铒硅发光薄膜。RBS分析表明掺铒硅的浓度接近 10at% ,即可达 10 2 1cm- 3量级。XRD分析薄膜物相结构发现 ,退火温度升高将导致Er偏析。通过RHEED和AFM显微分析可得 ,退火温度影响辐照损伤的恢复程度、Si固相外延再结晶和显微形貌。这些结构变化将影响掺铒硅发光薄膜1.5 4μm光致发光。

关键词：退火温度离子注入掺铒硅快速退火光致发光半导体材料结构发光薄膜发光材料

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塑封高压硅堆成品管内部结构测试分析

南昌大学学报（理科版） 2002年第1期26卷 57-60页

作者：王水凤曾宇昕刘南生南昌大学物理学系江西南昌330047 南昌大学材料科学与工程系江西南昌330047

针对塑封高压硅堆反向特性差的问题 ,采用“显微剖析”技术和“紫外荧光无损检测”(UVF)技术 ,对样管的内部结构及原材料进行测试分析 ,并与进口样管内部结构进行比较 ,找出了国产样管不足之处。

关键词：塑封高压硅堆成品管内部结构显微剖析紫外荧光无损检测半导体芯片晶体管

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MEVVA源离子注入合成钕硅化物的研究

南昌大学学报（理科版） 2002年第3期26卷 259-261页

作者：王水凤曾宇昕程国安徐飞南昌大学物理学系江西南昌330047 南昌大学材料科学与工程系江西南昌330047 北京师范大学低能物理所教育部射线束材料工程开放实验室北京100875 复旦大学应用物理表面国家重点实验室上海200433

用MEVVA离子源将稀土Nd离子注入到硅基片中 ,可以合成出性能良好的钕硅化合物。用电子显微镜和X射线衍射对样品进行了观测 ,随着退火温度的升高 ,注入层的薄层方块电阻R□ 显著下降 ,注入层形成Nd5Si4 和NdSi两种硅化钕相 ,并逐渐向NdS... 详细信息

用MEVVA离子源将稀土Nd离子注入到硅基片中 ,可以合成出性能良好的钕硅化合物。用电子显微镜和X射线衍射对样品进行了观测 ,随着退火温度的升高 ,注入层的薄层方块电阻R□ 显著下降 ,注入层形成Nd5Si4 和NdSi两种硅化钕相 ,并逐渐向NdSi相转变。

关键词： MEVVA源离子注入钕硅化物结构集成电路离子束工艺结晶性能导电性

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能级填充对量子阱光学性质的影响

物理学报 2004年第12期53卷 4334-4340页

作者：朱莉郑厚植谭平恒周霞姬扬杨富华李桂荣曾宇昕四川大学物理科学与技术学院成都610064 中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室北京100083

在特殊设计的三势垒双势阱结构中 ,利用来自发射极的电子注入和电子向收集极的共振隧穿逃逸调控量子阱不同子能级上的填充状态 ,发现激发态上的电子占据起抑制量子限制Stark效应的作用 .在极低偏压下 ,量子阱中少量过剩电子诱发了用简... 详细信息

在特殊设计的三势垒双势阱结构中 ,利用来自发射极的电子注入和电子向收集极的共振隧穿逃逸调控量子阱不同子能级上的填充状态 ,发现激发态上的电子占据起抑制量子限制Stark效应的作用 .在极低偏压下 ,量子阱中少量过剩电子诱发了用简单带—带跃迁无法解释的光致发光光谱行为 .

关键词：能级量子阱双势阱激发态电子注入 Stark效应光学性质发射极共振隧穿光致发光光谱

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区间隧道注浆施工技术要点分析

四川建材 2018年第3期44卷 113-114页

作者：曾宇昕中铁四局集团第五工程有限公司江西九江332000

通过应用悬浊液型浆液和溶液型浆液,有利于解决地基处理问题。本文首先对WSS注浆施工技术的原理进行了介绍,然后以蔡塘站区间隧道工程作为研究对象,对区间隧道注浆施工技术要点进行详细探究,可为类似工程提供借鉴。

关键词：隧道注浆注浆孔布置 WSS双液注浆

临湖富水地层深基坑开挖力学响应及稳定性分析

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城市建设理论研究(电子版) 2023年第28期 124-126页

作者：曾宇昕中铁四局集团第五工程有限公司

以某富水地层桩锚支护结构深基坑为工程背景，基于岩土有限元程序Plaxis建立数值计算模型，对基坑分层开挖与支护进行模拟，研究了基坑开挖引起的支护结构力学响应规律，揭示了基坑整体失稳破坏规律。研究表明：围护桩最大弯矩出现在当... 详细信息

以某富水地层桩锚支护结构深基坑为工程背景，基于岩土有限元程序Plaxis建立数值计算模型，对基坑分层开挖与支护进行模拟，研究了基坑开挖引起的支护结构力学响应规律，揭示了基坑整体失稳破坏规律。研究表明：围护桩最大弯矩出现在当基坑开挖至8m时，最大弯矩为135.9kN·m/m，而桩体水平最大位移为当基坑开挖至11.75m时，最大位移为8.3mm，当基坑开挖至11.75m时，安全系数最小为1.53，基坑土体沿围护桩桩底上一点发生整体滑动，因土层为砂性土，滑动面近似为平面．整体失稳滑动面大致为过桩底切桩滑弧。

关键词：富水地层深基坑桩锚支护力学响应基坑稳定性

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临湖地埋水厂大跨度结构精细化控制施工技术

城市建设理论研究(电子版) 2023年第29期 140-142页

作者：曾宇昕中铁四局集团第五工程有限公司

为了解决临湖地埋式水厂大跨度结构精细化控制施工技术相关研究较少的问题，本文依托松山湖水厂工程，从施工技术难点、模板工程、预应力管道施工、混凝土工程、预应力工程等方面重点介绍临湖地埋式水厂大跨度结构精细化控制施工技术要... 详细信息

为了解决临湖地埋式水厂大跨度结构精细化控制施工技术相关研究较少的问题，本文依托松山湖水厂工程，从施工技术难点、模板工程、预应力管道施工、混凝土工程、预应力工程等方面重点介绍临湖地埋式水厂大跨度结构精细化控制施工技术要点。研究表明，在选择张拉设备时，应该充分考虑施工空间和预应力张拉的大小；对于特殊结构的异形梁，应特别设计以确保梁体结点的外形尺寸；而在大跨度砼灌筑中，应该采取纵向分段、水平分层，从一端开始，逐步向另一端施工的方法。

关键词：地埋水厂施工技术精细化控制大跨度结构

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稀土Nd,Ce掺杂硅基薄膜光致发光特性

发光学报 2002年第3期23卷 291-295页

作者：元美玲刘南生王水凤曾宇昕汪庆年南昌大学物理系江西南昌330047 南昌大学材料科学工程系江西南昌330047 南昌大学电气与自动化工程学院江西南昌330029

测量了Nd ,Ce稀土离子注入Si基晶片 ,在不同离子注入剂量、不同退火条件下的室温光致发光 (PL)谱 ,结果表明它们均具有蓝、紫发光峰 ,且发光稳定。在一定范围内发光效率随掺杂浓度的增加而增大 ,随退火条件的不同而改变。运用原子力显微... 详细信息

测量了Nd ,Ce稀土离子注入Si基晶片 ,在不同离子注入剂量、不同退火条件下的室温光致发光 (PL)谱 ,结果表明它们均具有蓝、紫发光峰 ,且发光稳定。在一定范围内发光效率随掺杂浓度的增加而增大 ,随退火条件的不同而改变。运用原子力显微镜 (AFM )对样品的表面形貌进行了观察 ,结果显示 ,样品表面颗粒大小、粗糙度将影响其发光效率。表面颗粒大小均匀 ,均方根粗糙度小的样品发光效率较高。通过对样品的卢瑟福背散射 (RBS)能谱测量 ,对样品的表面结构进行了探讨 ,并讨论了表面结构与光致发光特性之间的联系。对样品的发光机理作了初步探讨。

关键词： Ce掺杂硅基薄膜光致发光特性稀土掺杂离子注入 SiO2薄膜表面形貌表面结构钕掺杂铈掺杂 Nd掺杂硅基发光二极管