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检索条件"作者=戴永兵"
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淬火制备非晶硅的分子动力学模拟研究
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压电与声光 1998年 第4期20卷 267-271页
作者: 戴永兵 徐重阳 李兴教 华中理工大学固体电子学系
在微机上用分子动力学方法模拟了熔Si淬火制备a-Si的过程。硅原子间的相互作用势采用Stilinger-Weber势。受计算量的约束,淬火速度一般很高,此时采用这种势无法直接从熔Si得到a-Si。本文作者采用1000... 详细信息
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硼磷共掺杂n型金刚石薄膜的Hall效应、红外光谱和EPR研究
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无机材料学报 2004年 第4期19卷 895-901页
作者: 胡晓君 李荣斌 沈荷生 戴永兵 何贤昶 上海交通大学金属基复合材料国家重点实验室 上海200030
用离子注入方法,在CVD金刚石薄膜中共注入硼离子和磷离子,得到了电阻率较低的n型金刚石薄膜。Hall效应测试表明,800℃退火后,在注入的磷离子剂量相同的情况下,共注入硼的金刚石薄膜的载流子浓度与单一掺磷的相近,但Hall迁移率高,电阻率... 详细信息
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空位在金刚石近(001)表面扩散的分子动力学模拟
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物理学报 2002年 第6期51卷 1388-1392页
作者: 胡晓君 戴永兵 何贤昶 沈荷生 李荣斌 上海交通大学金属基复合材料国家重点实验室 上海200030
用分子动力学方法模拟了空位在金刚石近 (0 0 1)表面的扩散过程 ,研究了温度对空位扩散的影响 .结果表明 ,当温度为 10 0 0K左右时 ,位于近表面第二层上的空位开始向表面运动 ;当温度在 140 0— 2 0 0 0K时 ,空位完全扩散到表面 .这与... 详细信息
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从头计算方法比较TiSi_2的C54相和C49相
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物理化学学报 2004年 第12期20卷 1423-1427页
作者: 汪涛 戴永兵 欧阳斯可 沈荷生 王庆康 吴建生 上海交通大学微纳米科学技术研究院 上海交通大学材料科学与工程学院 上海200030
采用平面波超软赝势描述多电子体系,利用密度泛函理论和广义梯度近似,计算出C54相和C49相TiSi2的晶格常数、体弹性模量、形成能、电子态密度(DOS)和Mulliken电荷布居等性质.通过比较这两种物质的性质,发现尽管两者形成能很相近,但C49相... 详细信息
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In situ study on columnar-equiaxed transition and anaxial columnar dendrite growth of Al-15%Cu alloy by synchrotron radiography
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Transactions of Nonferrous Metals Society of China 2014年 第7期24卷 2112-2116页
作者: 李发国 东青 张佼 戴永兵 付亚楠 谢红兰 尹付成 孙宝德 上海交通大学上海先进高温材料及精密成型重点实验室 上海200240 中国科学院上海应用物理所 上海201800 湘潭大学机械工程学院 湘潭411105 上海交通大学金属基复合材料国家重点实验室 上海200240
Directional solidification of Al-15% (mass fraction) Cu alloy was investigated by in situ and real time radiography which was performed by Shanghai synchrotron radiation facility (SSRF). The imaging results reveal... 详细信息
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准分子激光诱导下 a-Si : H 膜的电导率异常
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华中理工大学学报 1998年 第3期26卷 5-7页
作者: 戴永兵 徐重阳 李兴教 安承武 华中理工大学电子科学与技术系 华中理工大学激光技术与工程研究院
用XeCl准分子激光器对a-Si∶H薄膜进行了低能量密度下的辐照处理,测量了激光辐照区内薄膜的电导率随能量密度与脉冲数的变化.研究表明,能量密度在75mJ/cm2附近的激光辐照可导致膜的电导率大幅度升高,这种电导率异... 详细信息
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新中国七十周年赋(回文赋)
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中华辞赋 2019年 第11期 6-8页
作者: 戴永兵 句容市作家协会 句容市诗词楹联协会
汤彝夏鼎,绵瓞启而山河固;夔乐周书,典礼清而圣德昭。匡社稷而定乾坤,文修武偃;承轨度而镂盘铭,殿舜宫尧。桑蚕织匹,糵曲酿酒;结绳记事,舍建有巢。泱泱大国,亿万龄之延祚;晏晏河陆,千百国之来朝。祥化草木,溯之秦汉晋唐,宋元明清而后嗣... 详细信息
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硼注入金刚石的分子动力学模拟
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上海交通大学学报 2003年 第10期37卷 1513-1516页
作者: 李荣斌 戴永兵 胡晓君 沈荷生 何贤昶 上海交通大学金属基复合材料国家重点实验室 上海200030
利用Tersoff势和分子动力学方法研究了初始动能为500eV的硼粒子注入金刚石的微观行为.结果表明:单个500eV的硼原子注入后金刚石仍保持长程有序结构;表面层原子向内驰豫,邻近表达层的其他各层原子向外驰豫,表面层与近表层原子的间距减少... 详细信息
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液态Ni-Ta二元合金体系的从头算分子动力学模拟
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热加工工艺 2013年 第22期42卷 63-68页
作者: 张振雷 马建波 戴永兵 张佼 王俊 孙宝德 上海交通大学金属基复合材料国家重点实验室 上海200240
运用从头算分子动力学法模拟了Ni-Ta二元合金体系的熔体特性,得到了它们的双体分布函数、键角分布函数及键对等结构信息和体系各原子的扩散系数。结果表明,随着Ta原子在Ni熔体中的含量增加,体系结构逐渐发生变化,由二十面体占优的5轴对... 详细信息
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低电阻率硼硫共掺杂金刚石薄膜的制备
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Journal of Semiconductors 2004年 第8期25卷 976-980页
作者: 胡晓君 李荣斌 沈荷生 戴永兵 何贤昶 上海交通大学金属基复合材料国家重点实验室 上海200030
利用微波气相沉积方法制备了低电阻率的 n型硫掺杂和硼硫共掺杂金刚石薄膜 .质子激发 X射线荧光测试表明硼硫共掺杂方法能够提高硫在金刚石中的溶解度 ;扫描电镜和 Raman光谱的分析结果表明掺杂金刚石薄膜的晶粒较完整 ,薄膜中存在较多... 详细信息
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