准分子激光诱导下 a-Si : H 膜的电导率异常
Conductivity Anomaly of a Si∶H Films under the Induction of Excimer Laser of Low Energy Density作者机构：华中理工大学电子科学与技术系 华中理工大学激光技术与工程研究院
出 版 物：《华中理工大学学报》 (Journal of Huazhong University of Science and Technology)
年 卷 期：1998年第26卷第3期
页 面：5-7页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
摘 要：用ＸｅＣｌ准分子激光器对ａ－Ｓｉ∶Ｈ薄膜进行了低能量密度下的辐照处理，测量了激光辐照区内薄膜的电导率随能量密度与脉冲数的变化．研究表明，能量密度在７５ｍＪ／ｃｍ２附近的激光辐照可导致膜的电导率大幅度升高，这种电导率异常是膜表层形成了ｎｍＳｉ晶粒分散于ａ－Ｓｉ∶Ｈ基底中的混合相的反映．
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