检索结果-南通市图书馆

Growth and Characteristics of Freestanding Hemispherical Diamond Films by Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition

同方学位论文库评论

在线全文

同方学位论文库

学校读者我要写书评

暂无评论

Chinese Physics Letters 2010年第4期27卷 223-226页

作者：王启亮吕宪义李柳暗成绍恒李红东 State Key Laboratory of Superhard Materials Jilin University Changchun 130012

Freestanding hemispherical diamond films have been fabricated by microwave plasma chemical vapor deposition using graphite and molybdenum （Mo） as substrates. Characterized by Raman spectroscopy and scanning electron microscopy, the crystalline quality of the films deposited on Mo is higher than that on graphite, which is attributed to the difference in intrinsic properties of the two substrates. By decreasing the methane concentration, the diamond films grown on the Mo substrate vary from black to white, and the optical transparency is enhanced. After polishing the growth side, the diamond films show an infrared transmittance of 35-60% in the range 400-4000 cm^- 1.

关键词： Condensed matter: electrical magnetic and optical Surfaces interfaces and thin films Plasma physics

Boron-Doped Diamond-Film-Based Two-Dimensional Electrode of Electrophoresis Tank

维普期刊数据库评论

在线全文

维普期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

Chinese Physics Letters 2016年第11期33卷 120-123页

作者：刘钧松李航孙博文丁战辉王启亮成绍恒李红东 State Key Lab of Superhard Materials College of PhysicsJilin University

Chemically robust conductive p-type boron-doped diamond （BDD） films are an important electrode material and have been widely applied in electrochemistry. In this study, BDD films are taken as a two-dimensional （2D） electrode in a eleetrophoresis tank system instead of the conventional one-dimensional platinum wire electrode. The theoretical simulations by finite element numerical analysis reveal that the 2D BDD electrodes have relatively high intensity and uniformity of electric field in the tank. Experimentally, the 2D BDD electrodes with smaller size show excellent properties for the separation of DNA fragments. The advantages of the 2D BDD electrodes with chemical inertness, sustainability, high intensity and uniformity electronic field, as well as reduced small size of electrophoresis tank would open a possibility for realizing new generation, high-performance biological devices.

关键词： of in on it is as Boron-Doped Diamond-Film-Based Two-Dimensional Electrode of Electrophoresis Tank BDD

High-Rate Growth and Nitrogen Distribution in Homoepitaxial Chemical Vapour Deposited Single-crystal Diamond

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

Chinese Physics Letters 2008年第5期25卷 1803-1806页

作者：李红东邹广田王启亮成绍恒李博吕建楠吕宪义金曾孙 State Key Laboratory of Superhard Materials Jilin University Changehun 130012

High rate （〉 50 μm/h） growth of homoepitaxial single-crystal diamond （SCD） is carried out by microwave plasma chemical vapour deposition （MPCVD） with added nitrogen in the reactant gases of methane and hydrogen, using a polyerystalline-CVD-diamond-film-made seed holder. Photolumineseenee results indicate that the nitrogen concentration is spatially inhomogeneous in a large scale, either on the top surface or in the bulk of those as-grown SCDs. The presence of N-distribution is attributed to the facts：（i） a difference in N-incorporation efficiency and （ii） N-diffusion, resulting from the local growth temperatures changed during the high-rate deposition process. In addition, the formed nitrogen-vacancy eentres play a crucial role in N-diffusion through the growing crystal. Based on the N-distribution observed in the as-grown crystals, we propose a simple method to distinguish natural diamonds and man-made CVD SCDs. Finally, the disappearance of void defect on the top surface of SCDs is discussed to be related to a filling-in mechanism.

关键词： MICROWAVE PLASMA CVD TEMPERATURE SAPPHIRE

Diamond/c-BN van der Waals heterostructure with modulated electronic structures

维普期刊数据库评论

在线全文

维普期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

Chinese Physics B 2023年第7期32卷 495-499页

作者：贾素娜李高贤高楠成绍恒李红东 State Key Laboratory of Superhard Materials College of PhysicsJilin UniversityChangchun 130012China Shenzhen Research Institute Jilin UniversityShenzhen 518057China

The structural and electronic properties of(100),(110), and(111) diamond/cubic boron nitride(c-BN) heterostructures are systematically investigated by first principles calculation. The interface between diamond and c-BN shows the weak van der Waals interactions, which is confirmed by the interface distance and interface binding energy. The diamond/cBN structures are the direct bandgap semiconductors with moderate bandgap values ranging from 0.647 e V to 2.948 e *** work helps to promote the application of diamond in electronic and optoelectronic devices.

关键词： diamond cubic boron nitride heterointerface first principles calculation

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

高速生长CVD金刚石单晶及应用

高速生长CVD金刚石单晶及应用

2011中国材料研讨会

作者：王启亮吕宪义成绍恒李红东邹广田吉林大学超硬材料国家重点实验室

自2002年美国科学家报道CVD金刚石单晶生长速率可超过50100μm/h[1]以来,大尺寸CVD金刚石单晶的高速生长成为近年来金刚石领域新的研究热点,具有很好的研究价值和应用前景。目前日本的研究者已获得英寸级的大尺寸CVD金刚石单晶[2]。我... 详细信息

自2002年美国科学家报道CVD金刚石单晶生长速率可超过50100μm/h[1]以来,大尺寸CVD金刚石单晶的高速生长成为近年来金刚石领域新的研究热点,具有很好的研究价值和应用前景。目前日本的研究者已获得英寸级的大尺寸CVD金刚石单晶[2]。我们对国际上CVD金刚石单晶的发展及趋势做了介绍和分析。本文同时介绍了我们实验室近年来在该领域的工作。采用微波等离子体化学气相沉积（MPCVD）方法,以甲烷和氢气作为反应气体,在天然或高温高压合成的金刚石单晶上同质外延高速生长金刚石单晶,通过改变反应腔压强、反应气氛（引入氮气N2、二氧化碳CO2、氧气O2）等,获得生长速度可达到50200μm/h,并且单次生长厚度可达到4001000μm。深入研究了氮-空位缺陷的分布及其光谱特性[3]。当反应气体中加入CO2,相对于只引入N2,由于同时提高了碳源的浓度和氧的刻蚀作用,在一定范围内使得金刚石单晶的生长速度和质量得到了明显的提高,并且降低了表面粗糙度[4]。利用高温等离子体进行退火,通过控制温度和时间,可使金刚石单晶的颜色及性质有了很大的改善。我们研制了CVD金刚石单晶刀具,用于金属材料的曲面镜面抛光。

关键词： CVD金刚石单晶微波等离子体化学气相沉积(MPCVD) 了氮-空位缺陷的分布及其光谱特性高温等离子体 CVD金刚石单晶刀具

来源： cnki会议评论

在线全文

cnki会议

学校读者我要写书评

暂无评论

在金刚石薄膜上生长微米/纳米结构氧化锌

超硬材料工程 2008年第1期20卷 8-10页

作者：吕航成绍恒桑丹丹李红东吉林大学超硬材料国家重点实验室长春130012

金刚石是非常重要的宽禁带半导体材料,n-型氧化锌与p-型金刚石的结合成为半导体研究的热点。该研究实现了金刚石薄膜上生长六角纤锌矿结构氧化锌(ZnO)微米/纳米结构。生长初期或ZnO饱和蒸气压较低时,ZnO晶粒多沉积在金刚石薄膜的晶界和... 详细信息

金刚石是非常重要的宽禁带半导体材料,n-型氧化锌与p-型金刚石的结合成为半导体研究的热点。该研究实现了金刚石薄膜上生长六角纤锌矿结构氧化锌(ZnO)微米/纳米结构。生长初期或ZnO饱和蒸气压较低时,ZnO晶粒多沉积在金刚石薄膜的晶界和棱边处,随着沉积时间的增加或反应气氛中气态ZnO浓度的增加,会有大量微米/纳米结构的ZnO生成,并覆盖整个金刚石薄膜表面。对ZnO在金刚石薄膜表面生长机制及反应气氛对金刚石的钝化作用进行了分析。

关键词：金刚石薄膜半导体氧化锌(ZnO) 微米/纳米结构

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

GaN基互补型逻辑电路的研究进展及挑战

电子与封装 2023年第1期23卷 1-10页

作者：张彤刘树强何亮成绍恒李柳暗敖金平枣庄学院人工智能学院山东枣庄277160 工业和信息化部电子第五研究所广州510610 吉林大学超硬材料国家重点实验室长春130012 江南大学物联网工程学院江苏无锡214122

氮化镓(GaN)基异质结场效应晶体管具有工作频率高、导通损耗低等优点,已经开始广泛应用在多种高频、高效功率转换器中。为了充分发挥GaN功率器件的潜能,需要将功率开关器件和控制器、驱动等外围电路进行全GaN单片集成以减少寄生参数。... 详细信息

氮化镓(GaN)基异质结场效应晶体管具有工作频率高、导通损耗低等优点,已经开始广泛应用在多种高频、高效功率转换器中。为了充分发挥GaN功率器件的潜能,需要将功率开关器件和控制器、驱动等外围电路进行全GaN单片集成以减少寄生参数。互补型逻辑电路是实现集成的关键元电路之一,但其研究起步较晚。介绍了n沟道和p沟道GaN增强型器件的制备方案及互补逻辑电路的研究进展。从电学性能匹配性及稳定性出发探讨了现有互补型逻辑电路面临的关键科学问题,可以为GaN基互补型逻辑电路的研究提供参考。

关键词： GaN 功率集成电路增强型器件互补金属-氧化物-半导体逻辑电路稳定性

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

高速生长CVD金刚石单晶及应用

超硬材料工程 2011年第2期23卷 1-5页

作者：王启亮吕宪义成绍恒张晴李红东邹广田吉林大学超硬材料国家重点实验室长春130012

文章简要地介绍了近年来国内外CVD金刚石单晶的高速生长和应用进展。实验中采用微波等离子体化学气相沉积(CVD)方法,同质外延高速生长金刚石单晶,通过改变反应腔压强、反应气氛(在CH4/H2中引入氮气N2、二氧化碳CO2、氧气O2、)等,调制单... 详细信息

文章简要地介绍了近年来国内外CVD金刚石单晶的高速生长和应用进展。实验中采用微波等离子体化学气相沉积(CVD)方法,同质外延高速生长金刚石单晶,通过改变反应腔压强、反应气氛(在CH4/H2中引入氮气N2、二氧化碳CO2、氧气O2、)等,调制单晶生长速率、质量、颜色、表面粗糙度、光谱等特性。利用高温氢等离子体进行退火,可使金刚石单晶的颜色有很大的改善。研制了CVD金刚石单晶刀具,用于金属材料的曲面镜面加工。

关键词：高速生长 CVD 金刚石单晶退火金刚石工具

金刚石半导体及功率肖特基二极管研究进展和挑战

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

真空电子技术 2024年第5期 18-28页

作者：王启亮张羿明李根壮李柳暗成绍恒吕宪义李红东邹广田吉林大学物理学院超硬材料国家重点实验室吉林长春130012 吉林大学深圳研究院广东深圳518057

金刚石作为一种超宽禁带半导体,是下一代功率电子器件和光电子器件最有潜力的材料之一。其产业化仍需解决几个关键技术问题:大尺寸单晶外延生长、高质量晶圆制备技术、高效可控的掺杂技术及先进终端结构。首先,介绍了拼接生长以及异质... 详细信息

金刚石作为一种超宽禁带半导体,是下一代功率电子器件和光电子器件最有潜力的材料之一。其产业化仍需解决几个关键技术问题:大尺寸单晶外延生长、高质量晶圆制备技术、高效可控的掺杂技术及先进终端结构。首先,介绍了拼接生长以及异质外延获得大尺寸单晶衬底的研究进展。进而,综述了大尺寸单晶金刚石位错、缺陷调控技术及其加工技术的研究进展。最后,从功率器件设计及制备角度总结了金刚石掺杂及终端结构设计面临的挑战并提出了潜在的解决方案。

关键词：金刚石外延生长位错调控掺杂技术功率器件设计