在金刚石薄膜上生长微米/纳米结构氧化锌

作     者：吕航 成绍恒 桑丹丹 李红东 LU Hang;CHENG Shao-heng;SANG Dan-dan;LI Hong-dong

作者机构：吉林大学超硬材料国家重点实验室长春130012 

出 版 物：《超硬材料工程》 (Superhard Material Engineering)

年 卷 期：2008年第20卷第1期

页      面：8-10页

学科分类：081704[工学-应用化学] 07[理学] 08[工学] 0817[工学-化学工程与技术] 0703[理学-化学] 070301[理学-无机化学] 

基　　金：新世纪优秀人才支持计划资助(NCET) 

主　　题：金刚石薄膜 半导体 氧化锌(ZnO) 微米/纳米结构 

摘      要：金刚石是非常重要的宽禁带半导体材料,n-型氧化锌与p-型金刚石的结合成为半导体研究的热点。该研究实现了金刚石薄膜上生长六角纤锌矿结构氧化锌(ZnO)微米/纳米结构。生长初期或ZnO饱和蒸气压较低时,ZnO晶粒多沉积在金刚石薄膜的晶界和棱边处,随着沉积时间的增加或反应气氛中气态ZnO浓度的增加,会有大量微米/纳米结构的ZnO生成,并覆盖整个金刚石薄膜表面。对ZnO在金刚石薄膜表面生长机制及反应气氛对金刚石的钝化作用进行了分析。