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小型化宽带钽酸锂晶体滤波器

压电与声光 2011年第3期33卷 386-389页

作者：陈湘渝周哲彭胜春中国电子科技集团公司第26研究所重庆400060

介绍比较了钽酸锂（LiTaO3,简称LT）晶体和其他几种常用压电体波材料的物理特性,并从电路结构设计、寄生和谐波抑制及温度性能等方面详细介绍了单片钽酸锂晶体滤波器的设计方法并根据该方案设计了一种11.2 MHz单片式晶体滤波器。结果表... 详细信息

介绍比较了钽酸锂（LiTaO3,简称LT）晶体和其他几种常用压电体波材料的物理特性,并从电路结构设计、寄生和谐波抑制及温度性能等方面详细介绍了单片钽酸锂晶体滤波器的设计方法并根据该方案设计了一种11.2 MHz单片式晶体滤波器。结果表明,钽酸锂晶体能方便地实现相对带宽0.8%~4.0%、频率温度稳定性好、体积小的宽带晶体滤波器,具有广泛的应用价值。

关键词：单片晶体滤波器钽酸锂小型化宽带能陷机电耦合系数

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四极点LGS晶体滤波器的研制

压电与声光 2010年第2期32卷 240-242页

作者：陈湘渝彭胜春周哲四川压电与声光技术研究所重庆400060

介绍了了一种四极点单片式硅酸鎵镧(La3Ga5SiO14,LGS)晶体滤波器的设计方法。该滤波器中心频率为5 MHz,3 dB带宽20 kHz,工作温度范围为-55^+125℃,体积只有32.0 mm×16.0 mm×8.5 mm。实验证明,LGS晶体能实现相对带宽为0.3%~0.8%,频率... 详细信息

介绍了了一种四极点单片式硅酸鎵镧(La3Ga5SiO14,LGS)晶体滤波器的设计方法。该滤波器中心频率为5 MHz,3 dB带宽20 kHz,工作温度范围为-55^+125℃,体积只有32.0 mm×16.0 mm×8.5 mm。实验证明,LGS晶体能实现相对带宽为0.3%~0.8%,频率温度稳定性好,体积小的晶体滤波器,具有广泛的应用价值。

关键词：单片晶体滤波器硅酸镓镧(LGS) 频率温度特性机电耦合系数

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单片硅酸镓镧晶体滤波器的研制

压电与声光 2011年第2期33卷 214-217页

作者：陈湘渝彭胜春余欢周哲中国电子科技集团公司第26研究所重庆400060

比较了几种压电晶体的物理性质,采用硅酸镓镧（La3Ga5SiO14,LGS）晶体材料设计了一种6极点单片晶体滤波器。该滤波器中心频率为4.8 MHz,3 dB带宽20 kHz,工作温度范围为-55~125℃,体积仅32.2 mm×12.6 mm×8.5 mm。实验证明,LGS晶体温度... 详细信息

比较了几种压电晶体的物理性质,采用硅酸镓镧（La3Ga5SiO14,LGS）晶体材料设计了一种6极点单片晶体滤波器。该滤波器中心频率为4.8 MHz,3 dB带宽20 kHz,工作温度范围为-55~125℃,体积仅32.2 mm×12.6 mm×8.5 mm。实验证明,LGS晶体温度性能好,机电耦合系数高,适合制作中等带宽的晶体滤波器,该研究填补了国内该领域的空白。

关键词：单片晶体滤波器硅酸镓镧频率温度特性机电耦合系数

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高可靠性、高基频及小延时晶体滤波器

压电与声光 2015年第3期37卷 365-367,372页

作者：彭胜春阳皓周哲杨莉中国电子科技集团公司第二十六研究所重庆400060

研究了一种高可靠性,高基频及小延时晶体滤波器的设计方法。采用减少晶体元件和在滤波器的幅频曲线上引入衰耗峰的方法,同时实现了滤波器的小延时和小矩形系数等指标。为了保证滤波器的高可靠性,采用离子刻蚀工艺加工了高基频晶体谐振器... 详细信息

研究了一种高可靠性,高基频及小延时晶体滤波器的设计方法。采用减少晶体元件和在滤波器的幅频曲线上引入衰耗峰的方法,同时实现了滤波器的小延时和小矩形系数等指标。为了保证滤波器的高可靠性,采用离子刻蚀工艺加工了高基频晶体谐振器,并对磁芯采用充磁处理,实现了滤波器的全密封结构。该滤波器的工作频率为70 MHz,3dB带宽为151.4kHz,带内波动小于0.5dB,通带内（69.95--70.05 MHz）的群延时波动小于3μs,矩形系数小于2.8。

关键词：晶体滤波器高可靠性基频小延时离子刻蚀

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钽酸锂晶体滤波器的离子束刻蚀技术研究

压电与声光 2014年第3期36卷 474-475页

作者：张永川彭胜春徐阳中国电子科技集团公司第26研究所重庆400060

以钽酸锂晶体作为晶体滤波器压电材料。通过优化离子束刻蚀工艺参数,采用间歇式离子束刻蚀方法,解决了刻蚀区微裂纹工艺问题,使厚度为60μm钽酸锂晶片减薄至30μm。利用反台阶结构晶片制作出了中心频率为70MHz、3dB带宽为1 109kHz的高... 详细信息

以钽酸锂晶体作为晶体滤波器压电材料。通过优化离子束刻蚀工艺参数,采用间歇式离子束刻蚀方法,解决了刻蚀区微裂纹工艺问题,使厚度为60μm钽酸锂晶片减薄至30μm。利用反台阶结构晶片制作出了中心频率为70MHz、3dB带宽为1 109kHz的高基频宽带钽酸锂晶体滤波器。

关键词：晶体滤波器钽酸锂离子束刻蚀高频宽带

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青少年宫的舞蹈教育探析

大众文艺 2011年第17期 247-248页

作者：彭胜春华中师范大学

作为校外教育重要组成部分的青少年宫在衔接、延伸和补充学校教育促进学生和谐发展中起到了重要作用,那青少年宫的主打产业——舞蹈教育同样对儿童发展有着重要的意义,可以促进学生智力和美感的发展,同时在学习舞蹈的过程中与同伴的交... 详细信息

作为校外教育重要组成部分的青少年宫在衔接、延伸和补充学校教育促进学生和谐发展中起到了重要作用,那青少年宫的主打产业——舞蹈教育同样对儿童发展有着重要的意义,可以促进学生智力和美感的发展,同时在学习舞蹈的过程中与同伴的交往也可以更好的促进学生社会能力的发展,但是目前蓬勃发展的青少年宫的现状存在着一些问题,在分析了这些问题之后,笔者提出了几下几点建议:(1)规范教育思想;(2)规范教材等教学体系;(3)建设高素质的舞蹈教师队伍;(4)设置有针对性的课程;(5)组织丰富的活动,搭建交流平台。

关键词：舞蹈教育青少年宫现状分析

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高频宽带钽酸锂晶体滤波器的研制

高频宽带钽酸锂晶体滤波器的研制

2009'中国西部地区声学学术交流会

作者：彭胜春陈湘渝刘光聪四川压电与声光技术研究所

采用钽酸锂晶体和差接桥型电路,设计了一种晶体滤波器。它的工作温度范围是-40～+85℃,中心频率是56.75MHz,3dB带宽800KHz,阻带衰耗大于45dB。从本文研制结果来看,钽酸锂晶体由于具有比石英更高的机电耦合系数,因此适合制作带宽宽的晶... 详细信息

采用钽酸锂晶体和差接桥型电路,设计了一种晶体滤波器。它的工作温度范围是-40～+85℃,中心频率是56.75MHz,3dB带宽800KHz,阻带衰耗大于45dB。从本文研制结果来看,钽酸锂晶体由于具有比石英更高的机电耦合系数,因此适合制作带宽宽的晶体滤波器。

关键词：晶体滤波器钽酸锂高频宽带

来源： cnki会议评论

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微波陶瓷介质滤波器成型烧结工艺可靠性研究

压电与声光 2024年第2期46卷 164-170页

作者：李医虹李亚飞冯小东韦俊杰彭胜春中国电子科技集团公司第二十六研究所重庆400060

该文从微波陶瓷材料NP37本身出发,压制标准件,通过对密度、电性能测试及内部切片形态观测验证不同成型压力、烧结设备(气氛炉和隧道炉)、烧结温度工艺下对坯体制作性能及可靠性的影响。研究表明,在成型压力2000 kg、隧道炉1160℃烧结工... 详细信息

该文从微波陶瓷材料NP37本身出发,压制标准件,通过对密度、电性能测试及内部切片形态观测验证不同成型压力、烧结设备(气氛炉和隧道炉)、烧结温度工艺下对坯体制作性能及可靠性的影响。研究表明,在成型压力2000 kg、隧道炉1160℃烧结工艺下,坯体性能及可靠性测试结果最佳。将其用于介质滤波器的坯体制作、介质滤波器坯体的切片、扫描电镜(SEM)测试、热震试验及温度冲击试验,结果验证了此成型烧结工艺可靠性较高。结果表明,通过验证标准件成型烧结工艺指导介质滤波器生产的方法能有效地提高产品可靠性。

关键词：陶瓷材料介质滤波器成型工艺烧结工艺可靠性

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小体积高频5次泛音晶体滤波器

压电与声光 2021年第1期43卷 29-32页

作者：彭胜春阳皓邱泽林李亚飞张静雯侯京川中国电子科技集团公司第二十六研究所重庆400060

该文提出了一种小体积高频晶体滤波器的设计方法。通过采用5次泛音的设计,实现了140 MHz的工作频率,降低了生产成本,提高了器件的可靠性。同时为了实现较小的外形尺寸封装,在保证滤波器性能的情况下,对晶片尺寸和磁芯进行小尺寸设计,使... 详细信息

该文提出了一种小体积高频晶体滤波器的设计方法。通过采用5次泛音的设计,实现了140 MHz的工作频率,降低了生产成本,提高了器件的可靠性。同时为了实现较小的外形尺寸封装,在保证滤波器性能的情况下,对晶片尺寸和磁芯进行小尺寸设计,使其体积仅为常规晶体滤波器的一半。结果表明,该滤波器的工作频率为140 MHz,3 dB带宽为11 kHz,带内波动小于0.5 dB,阻带抑制大于50 dB。

关键词：晶体滤波器小体积高频泛音