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硬性BSPT基高温压电陶瓷温度稳定性研究

压电与声光 2024年第1期46卷 37-41页

作者：迟文潮鲜晓军冯小东李瑞峰彭胜春刘振华曾祥明中国电子科技集团公司第二十六研究所重庆400060

采用固相合成法在1125~1175℃烧结范围内制备了0.15BiScO_(3)-0.85(Pb_(0.88)Bi_(0.08))(Ti^(0.97)Mn_(0.03))O_(3)(BSPT-Mn)高温压电陶瓷。所有样品均为纯相,晶粒尺寸分布符合正态规律,掺杂元素均匀,未发现明显的富集现象。研究表明,在1150℃烧结制备的BSPT-Mn高温压电陶瓷的最大机械品质因数为1500.3,在484.4℃温度下压电常数为289.8 pC/N,压电性能良好。

关键词：压电陶瓷钪酸铋-钛酸铅(BS-PT) 机械品质因数温度稳定性

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一种新型小尺寸微机补偿晶体振荡器

一种新型小尺寸微机补偿晶体振荡器

作者：彭胜春电子科技大学

学位级别：硕士

随着电子技术的飞速发展，频率高度稳定的晶体振荡器得到了广泛的应用，特别是温度补偿晶体振荡器(TCXO)，开机即可正常工作，更是广泛应用于通信、导航、雷达、测量仪表等电子设备中。作为它们的基准频率源，它是以上电子设备的关键性... 详细信息

随着电子技术的飞速发展，频率高度稳定的晶体振荡器得到了广泛的应用，特别是温度补偿晶体振荡器(TCXO)，开机即可正常工作，更是广泛应用于通信、导航、雷达、测量仪表等电子设备中。作为它们的基准频率源，它是以上电子设备的关键性部件，被称为此类电子设备的“心脏”。在TCXO中，微处理机补偿晶体振荡器(MTCXO)是一种比较新型的数字式温度补偿晶体振荡器。本文首先根据双旋Y-切石英晶体物理图像的振动模式，通过求解描述固体中弹性声波的Christoffel方程，得到其在切角Φ=0，Φ=35°10′处也即AT切石英晶体谐振器的频率温度特性曲线，这是我们进行温度补偿的理论依据。接着我们详细介绍了微处理机补偿晶体振荡器的基本构成及其各部分硬件电路的工作原理、电路设计和器件选择以及从硬件和软件设计方面介绍了该系统的低功耗设计方法。结合AT切石英晶体谐振器的频率温度特性曲线，我们选择了最小二乘拟合进行数值逼近。然后我们详述了整个单片机部分的软件设计和曲线拟合的方法，并以我们所获得的实验数据证明了本文所述利用微处理机进行温度补偿的可行性。最后，我们对结果进行了分析，并据此发现了设计中存在的一些不足并提出了一些改进方法。本方案正是由于在MTCXO中引入了微处理机，使得系统可以充分发挥软件的优势，用软件以及软硬结合的方法代替大量的硬件电路，这样就大大减少了晶体振荡器的体积及其制造成本。与数字温度补偿晶体振荡器(DTCXO)相比，本文所叙述的微处理机补偿晶体振荡器具有频率温度稳定度高，结构简单，体积小，功耗低等优势，使其具有很强的竞争力。最终的实验结果证明，该振荡器MTCXO在-40～+85℃的温度范围内能够稳定工作，其频率温度稳定度可达±4.7×10，而当工作电压为3.3V时电流消耗只有6.33mA左右，而体积只有19×12×10mm。

关键词：温度补偿晶体振荡器微处理机低功耗小型化最小二乘法

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小型化宽带钽酸锂晶体滤波器

压电与声光 2011年第3期33卷 386-389页

作者：陈湘渝周哲彭胜春中国电子科技集团公司第26研究所重庆400060

介绍比较了钽酸锂（LiTaO3,简称LT）晶体和其他几种常用压电体波材料的物理特性,并从电路结构设计、寄生和谐波抑制及温度性能等方面详细介绍了单片钽酸锂晶体滤波器的设计方法并根据该方案设计了一种11.2 MHz单片式晶体滤波器。结果表... 详细信息

介绍比较了钽酸锂（LiTaO3,简称LT）晶体和其他几种常用压电体波材料的物理特性,并从电路结构设计、寄生和谐波抑制及温度性能等方面详细介绍了单片钽酸锂晶体滤波器的设计方法并根据该方案设计了一种11.2 MHz单片式晶体滤波器。结果表明,钽酸锂晶体能方便地实现相对带宽0.8%~4.0%、频率温度稳定性好、体积小的宽带晶体滤波器,具有广泛的应用价值。

关键词：单片晶体滤波器钽酸锂小型化宽带能陷机电耦合系数

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四极点LGS晶体滤波器的研制

压电与声光 2010年第2期32卷 240-242页

作者：陈湘渝彭胜春周哲四川压电与声光技术研究所重庆400060

介绍了了一种四极点单片式硅酸鎵镧(La3Ga5SiO14,LGS)晶体滤波器的设计方法。该滤波器中心频率为5 MHz,3 dB带宽20 kHz,工作温度范围为-55^+125℃,体积只有32.0 mm×16.0 mm×8.5 mm。实验证明,LGS晶体能实现相对带宽为0.3%~0.8%,频率... 详细信息

介绍了了一种四极点单片式硅酸鎵镧(La3Ga5SiO14,LGS)晶体滤波器的设计方法。该滤波器中心频率为5 MHz,3 dB带宽20 kHz,工作温度范围为-55^+125℃,体积只有32.0 mm×16.0 mm×8.5 mm。实验证明,LGS晶体能实现相对带宽为0.3%~0.8%,频率温度稳定性好,体积小的晶体滤波器,具有广泛的应用价值。

关键词：单片晶体滤波器硅酸镓镧(LGS) 频率温度特性机电耦合系数

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单片硅酸镓镧晶体滤波器的研制

压电与声光 2011年第2期33卷 214-217页

作者：陈湘渝彭胜春余欢周哲中国电子科技集团公司第26研究所重庆400060

比较了几种压电晶体的物理性质,采用硅酸镓镧（La3Ga5SiO14,LGS）晶体材料设计了一种6极点单片晶体滤波器。该滤波器中心频率为4.8 MHz,3 dB带宽20 kHz,工作温度范围为-55~125℃,体积仅32.2 mm×12.6 mm×8.5 mm。实验证明,LGS晶体温度... 详细信息

比较了几种压电晶体的物理性质,采用硅酸镓镧（La3Ga5SiO14,LGS）晶体材料设计了一种6极点单片晶体滤波器。该滤波器中心频率为4.8 MHz,3 dB带宽20 kHz,工作温度范围为-55~125℃,体积仅32.2 mm×12.6 mm×8.5 mm。实验证明,LGS晶体温度性能好,机电耦合系数高,适合制作中等带宽的晶体滤波器,该研究填补了国内该领域的空白。

关键词：单片晶体滤波器硅酸镓镧频率温度特性机电耦合系数

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高可靠性、高基频及小延时晶体滤波器

压电与声光 2015年第3期37卷 365-367,372页

作者：彭胜春阳皓周哲杨莉中国电子科技集团公司第二十六研究所重庆400060

研究了一种高可靠性,高基频及小延时晶体滤波器的设计方法。采用减少晶体元件和在滤波器的幅频曲线上引入衰耗峰的方法,同时实现了滤波器的小延时和小矩形系数等指标。为了保证滤波器的高可靠性,采用离子刻蚀工艺加工了高基频晶体谐振器... 详细信息

研究了一种高可靠性,高基频及小延时晶体滤波器的设计方法。采用减少晶体元件和在滤波器的幅频曲线上引入衰耗峰的方法,同时实现了滤波器的小延时和小矩形系数等指标。为了保证滤波器的高可靠性,采用离子刻蚀工艺加工了高基频晶体谐振器,并对磁芯采用充磁处理,实现了滤波器的全密封结构。该滤波器的工作频率为70 MHz,3dB带宽为151.4kHz,带内波动小于0.5dB,通带内（69.95--70.05 MHz）的群延时波动小于3μs,矩形系数小于2.8。

关键词：晶体滤波器高可靠性基频小延时离子刻蚀

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钽酸锂晶体滤波器的离子束刻蚀技术研究

压电与声光 2014年第3期36卷 474-475页

作者：张永川彭胜春徐阳中国电子科技集团公司第26研究所重庆400060

以钽酸锂晶体作为晶体滤波器压电材料。通过优化离子束刻蚀工艺参数,采用间歇式离子束刻蚀方法,解决了刻蚀区微裂纹工艺问题,使厚度为60μm钽酸锂晶片减薄至30μm。利用反台阶结构晶片制作出了中心频率为70MHz、3dB带宽为1 109kHz的高... 详细信息

以钽酸锂晶体作为晶体滤波器压电材料。通过优化离子束刻蚀工艺参数,采用间歇式离子束刻蚀方法,解决了刻蚀区微裂纹工艺问题,使厚度为60μm钽酸锂晶片减薄至30μm。利用反台阶结构晶片制作出了中心频率为70MHz、3dB带宽为1 109kHz的高基频宽带钽酸锂晶体滤波器。

关键词：晶体滤波器钽酸锂离子束刻蚀高频宽带

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青少年宫的舞蹈教育探析

大众文艺 2011年第17期 247-248页

作者：彭胜春华中师范大学

作为校外教育重要组成部分的青少年宫在衔接、延伸和补充学校教育促进学生和谐发展中起到了重要作用,那青少年宫的主打产业——舞蹈教育同样对儿童发展有着重要的意义,可以促进学生智力和美感的发展,同时在学习舞蹈的过程中与同伴的交... 详细信息

作为校外教育重要组成部分的青少年宫在衔接、延伸和补充学校教育促进学生和谐发展中起到了重要作用,那青少年宫的主打产业——舞蹈教育同样对儿童发展有着重要的意义,可以促进学生智力和美感的发展,同时在学习舞蹈的过程中与同伴的交往也可以更好的促进学生社会能力的发展,但是目前蓬勃发展的青少年宫的现状存在着一些问题,在分析了这些问题之后,笔者提出了几下几点建议:(1)规范教育思想;(2)规范教材等教学体系;(3)建设高素质的舞蹈教师队伍;(4)设置有针对性的课程;(5)组织丰富的活动,搭建交流平台。

关键词：舞蹈教育青少年宫现状分析

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高频宽带钽酸锂晶体滤波器的研制

高频宽带钽酸锂晶体滤波器的研制