钽酸锂晶体滤波器的离子束刻蚀技术研究
Study on Ion Beam Etching Technique of Lithium Tantalate Crystal Filter作者机构：中国电子科技集团公司第26研究所重庆400060
出 版 物：《压电与声光》 (Piezoelectrics & Acoustooptics)
年 卷 期：2014年第36卷第3期
页 面：474-475页
学科分类：1002[医学-临床医学] 0808[工学-电气工程] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 080902[工学-电路与系统] 08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0703[理学-化学] 0702[理学-物理学]
摘 要：以钽酸锂晶体作为晶体滤波器压电材料。通过优化离子束刻蚀工艺参数,采用间歇式离子束刻蚀方法,解决了刻蚀区微裂纹工艺问题,使厚度为60μm钽酸锂晶片减薄至30μm。利用反台阶结构晶片制作出了中心频率为70MHz、3dB带宽为1 109kHz的高基频宽带钽酸锂晶体滤波器。
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