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青年文学家 2023年第28期 125-125页

作者：宏论

环境温度、电离辐射剂量率对NMOSFET器件特性参数的影响

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Journal of Semiconductors 2001年第6期22卷 779-783页

作者：何宝平姚育娟彭宏论张正选西北核技术研究所西安710024

研究了辐射环境温度、辐射剂量率、退火温度和退火偏置对 CC40 0 7NMOS器件阈值电压的影响 .研究发现 ,低温 (- 30℃ )辐照感生的氧化物陷阱电荷比室温 (2 5℃ )多 ,界面态电荷比室温要少 ;受不同 γ剂量率辐射时 ,阈值电压的漂移程度... 详细信息

研究了辐射环境温度、辐射剂量率、退火温度和退火偏置对 CC40 0 7NMOS器件阈值电压的影响 .研究发现 ,低温 (- 30℃ )辐照感生的氧化物陷阱电荷比室温 (2 5℃ )多 ,界面态电荷比室温要少 ;受不同 γ剂量率辐射时 ,阈值电压的漂移程度不一样 ,在总剂量相同情况下 ,辐射剂量率高时 ,阈值电压的漂移量也大 ;辐照后 ,NMOS器件 10 0℃退火速度要大于 2 5℃退火速度 ,+5 V栅偏压退火情况要大于浮空偏置情况 .

关键词： NMOSFET 场效应晶体管环境温度电离辐射剂量率

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浮栅ROM器件γ辐射效应实验研究

核电子学与探测技术 2002年第4期22卷 344-347页

作者：贺朝会耿斌陈晓华王燕萍彭宏论西北核技术研究所陕西西安69信箱13分箱710024

给出了浮栅 ROM器件的γ辐照效应实验结果。器件出现错误有个累积剂量阈值 ,当累积剂量小于某一值时 ,无数据错误。当累积剂量达到一定值时 ,开始出现数据错误。随着累积剂量的增加 ,错误数增加 ,动态监测和静态加电的器件都出现数据错... 详细信息

给出了浮栅 ROM器件的γ辐照效应实验结果。器件出现错误有个累积剂量阈值 ,当累积剂量小于某一值时 ,无数据错误。当累积剂量达到一定值时 ,开始出现数据错误。随着累积剂量的增加 ,错误数增加 ,动态监测和静态加电的器件都出现数据错误 ,且不能用编程器重新写入数据。然而不加电的器件在更高的累积剂量辐照下未出现错误 ,而且可以用编程器重新写入数据。

关键词：浮栅ROM器件 γ辐射效应实验研究总剂量效应钴60 γ源只读存储器

重离子单粒子翻转截面与γ累积剂量的关系研究

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核电子学与探测技术 2002年第3期22卷 228-230,256页

作者：贺朝会耿斌王燕萍彭宏论杨海亮陈晓华李国政西北核技术研究所陕西西安69信箱13分箱710024

应用 2 52 Cf源和60 Coγ源进行单粒子翻转截面与γ累积剂量的关系研究 ,实验结果表明 ,静态加电和不加电状态下 ,γ累积剂量对单粒子翻转截面的影响不大 ,无明显的规律。动态测量状态下 ,在存储单元中写入相同数据时 ,器件的单粒子翻... 详细信息

应用 2 52 Cf源和60 Coγ源进行单粒子翻转截面与γ累积剂量的关系研究 ,实验结果表明 ,静态加电和不加电状态下 ,γ累积剂量对单粒子翻转截面的影响不大 ,无明显的规律。动态测量状态下 ,在存储单元中写入相同数据时 ,器件的单粒子翻转截面随累积剂量的增加而增大。在实验中把存储单元中的数据相反 ,会使器件的单粒子翻转截面恢复到未经 60 Coγ源辐照时的水平 ,甚至更低。

关键词：重离子 γ源单粒子翻转截面 γ辐照半导体器件钴60 镧252 单粒子效应 γ累积剂量

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石英振梁加速度计概述

战术导弹控制技术 2004年第4期12卷 52-57页

作者：邓宏论中国航天科技集团第16研究所陕西西安710100

随着惯性技术的发展,它的方向发生了新的变化,微机械技术日益占据重要的地位.石英振梁加速度计正是这样的一种微机械惯性仪表,因此有必要对其进行以下全面描述.本文介绍了惯性技术的发展方向,石英振梁加速度计的发展状况、基本原理、主... 详细信息

随着惯性技术的发展,它的方向发生了新的变化,微机械技术日益占据重要的地位.石英振梁加速度计正是这样的一种微机械惯性仪表,因此有必要对其进行以下全面描述.本文介绍了惯性技术的发展方向,石英振梁加速度计的发展状况、基本原理、主要构成和主要材料、主要优点,也指出了其研制的主要技术、途径,并进行了简单的精度分析.

关键词：惯性技术加速度计惯性仪表微机械技术主要技术优点精度分析基本原理

门冬胰岛素30R合中药治疗2型糖尿病36例

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中国中医药信息杂志 2009年第S1期16卷 46-47页

作者：吴月娥王宏论吴菲江西中医学院附属医院江西南昌330006 江门市五邑大学医务所广东江门529020

2005年10月-2008年6月,笔者以门冬胰岛素30R合中药治疗2型糖尿病36例,并与精蛋白合成人胰岛素30R治疗进行对照,现报道如下。1临床资料1.1诊断标准参照1997年美国糖尿病协会提出的糖尿病诊断标准[1]。

关键词：门冬胰岛素30R 煎剂中西医结合疗法 2型糖尿病

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大规模集成电路总剂量效应测试方法初探

物理学报 2004年第1期53卷 194-199页

作者：贺朝会耿斌何宝平姚育娟李永宏彭宏论林东生周辉陈雨生西北核技术研究所西安69信箱13分箱西安710024

提出了初步的大规模集成电路总剂量效应测试方法。在监测器件和电路功能参数的同时 ,监测器件功耗电流的变化情况 ,分析数据错误与器件功耗电流变化的关系及其总剂量效应机理。给出了大规模集成电路 :静态随机存取存储器 (SRAM)、电擦... 详细信息

提出了初步的大规模集成电路总剂量效应测试方法。在监测器件和电路功能参数的同时 ,监测器件功耗电流的变化情况 ,分析数据错误与器件功耗电流变化的关系及其总剂量效应机理。给出了大规模集成电路 :静态随机存取存储器 (SRAM)、电擦除电编程只读存储器 (EEPROM)、闪速存储器 (FLASHROM)和微处理器 (CPU)的6 0 Coγ总剂量效应实验的结果 .

关键词：大规模集成电路半导体器件总剂量效应监测器件电路功能参数功耗电流静态随机存取存储器电擦除电编程只读存储器闪速存储器微处理器

^(90)Sr-^(90)Yβ源辐射场中轫致辐射剂量分量的理论计算和实验测量

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原子能科学技术 2001年第1期35卷 65-68页

作者：吴国荣郭红霞周辉张正选杨海帆彭宏论西北核技术研究所陕西西安710024

对90 Sr 90 Y源半导体辐照效应在线测量系统中所用辐射源与周围物质相互作用所产生的轫致辐射剂量进行了理论计算和实验测量。采用聚乙烯薄膜作吸收材料 ,实现了 β与X射线辐射剂量的分离。给出了测量的吸收剂量中X射线辐射剂量的贡献。

关键词：吸收剂量 β辐射源剂量测量辐射场轫致辐射剂量分量

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MOS器件的质子总剂量效应

Journal of Semiconductors 2001年第11期22卷 1468-1473页

作者：王桂珍张正选姜景和罗尹红彭宏论何宝平西北核技术研究所西安710024

介绍了几种加固和非加固 MOS电路的质子辐照总剂量效应实验 ,质子束的能量为 9、 7、 5、 2 Me V.实验结果表明 ,在相同的吸收剂量下 ,MOS器件累积电离辐射损伤与质子能量成正比 .还给出了栅极偏压对器件质子辐射损伤的影响 ,结果认为 ... 详细信息

介绍了几种加固和非加固 MOS电路的质子辐照总剂量效应实验 ,质子束的能量为 9、 7、 5、 2 Me V.实验结果表明 ,在相同的吸收剂量下 ,MOS器件累积电离辐射损伤与质子能量成正比 .还给出了栅极偏压对器件质子辐射损伤的影响 ,结果认为 ,对于 NMOSFET,不论是加固器件 ,还是非加固器件 ,在 +5 V的栅压偏置下 ,器件的辐射损伤比 0 V栅压下的损伤严重 ,对于加固器件 ,辐射感生界面态的密度也较高 ;而加固型 PMOSFET,在 0 V的栅压下 ,辐射损伤比 - 5 V下严重。

关键词：总剂量效应质子 MOS器件半导体器件

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NMOS晶体管的退火特性研究

原子能科学技术 2000年第6期34卷 481-486页

作者：姚育娟张正选彭宏论何宝平姜景和西北核技术研究所陕西西安710024

探讨了加固型CC4 0 0 7经60 Coγ射线辐照后NMOS晶体管的退火特性 ,研究了辐照敏感参数随辐照剂量、退火温度、退火时间和退火偏置的变化关系。经相同总剂量辐照的器件 ,高温 10 0℃下的退火速度远大于室温 2 5℃下的退火速度。 2 5～ 2... 详细信息

探讨了加固型CC4 0 0 7经60 Coγ射线辐照后NMOS晶体管的退火特性 ,研究了辐照敏感参数随辐照剂量、退火温度、退火时间和退火偏置的变化关系。经相同总剂量辐照的器件 ,高温 10 0℃下的退火速度远大于室温 2 5℃下的退火速度。 2 5～ 2 50℃下的等时退火 ,其退火程度接近 168h的 10 0℃等温退火。对不同的退火情况 ,退火偏置的作用是相似的 ,+5V栅偏压退火速度大于0V栅偏压和浮空退火速度。对氧化物陷阱电荷的退火及界面态陷阱的产生机理进行了分析 ,并对加速实验方法进行了初步探讨。

关键词：等温退火等时退火 NMOS晶体管电离辐照