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热镀铝中硅的影响及其作用机制
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兵器材料科学与工程 1996年 第4期19卷 52-55页
作者： 张灶利 余宗森 张崇芳 北京科技大学
采用扫描电镜、电子探针及Ｘ射线研究了７２０～７３０℃热浸，纯Ａｌ、Ａｌ＋１．７％Ｓｉ，Ａｌ＋３．６％Ｓｉ三种钢板镀层，结果表明：加Ｓｉ镀层结构改变，并对界面合金层生长有强烈的抑制作用，Ｓｉ量增加抑制作用明显。分析表明... 详细信息
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Co薄膜中CoSi化合物相转变过程观察
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金属学报 1995年 第16期 179-182页
作者： 张灶利 肖治纲 杜国维 北京科技大学 北京科技大学材料物理系
Ｓｉ衬底上生长的Ｃｏ薄膜，经２５０，４５０，５００℃退火后．用电子显微镜对Ｃｏ／Ｓｉ界面处ＣｏＳｉ化合物的相转变进行了观察结果发现ＣｏＳｉ为多晶颗粒．ＣｏＳｉ相和基体无取向关系Ｃｏ／Ｓｉ界面在退火温度范围内的相变过程... 详细信息
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Si衬底上Co薄膜氧化观察
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金属学报 1994年 第6期30卷 B270-B272页
作者： 张灶利 肖治纲 杜国维 北京科技大学
用透射电子显微镜和Ｘ射线衍射方法研究Ｓｉ衬底上的Ｃｏ薄膜氧化．发现：在５５０℃以下，薄膜氧化产物是ＣｏＯ；在９００℃再次进行真空热处理，ＣｏＯ能转变为硅化物．薄膜氧化，对Ｃｏ／Ｓｉ界面硅化物转变有影响．
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Al－Cu合金G．P．区异常快速形成的复合体机制
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北京科技大学学报 1996年 第6期18卷 573-576页
作者： 张灶利 张崇芳 陈宁 余宗森 北京科技大学材料物理系
用置换溶质原子－空位复合体机制，对Ａｌ－Ｃｕ合金Ｇ．Ｐ．区异常快速形成及相应的现象进行了解释，并与过剩空位机制和位错机制进行了比较。
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Co薄膜中CoSi化合物相转变过程观察
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金属学报 1995年 第4期31卷 B179-B182页
作者： 张灶利 肖治纲 杜国维 北京科技大学 北京科技大学材料物理系
Ｓｉ衬底上生长的Ｃｏ薄膜，经２５０，４５０，５００℃退火后．用电子显微镜对Ｃｏ／Ｓｉ界面处ＣｏＳｉ化合物的相转变进行了观察结果发现ＣｏＳｉ为多晶颗粒．
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Si衬底上Co薄膜氧化观察
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金属学报 1994年 第18期 270-272页
作者： 张灶利 肖治纲 杜国维 北京科技大学
用透射电子显微镜和Ｘ射线衍射方法研究Ｓｉ衬底上的Ｃｏ薄膜氧化．发现：在５５０℃以下，薄膜氧化产物是ＣｏＯ；在９００℃再次进行真空热处理，ＣｏＯ能转变为硅化物．薄膜氧化，对Ｃｏ／Ｓｉ界面硅化物转变有影响．
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亚纳米碳管的稳定性——碳纳米管到底可以小到多小
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物理 2001年 第6期30卷 325-327页
作者： 彭练矛 张灶利 薛增泉 吴全德 顾镇南 北京大学电子学系 北京100871 中国科学院物理研究所 北京100080 北京大学化学系 北京100871
在 2 0 0kV电子显微镜中高能电子束的诱发下合成出了直径为 0 33nm的碳管 .利用基于量子力学的紧束缚分子动力学方法研究了直径从 0 1 6nm至 1 0nm的亚纳米碳管的稳定性 .
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Co／Si和Co／SiO_2界面反应的观察
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Journal of Semiconductors 1996年 第4期17卷 265-268页
作者： 张灶利 翟启华 纪箴 肖治纲 杜国维 北京科技大学材料物理系
本文用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）和高分辨电镜研究Ｃｏ薄膜在氩气气氛或真空条件下热处理时Ｃｏ／Ｓｉ和Ｃｏ／ＳｉＯ２体系的界面反应．结果表明：在氩气氛下４５０℃处理时，Ｃｏ薄膜均发生氧化，在Ｃｏ／Ｓｉ界面同时有硅化物形成，而在... 详细信息
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磷在钢回火脆性发展时的非平衡偏聚及钼的影响
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钢铁研究学报 1999年 第5期11卷 26-29页
作者： 张灶利 刘键 林清英 余宗森 刘登科 北京科技大学材料物理系 北京100083 中国科学院高能物理研究所 北京100080 钢铁研究总院分析测试研究所 北京100081 北京东凯永磁材料厂 北京100024
用俄歇能谱仪和扫描电镜研究了中碳钢和含钼中碳钢在回火脆性发展过程中Ｐ在晶界上的偏聚。发现在４８０ ℃回火时，两种钢均在晶界出现Ｐ的浓度峰值。含钼中碳钢中的Ｍｏ 减小了晶界断裂比例，但并不改变Ｐ的浓度峰值。同时还观察了Ｓ... 详细信息
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回火脆性的杂质。空位复合体非平衡偏聚机制
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金属热处理学报 1996年 第3期17卷 11-15页
作者： 张灶利 林清英 许庭栋 余宗森 纪箴 北京科技大学 钢铁研究总院
提出了钢回火脆性的杂质－空位复合体机制。研究了４０Ｃｒ钢５３８℃长时间回火脆化动力学，发现５０％ＦＡＴＴ（脆韧转变温度）随回火时间变化的规律与所提出的机制吻合较好。用扫描电镜观察冲击断口形貌，表明沿晶断口的比例呈规律... 详细信息
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