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检索条件"作者=张树高"
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能量脉冲对ZnO压敏电阻静态老化性能的影响
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功能材料 1997年 第4期28卷 389-391页
作者: 张树高 黄伯云 方勋华 季幼章 中南工业大学粉末冶金研究所 中国科学院等离子体物理研究所
研究了能量脉冲对高能ZnO压敏电阻在可控硅整流电压下的静态老化性能的影响以及可控硅整流电压的过电压对压敏电阻的作用。过电压使压敏电阻流过频率为300Hz的脉冲电流,从而使晶界势垒高度下降和晶粒导电性增加;经受能量脉冲... 详细信息
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ZnO压敏电阻老化中的线性链研究
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湖南大学学报(自然科学版) 1993年 第4期20卷 63-66页
作者: 张树高 中南工业大学粉末冶金研究所
研究了ZnO压敏电阻在直流下的老化现象,提出了线性链概念.认为压敏电阻在外电场作用下因离子迁移而发生老化;老化到一定程度后,晶界可变电阻转化为线性电阻,即压敏链转化为线性链.线性链具有线性的V-A特性,而且是稳定的、不可恢复的.用... 详细信息
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ZnO压敏电阻应用新进展
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传感器技术 1992年 第6期11卷 34-37页
作者: 张树高 中南工业大学粉末冶金研究所
概述了ZnO压敏电阻的一般应用;介绍了ZnO压敏电阻应用于感性负载的原理,并举出实际应用例子;提出应用中存在的高荷电率问题及对策。
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纤维增强玻璃陶瓷基复合材料的研究
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材料导报 1997年 第3期11卷 61-64页
作者: 张波 张立同 张树高 中南工业大学粉末冶金研究所 长沙410083 西北工业大学凝固技术国家重点实验室 西安710072
介绍了纤维增强玻璃陶瓷基复合材料(FRGCC)的发展历史及现状,概述了FRGCC研究的主要内容,重点讨论了制备高性能FRGCC所要考虑的因素。
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ITO薄膜的半导化机理、用途和制备方法
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材料导报 1997年 第4期11卷 11-14页
作者: 张树高 黄伯云 方勋华 中南工业大学粉末冶金研究所 长沙410083
综述了ITO薄膜的半导化机理、应用和制备工艺。ITO薄膜的半导化机制是高价Sn^(4+)替代部分In^(3+)和氧缺位。ITO薄膜主要用于光电器件中,例如用于液晶显示。综述了磁控溅射、CVD、喷雾热分解和溶胶-凝胶四种制膜工艺。
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氧化锌压敏电阻的老化机理
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功能材料 1993年 第6期24卷 529-532页
作者: 张树高 季幼章 中南工业大学粉末冶金研究所 长沙410083 中国科学院等离子体物理研究所 合肥230031
研究了ZnO压敏电阻的老化现象,提出了一种新的老化机理-线性链理论。该理论认为,在外电场作用下,压敏电阻势垒高度降低;当降低到一定值时,晶界可变电阻转化为线性晶界电阻,从而压敏链转化为线性链。线性链是稳定的,因而压敏电阻老化到... 详细信息
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铟锡氧化物陶瓷靶材热等静压致密化研究
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功能材料 2000年 第4期31卷 383-384页
作者: 张树高 扈百直 吴义成 方勋华 黄伯云 中南工业大学粉末冶金国家重点实验室 湖南长沙410083
用化学共沉淀法制备了铟锡氧化物(ITO)复合粉末。粉末经冷等静压成型后进行热等静压致密化。热等静压时采用碳钢作包套,采用铜箔作隔层。实验研究了热等静压工艺参数──保温温度、保压压力和保温时间对 ITO陶瓷靶材致密化的... 详细信息
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高能ZnO压敏电阻在能量脉冲下的动态老化
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功能材料 1997年 第4期28卷 386-388页
作者: 张树高 黄伯云 方勋华 季幼章 中南工业大学粉末冶金研究所 中国科学院等离子体物理研究所
研究了用于水轮发电机灭磁与过电压保护的高能ZnO压敏电阻在贮能电感释放的能量脉冲作用下的老化现象。能量脉冲可以分解为直流电场和能量两个分量。能量脉冲后,压敏电阻的特征电压、非线性系数和预击穿区V-A特性都发生跌落,而... 详细信息
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铟锡氧化物热等静压时分解氧对裂纹形成的作用
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中南工业大学学报 1999年 第6期30卷 608-610页
作者: 扈百直 张树高 付晓旭 吴义成 中南工业大学粉末冶金研究所 长沙410083 西北稀有金属材料研究院
用化学共沉淀法制备的铟锡氧化物复合粉末经冷等静压成形后进行热等静压致密化所得靶材常常会产生裂纹.用电子探针分析了铟锡氧化物热等静压后裂纹处铟、锡和氧的成分分布.结果表明,裂纹处铟含量极低,锡含量极高,而氧含量低于配比... 详细信息
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用湿化学法制备电子材料用ZnO粉末
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湖南大学学报(自然科学版) 1994年 第5期21卷 53-57页
作者: 张树高 王燕鸣 奉冬文 中南工业大学粉末冶金研究所
本文研究用湿化学法——NH_3法改性ZnO粉末使之用于电子材料.用x-ray衍射分析和SEM分析方法确定了焙烧温度、球磨时间等主要工艺参数;用SEM分析、BET分析、粒度与粒度分布分析方法研究了改性前后ZnO粉末的赋... 详细信息
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