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基于手掌形状的身份模糊识别

河北工业科技 2004年第3期21卷 12-13,28页

作者：张英尹成湖白振林庄庆德河北科技大学信息科学与工程学院河北石家庄050054 河北科技大学机械电子工程学院河北石家庄050054 石家庄市财经学校河北石家庄050035

人与人的手掌形状存在差异,利用这一特征进行身份识别,与指纹和虹膜识别相比,具有数据采集简单、设备成本低等优点。在这种识别系统中,为了防止身份的误识别及漏识别,必须解决好现场手掌形状参数的采集、识别码生成及身份判断等问题。... 详细信息

人与人的手掌形状存在差异,利用这一特征进行身份识别,与指纹和虹膜识别相比,具有数据采集简单、设备成本低等优点。在这种识别系统中,为了防止身份的误识别及漏识别,必须解决好现场手掌形状参数的采集、识别码生成及身份判断等问题。本文介绍了解决上述问题的研究结果,给出了手掌参数的采集、数据库的建立以及用模糊识别技术进行身份判断的实现方法,并说明该方法在小范围群体中使用,能够达到较高的识别可靠性。

关键词：模糊识别手掌形状身份识别数据库计算机

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具有三种基本单元结构的CMOS门阵列设计

电子器件 1985年第1期 15-31页

作者：庄庆德童勤义陈德英唐国洪

一、前言集成电路设计和工艺技术的进步。使得集成度以每一年半翻一番的速度进展,每个芯片上包含的功能越来越大, 除了存储器和微处理机这些标准的电路之外,为某一用户特殊使用的专用电路的比例将越来越大,据估计,到1990年,专用电路将... 详细信息

一、前言集成电路设计和工艺技术的进步。使得集成度以每一年半翻一番的速度进展,每个芯片上包含的功能越来越大, 除了存储器和微处理机这些标准的电路之外,为某一用户特殊使用的专用电路的比例将越来越大,据估计,到1990年,专用电路将占LSI的一半以上。可是设计大规模的专用电路,按传统的设计方法将花费大量的时间和成本,为解决这一矛盾,产生了半定制设计方法,这就是仅仅改变一个或少数工序便可改变电路品种的集成电路设计方法。

关键词：门阵列等效电路等值电路倒相器基本单元输出缓冲器多晶硅栅单元数环形振荡器 CMOS 或非门全定制半定制延迟时间

300伏全兼容CMOS集成电路器件设计与工艺

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东南大学学报(自然科学版) 1984年第4期 68-75页

作者：童勤义唐国洪庄庆德陈德英南京工学院无线电电子学研究所

本文介绍一种与Ⅳ阱硅栅CMOS集成电路技术完全兼容的高压MOS器件的设计方法和制备工艺。这种高压MOS器件可以和CMOS逻辑电路、模拟电路集成在同一芯片上而不需任何附加工艺步骤。此种器件的闽电压为|1±0.2|V,漏击穿电压大于300V,泄漏... 详细信息

本文介绍一种与Ⅳ阱硅栅CMOS集成电路技术完全兼容的高压MOS器件的设计方法和制备工艺。这种高压MOS器件可以和CMOS逻辑电路、模拟电路集成在同一芯片上而不需任何附加工艺步骤。此种器件的闽电压为|1±0.2|V,漏击穿电压大于300V,泄漏电流小于50nA,当宽长此为115,栅偏压V;=10V时,其饱和电流大于35mA,跨导大于4000μ,而导通电阻小于600Ω。该器件在等离子显示、静电复印、场致发光、高低压开关等方面有广泛的应用。

关键词：器件等离子 CMOS 漂移区夹断电压导通电阻硅栅 NMOS

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新型的低高压MOS接口电路

半导体技术 1986年第2期 47-53页

作者：唐国洪童勤义陈德英庄庆德南京工学院电子所

本文介绍一种由八个高压MOS器件组成的低高压MOS接口电路.它采用与目前国际上先进的NMOS大规模集成电路工艺技术完全兼容的N阱硅栅等平面CMOS工艺,而不需要附加任何工艺步骤.本文描述了高压MOS器件的物理模型,介绍了器件结构和工艺设计... 详细信息

本文介绍一种由八个高压MOS器件组成的低高压MOS接口电路.它采用与目前国际上先进的NMOS大规模集成电路工艺技术完全兼容的N阱硅栅等平面CMOS工艺,而不需要附加任何工艺步骤.本文描述了高压MOS器件的物理模型,介绍了器件结构和工艺设计,并给出了高压MOS器件的漏击穿电压时沟道长度、漂移区长度、离子注入剂量和延伸源场极的关系的实验结果.这种高压MOS器件的漏击穿电压最大可达400V(在零栅偏压时),最大饱和漏电流可达35mA(在栅压为10V时),而导通电阻低到600(?)(在栅压为10V时).

关键词： MOS 硅栅漂移区夹断电压沟道长度接口电路

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以N阱CMOS为基础的各种兼容工艺

微电子学与计算机 1984年第6期 20-25页

作者：童勤义庄庆德唐国洪陈德英南京工学院电子研究所

一、N阱CMOS——一种利于兼容的结构由于CMOS具有极低的静态功耗密度、抗干扰性好、工作电源电压范围宽、输入阻抗高,电容设计容差大等优点,所以早在六十年代就在手表等低功耗领域中得到广泛应用。然而,当时由于CMOS工艺复杂,速度不如N... 详细信息

一、N阱CMOS——一种利于兼容的结构由于CMOS具有极低的静态功耗密度、抗干扰性好、工作电源电压范围宽、输入阻抗高,电容设计容差大等优点,所以早在六十年代就在手表等低功耗领域中得到广泛应用。然而,当时由于CMOS工艺复杂,速度不如NMOS快,其优越性尚不太明显。随着集成度的不断提高,CMOS的地位日益牢固,这是因为: (1)随着工艺技术的进步,限制集成密度的因素越来越转移到功耗密度上来。在VLSI电路中.一小芯片包含十万个以上的元件.总

关键词： CMOS 功耗集电区隔离岛双极型多晶硅栅漂移区栅氧化膜 NMOS 双极电路离子注入离子掺杂耗尽层沟道区夹断

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人脸识别技术的研究

河北科技大学学报 2003年第3期24卷 1-6页

作者：李春明李玉山庄庆德关晓丹西安电子科技大学电路CAD研究所陕西西安710000 河北科技大学信息科学与工程学院河北石家庄050054 廊坊华北航天工业学院电子系河北廊坊065000

人脸自动识别问题近年来受到了各国研究人员的普遍关注。在总结前人研究成果的基础上,本文分类论述了人脸自动识别课题中的常用方法,并分析了它们的优缺点。根据被识别图象的来源,人脸识别技术可分为2类:静态人脸识别和动态人脸识别。... 详细信息

人脸自动识别问题近年来受到了各国研究人员的普遍关注。在总结前人研究成果的基础上,本文分类论述了人脸自动识别课题中的常用方法,并分析了它们的优缺点。根据被识别图象的来源,人脸识别技术可分为2类:静态人脸识别和动态人脸识别。本文首先介绍了静态人脸识别中所用到的算法,然后对动态人脸识别系统进行了初步的探讨。

关键词：人脸识别图象识别静态人脸识别动态人脸识别图象处理图象匹配

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硅栅等平面CMOS集成电路设计规则的研究及应用

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东南大学学报(自然科学版) 1984年第3期 96-105页

作者：童勤义唐国洪陈德英庄庆德南京工学院无线电电子学研究所

本文根据Mead和Conway提出的NMOS集成电路设计规则理论及CMOS特点,提出了混合型设计规则概念及其在硅栅等平面CMOS工艺中的应用,给出其几何及电学设计规则的典型值以及根据此规则试制成功的CMOS环形振荡器、D触发器、运算放大器等集成... 详细信息

本文根据Mead和Conway提出的NMOS集成电路设计规则理论及CMOS特点,提出了混合型设计规则概念及其在硅栅等平面CMOS工艺中的应用,给出其几何及电学设计规则的典型值以及根据此规则试制成功的CMOS环形振荡器、D触发器、运算放大器等集成电路的典型特性。最后,本文还建议了设计CMOS电路应采用的标准颜色及符号。

关键词：设计规则硅栅集成电路设计等平面倒相器 CMOS

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高低压兼容单片CMOS驱动器的设计

微电子学 1988年第1期 13-19页

作者：庄庆德童勤义陈德英唐国洪南京工学院微电子中心

采用标准n阱硅栅等平面CMOS工艺,将耐压大于200V、吸收电流大于200mA的高压功率VMOS器件与工作在5V电源电压的CMOS控制电路兼容在同一个硅芯片上。分析了电路设计及工艺措施,证明这种技术可以低成本地制作各种低高压兼容电路。

关键词：功率器件驱动器 CMOS工艺

一种CMOS、双极、低/高压接口集成兼容工艺

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电子器件 1984年第4期 85-96页

作者：陈德英庄庆德童勤义唐国洪南京工学院电子所

一、引言随着大规模集成电路的飞速发展,对于在一个芯片上同时集成多种功能的兼容技术愈来愈感兴趣。能将具有低的功耗,高的抗干扰能力的CMOS和具有高跨导、低1/f噪声的双极晶体管及低/高压MOS接口电路灵活地集成在一起,可以使系统单... 详细信息

一、引言随着大规模集成电路的飞速发展,对于在一个芯片上同时集成多种功能的兼容技术愈来愈感兴趣。能将具有低的功耗,高的抗干扰能力的CMOS和具有高跨导、低1/f噪声的双极晶体管及低/高压MOS接口电路灵活地集成在一起,可以使系统单片集成提供一种新的可能。我们的实验中选用N阱等平面硅栅CMOS工艺为基础的一种CMOS、双极、低/高压接口集成兼容工艺。

关键词： CMOS 晶体管半导体三极管漏区基区硅栅器件性能漂移区接口电路结深双极