具有三种基本单元结构的CMOS门阵列设计
出 版 物：《电子器件》 (Chinese Journal of Electron Devices)
年 卷 期：1985年第1期
页 面：15-31页
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 0812[工学-计算机科学与技术（可授工学、理学学位）]
主 题：门阵列 等效电路 等值电路 倒相器 基本单元 输出缓冲器 多晶硅栅 单元数 环形振荡器 CMOS 或非门 全定制 半定制 延迟时间
摘 要：一、前言 集成电路设计和工艺技术的进步。使得集成度以每一年半翻一番的速度进展,每个芯片上包含的功能越来越大, 除了存储器和微处理机这些标准的电路之外,为某一用户特殊使用的专用电路的比例将越来越大,据估计,到1990年,专用电路将占LSI的一半以上。可是设计大规模的专用电路,按传统的设计方法将花费大量的时间和成本,为解决这一矛盾,产生了半定制设计方法,这就是仅仅改变一个或少数工序便可改变电路品种的集成电路设计方法。
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