检索结果-南通市图书馆

哈尔滨轴承 2024年第2期45卷 11-12页

作者：崔传荣瓦房店轴承集团有限责任公司辽宁瓦房店116300

本文介绍了一种新型的自密封地铁轴箱轴承,其设计要点:1)轴承采用自密封紧凑型单元化结构;2)对密封方式做了改进;3)在内圈端面和挡圈之间增设C形塑钢垫圈。经验证,该轴承性能可以满足地铁工况使用要求。

关键词：自密封紧凑型单元化结构 C形塑钢垫圈蠕动复合式密封

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低功耗无片外电容的低压差线性稳压器

浙江大学学报（工学版） 2009年第11期43卷 2006-2011页

作者：崔传荣巩文超王忆何乐年浙江大学超大规模集成电路研究所浙江杭州310027

设计了输出电压为3.3 V,最大输出电流为100 mA的无片外电容低压差线性稳压器(LDO).该芯片采用并行结构的微分器和大米勒电容,通过比例调节和微分调节结合的方式,利用微分器电路在瞬间提供大的转换电流,克服了无片外电容LDO在负载和电源... 详细信息

设计了输出电压为3.3 V,最大输出电流为100 mA的无片外电容低压差线性稳压器(LDO).该芯片采用并行结构的微分器和大米勒电容,通过比例调节和微分调节结合的方式,利用微分器电路在瞬间提供大的转换电流,克服了无片外电容LDO在负载和电源电压变化时输出电压跳变过大的问题.芯片采用CSMC公司0.5μm工艺模型设计,并经过流片.测试结果表明,在5 V工作电压下,当负载电流从100 mA在1μs内下降到1 mA时,输出电压变化小于600 mV;电路的静态电流小于4.5μA.测试结果验证了电路设计的正确性.

关键词：低压差线性稳压器片外电容微分调节米勒效应

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新型低功耗无片外电容LDO

新型低功耗无片外电容LDO

作者：崔传荣浙江大学

学位级别：硕士

低压差(Low Dropout,LDO)线性稳压器具有结构简单、低噪声、低功耗以及较小封装和较少的外围应用器件等突出优点,在便携式电子产品中得到广泛的应用。为了稳定输出电压值,传统的LDO通常需要巨大的负载电容,而负载电容无法集成在芯片内部... 详细信息

低压差(Low Dropout,LDO)线性稳压器具有结构简单、低噪声、低功耗以及较小封装和较少的外围应用器件等突出优点,在便携式电子产品中得到广泛的应用。为了稳定输出电压值,传统的LDO通常需要巨大的负载电容,而负载电容无法集成在芯片内部,随着系统集成度的提高,减少片外元件的需求激发了人们研究无片外电容LDO的热情。因此,无片外电容的LDO开始成为LDO研究的最新热点。然而,由于无片外电容LDO的实现在稳定性和瞬态响应方面有着更高的要求,系统各种性能参数的折中更加具有挑战性。最突出的就是高速反应能力和功耗之间的折中。本文设计的LDO输出电压为3.3 V,最大输出电流为100 mA,工作电压可在3.5 V到5.5 V之间。系统采用误差放大器,微分器和大米勒电容组成并行控制环路,通过比例调节和微分调节结合的方式分别控制输出的稳态和瞬态误差。其中微分器电路在瞬间提供大的转换电流,克服了无片外电容的LDO在负载和电源电压变化时输出电压跳变过大的问题;同时这种结构对误差放大器的带宽和转换速率要求相对较低,系统的功耗大大降低。芯片采用CSMC公司0.5μm工艺模型设计并流片。测试结果表明,在5 V工作电压下,当负载电流从100 mA在1μs内下降到1 mA时,输出电压变化小于600 mV;同时整个电路的静态电流小于4.5μA。测试结果验证了电路设计的正确性。本文在第一章和第二章分别介绍了当今电源管理芯片市场的现状和LDO的一般结构;第三章讨论LDO中各个模块的设计;在前面三章的基础上,第四章进一步讨论了无片外电容LDO的各种结构的对比和设计的思路;第五章提出了本文提出的无片外电容LDO结构及其仿真测试结果;第六章给出了结论和展望。

关键词：低压差线性稳压器无片外电容微分调节米勒效应

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环冷机台车用轴承密封的改进

轴承 2007年第7期 11-12页

作者：崔传荣王蕾瓦房店轴承集团有限责任公司技术中心辽宁瓦房店116300

环冷机台车用轴承的原密封结构不合理,粉尘、颗粒容易进入轴承内部,轴承游隙逐渐减小,甚至抱死。在不改变原有安装、使用条件下,利用现有空间再增加一道钢骨架橡胶密封,改善密封效果,提高轴承使用寿命和可靠性。

关键词：滚动轴承内组件密封件钢骨架壳体

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新型高电源抑制比CMOS电流基准

浙江大学学报（工学版） 2008年第9期42卷 1580-1586,1605页

作者：巩文超王忆崔传荣王义凯何乐年浙江大学超大规模集成电路研究所浙江杭州310027

为提高CMOS集成电路中电流基准的精度和稳定性，提出了一种结构简单，电源抑制比（PSRR）很高的电流基准结构——三支路电流基准．应用基尔霍夫定律（Kirchhoff’s current and voltage law，Kcl Kvl）和偏微分方程，对比分析了传统的... 详细信息

为提高CMOS集成电路中电流基准的精度和稳定性，提出了一种结构简单，电源抑制比（PSRR）很高的电流基准结构——三支路电流基准．应用基尔霍夫定律（Kirchhoff’s current and voltage law，Kcl Kvl）和偏微分方程，对比分析了传统的电流基准、共源共栅电流基准以及三支路电流基准的小信号模型，求解出了这3种电路的电源抑制比公式．对比发现传统电流基准和共源共栅电流基准的节点电压正反馈限制了电流基准的性能，三支路结构由于节点电压成强负反馈，拥有更高的PSRR．三支路电流基准采用了一阶温度补偿方案，保证了温度稳定性．经CSMC0．5μm工艺仿真结果显示，三支路基准在输入电压1．5～5．0V的低频PSRR达-77．9dB，明显优于另外两种结构；在～20～120℃温度区间内输出电流稳定性达到了255×10^-6／℃，满足了大多数应用的要求．

关键词：电流基准电源抑制比温度补偿