低功耗无片外电容的低压差线性稳压器

作     者：崔传荣 巩文超 王忆 何乐年 

作者机构：浙江大学超大规模集成电路研究所浙江杭州310027 

出 版 物：《浙江大学学报（工学版）》 (Journal of Zhejiang University：Engineering Science)

年 卷 期：2009年第43卷第11期

页      面：2006-2011页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0810[工学-信息与通信工程] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 081001[工学-通信与信息系统] 0812[工学-计算机科学与技术（可授工学、理学学位）] 

基　　金：浙江省重点科技计划资助项目(2007C2102) 

主　　题：低压差线性稳压器 片外电容 微分调节 米勒效应 

摘      要：设计了输出电压为3.3 V,最大输出电流为100 mA的无片外电容低压差线性稳压器(LDO).该芯片采用并行结构的微分器和大米勒电容,通过比例调节和微分调节结合的方式,利用微分器电路在瞬间提供大的转换电流,克服了无片外电容LDO在负载和电源电压变化时输出电压跳变过大的问题.芯片采用CSMC公司0.5μm工艺模型设计,并经过流片.测试结果表明,在5 V工作电压下,当负载电流从100 mA在1μs内下降到1 mA时,输出电压变化小于600 mV;电路的静态电流小于4.5μA.测试结果验证了电路设计的正确性.