检索结果-南通市图书馆

微机发展 1994年第3期4卷 9-14页

作者：宋钦歧航天工业总公司骊山微电子公司

本文介绍了国外微型计算机的抗辐射加固的一般情况．为方便起见，首先简单介绍了电子器件核辐射产生的五大效应，即位移效应、电离效应、瞬时效应、电磁脉冲效应和单粒子效应，尔后介绍了电子器件抗辐射加固的概况以及抗辐射加固的微型... 详细信息

本文介绍了国外微型计算机的抗辐射加固的一般情况．为方便起见，首先简单介绍了电子器件核辐射产生的五大效应，即位移效应、电离效应、瞬时效应、电磁脉冲效应和单粒子效应，尔后介绍了电子器件抗辐射加固的概况以及抗辐射加固的微型计算机．

关键词：加固电子器件微机抗辐射

电磁脉冲引起的电子系统损伤和电子系统的抗电磁脉冲加固

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系统工程与电子技术 1981年第11期 46-53页

作者：宋钦歧

本文是在核爆炸电磁脉冲有关研究基础上写成的,着重讨论了电磁脉冲引起的电子系统损伤和电子系统的抗电磁脉冲加固。本文提出的用电容放电来模拟电磁脉冲感应电流的方法,对研究电磁脉冲损伤机理和加固具有实际的使用价值。本文提到的几... 详细信息

本文是在核爆炸电磁脉冲有关研究基础上写成的,着重讨论了电磁脉冲引起的电子系统损伤和电子系统的抗电磁脉冲加固。本文提出的用电容放电来模拟电磁脉冲感应电流的方法,对研究电磁脉冲损伤机理和加固具有实际的使用价值。本文提到的几种电磁脉冲加固的旁路电路,对提高电子系统的抗电磁脉冲能力具有明显的效果。

关键词：抗电磁脉冲加固电子器件感应电流电容放电感生电流旁路电路电子系统

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半导体器件抗辐射加固现状及其发展

半导体杂志 1990年第1期15卷 25-30页

作者：宋钦歧骊山微电子公司

对六种现有器件的抗辐照水平进行了简单的介绍，其中CMOS和CMOS／SOS器件具有较好的抗辐照能力，将被军用和空间电子系统广泛采用，特别CMOS器件是空间电子系统应用最理想器件。本文详细的介绍了具有很大发展前途的二种抗辐射加固器件－... 详细信息

对六种现有器件的抗辐照水平进行了简单的介绍，其中CMOS和CMOS／SOS器件具有较好的抗辐照能力，将被军用和空间电子系统广泛采用，特别CMOS器件是空间电子系统应用最理想器件。本文详细的介绍了具有很大发展前途的二种抗辐射加固器件－SOI和GaAS器件，它们的抗辐照能力将能完全满足军用电子系统对抗辐射加固愈来愈高的要求。

关键词：半导体器件抗辐射加固工艺

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低能X射线的剂量增强效应

微电子学与计算机 1989年第12期6卷 61-64页

作者：韩林宋钦歧骊山微电子学研究所

本文主要报道用低能(8keV)x射线代替钴-60γ射线进行电离辐照的试验结果,并讨论了剂量增强效应与栅氧化层厚度的关系以及相对二次电荷发射系数与偏置电场强度的关系。

关键词：低能X射线电子元器件电离辐照

低能X射线对NMOST的辐照损伤及退火特性

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微电子学 1990年第1期20卷 6-11页

作者：韩林宋钦歧骊山微电子公司

本文研究了NMOS晶体管低能X射线辐照后氧化物陷阱电荷的产生、界面态的性质及空穴陷阱的退火特性等问题。实验结果表明,电离辐照产生的界面态具有施主性和受主性,而氧化物陷阱电荷引起的电压变化在退火过程中,随外加偏置电场极性的不同... 详细信息

本文研究了NMOS晶体管低能X射线辐照后氧化物陷阱电荷的产生、界面态的性质及空穴陷阱的退火特性等问题。实验结果表明,电离辐照产生的界面态具有施主性和受主性,而氧化物陷阱电荷引起的电压变化在退火过程中,随外加偏置电场极性的不同,表现出可逆性,它对晶体管阈值电压的变化起着决定性的作用。

关键词： NMOS 晶体管 X射线辐照损伤退火

注氟加固PMOSFET的电离辐射响应与时间退火效应

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固体电子学研究与进展 1997年第2期17卷 149-153页

作者：余学峰严荣良张国强郭旗陆妩任迪远宋钦歧赵元富中国科学院新疆物理研究所乌鲁木齐830011 骊山微电子学研究所陕西临潼710600

研究了注F加固PMOSFET的总剂量辐照响应特性和辐照后由氧化物电荷、界面态变化引起的阈电压漂移与时间、温度、偏置等退火条件的关系，发现一定退火条件下注F加固PMOSFET由于界面态密度、特别是氧化物电荷密度继续增加，使得电路在电高... 详细信息

研究了注F加固PMOSFET的总剂量辐照响应特性和辐照后由氧化物电荷、界面态变化引起的阈电压漂移与时间、温度、偏置等退火条件的关系，发现一定退火条件下注F加固PMOSFET由于界面态密度、特别是氧化物电荷密度继续增加，使得电路在电高辐照后继续损伤，探讨了加速MOS器件电离辐照感生界面态生长的方法。

关键词： PMOSFET 电离辐射退火注氟加固 MOS器件

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CMOS电路瞬时辐照效应的计算机模拟分析

微电子学 1988年第6期 103-109页

作者：黄胜明宋钦歧张正德黄敞骊山微电子公司骊山微电子公司

利用LSTRAC-2对CD4007电路进行瞬时辐照效应模拟,分析了模拟中用到的有关参数的提取方法,对模拟的电路样品进行了瞬态辐照实验,并就结果进行了比较和讨论。结果表明,模拟和实验符合得较好。

关键词：瞬时辐照 CMOS电路计算机模拟

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CMOS IC瞬时辐照效应的计算机模拟

固体电子学研究与进展 1988年第4期 404-406页

作者：黄胜明宋钦歧张正德黄敞骊山微电子公司

一、引言由于半导体器件抗核加固研究工作的需要,应用计算机模拟分析半导体器件的辐照效应不仅能节约大量资金,而且能缩短抗核加固研究工作的周期,因此,它已成为抗核加固研究工作的一个重要方面。本文应用电路分析程序模拟CMOS电路的... 详细信息

一、引言由于半导体器件抗核加固研究工作的需要,应用计算机模拟分析半导体器件的辐照效应不仅能节约大量资金,而且能缩短抗核加固研究工作的周期,因此,它已成为抗核加固研究工作的一个重要方面。本文应用电路分析程序模拟CMOS电路的瞬时辐照效应,并和实验结果进行了比较。

关键词：计算机模拟衬底计算机仿真基片辐照效应闩锁效应 CMOS IC 耗尽区寄生电阻外延层

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CMOS 器件的单粒子效应及其加固

原子能科学技术 1997年第3期31卷 250-257页

作者：宋钦岐骊山微电子公司

概要综述了ＣＭＯＳ器件的单粒子效应，着重描述了ＣＭＯＳ器件的单粒子效应损伤机理，并介绍了抗单粒子效应的加固技术。

关键词：单粒子扰动抗单粒子加固 CMOS器件航天器

Paternò-Büchi反应的区域选择性

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化学进展 2007年第6期19卷 911-919页

作者：孔峰峰宋钦华中国科学技术大学化学系合肥230026

Paternò-Büchi(P-B)反应,即羰基-烯的[2+2]光环化加成反应,利用其特殊的区域及立体选择性可以合成一些结构精巧的取代氧杂环丁烷。随着P-B反应在有机合成中越来越广泛的应用,人们对P-B反应的区域选择性的研究也越来越深入。在P-B反应... 详细信息

Paternò-Büchi(P-B)反应,即羰基-烯的[2+2]光环化加成反应,利用其特殊的区域及立体选择性可以合成一些结构精巧的取代氧杂环丁烷。随着P-B反应在有机合成中越来越广泛的应用,人们对P-B反应的区域选择性的研究也越来越深入。在P-B反应发现之初,人们一直用“最稳定的双自由基规则”解释其区域选择性,这一规则对有些体系却不适用,近年来有人开始运用“自旋化学”理论来解释区域选择性。本论文结合作者的研究工作,评述了近年来P-B反应的区域选择性的研究进展,重点阐述了反应温度、反应物的取代基对P-B反应区域选择性的影响及其规律。

关键词： Paternò-Büchi(P-B)反应区域选择性最稳定的双自由基规则自旋化学 Salem-Rowland规则温度效应取代基效应