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西南民族大学学报（人文社会科学版） 2002年第S2期23卷 188-189页

作者：宋洵成都理工大学四川成都610059

大学要培养创新型人才 ,首先必须转变教育观念 ,更新教育思想。要从传授、继承已有知识为中心的传统教育 ,转变为以学习者为中心 ,着重培养大学生创新精神的现代教育。创新教育已成为高等教育的重要组成部分。本文通过对创新教育内涵的... 详细信息

大学要培养创新型人才 ,首先必须转变教育观念 ,更新教育思想。要从传授、继承已有知识为中心的传统教育 ,转变为以学习者为中心 ,着重培养大学生创新精神的现代教育。创新教育已成为高等教育的重要组成部分。本文通过对创新教育内涵的分析以及对创新人格培养的论述 ,充分说明了在大学素质教育中重视对大学生进行创新教育的现实意义。

关键词：大学素质教育创新教育

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机会公平差异发展——“教育均衡与社会发展”国际研讨会综述

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教育发展研究 2007年第12A期27卷 80-82页

作者：宋洵蔡忠明宁波市江东区教育科学研究室宁波315000

2007年10月27日至29日，“教育均衡与社会发展”国际研讨会在浙江省宁波市顺利召开。来自美国、英国、意大利、日本、韩国和我国教育部教育发展研究中心、北京理工大学、浙江大学等知名学者，以及教育部有关司局、浙江省教育厅有关处室... 详细信息

2007年10月27日至29日，“教育均衡与社会发展”国际研讨会在浙江省宁波市顺利召开。来自美国、英国、意大利、日本、韩国和我国教育部教育发展研究中心、北京理工大学、浙江大学等知名学者，以及教育部有关司局、浙江省教育厅有关处室、全国部分市、县（市、区）教育局领导近160名代表参会。代表们围绕教育均衡发展的区域推进、教育均衡发展的制度与机制创新、特色学校建设和有效教学探索等主题作了深入交流与探讨。

关键词：教育均衡发展国际研讨会社会发展研讨会综述机会公平差异发展浙江省教育厅发展研究中心

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公共关系与新时期高校思想政治工作

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西南民族学院学报（哲学社会科学版） 2003年第9期24卷 146-148页

作者：宋洵孙波成都理工大学四川成都610059

大学生的思想政治工作在新形势下要有针对性和实效性 ,必须学习和运用新的思想、新的观点、新的科学。公共关系学作为一门新兴的现代边缘性、交叉性、综合性的应用学科 ,与思想政治工作有着许多的联系。本文通过利用公共关系塑造形象的... 详细信息

大学生的思想政治工作在新形势下要有针对性和实效性 ,必须学习和运用新的思想、新的观点、新的科学。公共关系学作为一门新兴的现代边缘性、交叉性、综合性的应用学科 ,与思想政治工作有着许多的联系。本文通过利用公共关系塑造形象的内涵 ;双向沟通、合作意识原则 ;传播造势原理来增强高校思想政治工作的吸引力、亲和力、感召力的探讨 ,论证了公共关系是新时期高校开展大学生思想政治工作的一种有效途径的观点。

关键词：公共关系大学生思想政治工作针对性实效性

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嘉祐集选注

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丛书名：中国古典文学丛书

1993年

作者：（宋）苏洵

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高压SenseFET的分析与设计

高压SenseFET的分析与设计

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作者：宋洵奕电子科技大学

学位级别：硕士

高压Sense FET(Current Sense Field Effect Transistor)是一种可用于高压功率集成电路,对功率元件进行电流探测的高压功率器件,相比传统的集成电流采样器件,高压Sense FET具有耐压高、采样特性好、采样可靠性高等优势;除了作为电流采... 详细信息

高压Sense FET(Current Sense Field Effect Transistor)是一种可用于高压功率集成电路,对功率元件进行电流探测的高压功率器件,相比传统的集成电流采样器件,高压Sense FET具有耐压高、采样特性好、采样可靠性高等优势;除了作为电流采样器件外,高压Sense FET还可以同时复用作为充电器件,实现芯片自供电。本文对一种新型高压Sense FET——C-Sense FET(Controllable-Current Sense Field Effect Transistor)的结构、工作原理以及相关电路应用做了详细地分析,同时,通过C-Sense FET导通模型的建立,更加深入地描述了器件导通工作时的特性。在理论分析基础上,设计完成了一款700V C-Sense FET器件及其应用电路并进行了流片和测试。通过研究,希望能够对C-Sense FET器件及其应用的进一步研究起到抛砖引玉的作用。本文的主要工作如下:1、详细介绍了C-Sense FET的器件结构和基本工作特性,说明了它相对于传统Sense FET在应用中的优势;借助仿真工具,重点探究了C-Sense FET的相关工作机理和主要参数的设计:主要包括耐压的影响因素和设计、导通特性的影响因素和设计、C-Sense FET采样比和充电摆率的影响因素和设计等,此外,文中还对高压Sense FET与功率元件的集成方法做了讨论。2、探究高压C-Sense FET的导通模型的建立。结合之前有关学者的研究结果及自身研究,通过合理的简化与计算,给出了一种简单准确的C-Sense FET行为级导通宏模型并得到了C-Sense FET的I-V特性表达式;将模型计算出的导通特性曲线与仿真结果进行对比,最大误差小于5%;此外,通过对其他不同结构C-Sense FET导通模型建立的讨论,说明了该模型建立方法具有可推广性。3、在标准BCD工艺下,设计完成了一款700V C-Sense FET器件,同时,为了验证所设计C-Sense FET的电路工作性能并获得器件的采样比、充电电流等参数,还专门设计了一种C-Sense FET验证电路;本次设计进行了流片、封装及测试;测试结果表明,所设计的C-Sense FET耐压可达700V,充电摆率大小为8.82%,导通特性曲线与仿真和模型计算结果吻合度都很好,并且C-Sense FET与功率元件的集成没有影响功率元件的电特性;在验证电路中,该C-Sense FET成功实现了采样和充电的功能,其采样比大小为0.007(均值),基本满足了设计要求。

关键词：高压SenseFET C-SenseFET 导通模型电流采样自供电

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