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重掺硼的分子束外延硅的喇曼光谱研究

应用科学学报 1995年第4期13卷 413-418页

作者：王建宝袁健杨敏黄大鸣陆方孙恒慧复旦大学李政道物理学综合实验室

研究了重掺硼分子束外延硅的载流子浓度对喇曼光谱线型的影响。以单声子态和准连续电子激发态之间的Ｆａｎｏ相互作用理论为基础，对实验结果进行了讨论和拟合。由拟合得到的喇曼光谱的半峰宽、峰移、峰高和不对称因子等各参数之间的关... 详细信息

研究了重掺硼分子束外延硅的载流子浓度对喇曼光谱线型的影响。以单声子态和准连续电子激发态之间的Ｆａｎｏ相互作用理论为基础，对实验结果进行了讨论和拟合。由拟合得到的喇曼光谱的半峰宽、峰移、峰高和不对称因子等各参数之间的关系式，结合霍耳效应测量，得到了喇曼光谱的半峰宽Г同自由载流子浓度ｐ之间的关系曲线为Ｔ＝２．５４ｐ￣０．４０８，其中Г，ｐ分别是以ｃｍ￣（－１）和１０￣１９ｃｍ￣（－３）为单位。提供了用喇曼光谱测量重掺硼分子束外延材料自由载流子浓度的测量的定标曲线。

关键词：掺硼硅散射谱分子束外延

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MOCVD生长CdTe薄层的缺陷研究

Journal of Semiconductors 1993年第3期14卷 181-184页

作者：彭承陆叶华孙恒慧唐文国李自元复旦大学物理系上海200433 中国科学院上海技物所红外物理开放研究实验室上海200083

用光激电流瞬态谱(PICTS)和光致发光光谱(PL)对在半绝缘GaAs衬底上MOCVD生长的CdTe薄层的缺陷进行了研究。发现CdTe薄层中存在热激活能约为0.12eV和0.27eV的二个能级。对照光致发光光谱的实验结果及有关体单晶CdTe的缺陷报道,初步分析... 详细信息

用光激电流瞬态谱(PICTS)和光致发光光谱(PL)对在半绝缘GaAs衬底上MOCVD生长的CdTe薄层的缺陷进行了研究。发现CdTe薄层中存在热激活能约为0.12eV和0.27eV的二个能级。对照光致发光光谱的实验结果及有关体单晶CdTe的缺陷报道,初步分析认为第一个能级是受主能级,它由CdTe薄层中的剩余杂质所引起,而另一个能级则可能与材料的晶格缺陷有关。

关键词：碲化镉 MOCVD生长缺陷 CdTe

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快速退火后重掺硼的分子束外延层的电学特性

物理学报 1994年第7期43卷 1137-1143页

作者：袁健陆昉孙恒慧卫星杨敏黄大鸣徐宏来沈鸿烈邹世昌复旦大学李政道物理学综合实验室和物理系复旦大学应用表面物理国家重点实验室中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室

对快速退火后用共蒸发Ｂ＿２Ｏ＿３方法实现重掺杂硼的硅分子束外延层的电学特性进行了研究．１１００℃退火可以使得外延层中载流子浓度提高４倍，空穴的霍耳迁移率与相同浓度下硅体材料的水平相当；外延层与衬底之间载流子浓度转变陡... 详细信息

对快速退火后用共蒸发Ｂ＿２Ｏ＿３方法实现重掺杂硼的硅分子束外延层的电学特性进行了研究．１１００℃退火可以使得外延层中载流子浓度提高４倍，空穴的霍耳迁移率与相同浓度下硅体材料的水平相当；外延层与衬底之间载流子浓度转变陡峭，获得了晶体质量良好的外延层．

关键词：分子束外延快速退火电学性质

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低剂量磷离子注入快速退火硅中的缺陷研究

物理学报 1992年第6期41卷 985-991页

作者：李晓雷陆昉孙恒慧黄庆红复旦大学物理系上海200433

本文对低剂量磷离子注入硅经快速热退火后的缺陷特性进行研究。600℃退火就能基本激活注入离子。800℃以下退火样品中的缺陷主要是离子注入形成的辐射损伤缺陷。800℃以上退火样品中存在位错缺陷。位错的形成与离子注入引进的损伤和淬... 详细信息

本文对低剂量磷离子注入硅经快速热退火后的缺陷特性进行研究。600℃退火就能基本激活注入离子。800℃以下退火样品中的缺陷主要是离子注入形成的辐射损伤缺陷。800℃以上退火样品中存在位错缺陷。位错的形成与离子注入引进的损伤和淬火过程中的热应力有关。1100℃退火样品中的缺陷浓度迅速增大,热应力在硅内部产生大量的滑移位错。

关键词：磷离子注入退火硅缺陷

n-C°_5/C°_6/C°_7混合物在5A分子筛上的吸附平衡

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华东化工学院学报 1993年第6期19卷 690-696页

作者：周晓龙陈绍洲孙恒慧黄国雄常可怡李承烈华东化工学院石油加工研究所

采用流动重量色谱法,测试了n-C°5/C°6二元组分和n-C°5/C°6/C°7三元组分在无粘结剂的小球型5A分子筛上的吸附平衡数据。吸附的温度范围为533～653K。以统计热力学模型,对纯组分吸附实验结果进行回归,得到了模型参数,据此,对n-C°5/C... 详细信息

采用流动重量色谱法,测试了n-C°5/C°6二元组分和n-C°5/C°6/C°7三元组分在无粘结剂的小球型5A分子筛上的吸附平衡数据。吸附的温度范围为533～653K。以统计热力学模型,对纯组分吸附实验结果进行回归,得到了模型参数,据此,对n-C°5/C°6二元组分和n-C°5/C°6/C°7三元组分的吸附平衡进行了数学描述。理论计算结果与实验结果一致。对二元组分的吸附平衡作出了相应的应用图表。

关键词：分子筛吸附混合物烷烃汽油

光生电压谱方法对ZnSe/GaAs异质结导带偏移的研究

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电子显微学报 1997年第4期16卷 389-390页

作者：谌达宇王建宝靳彩霞陆日方孙恒慧复旦大学应用表面物理国家重点实验室李政道综合物理实验室

光生电压谱方法对ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ异质结导带偏移的研究谌达宇王建宝靳彩霞陆日方孙恒慧（复旦大学应用表面物理国家重点实验室，李政道综合物理实验室）对宽禁带ⅡⅥ族半导体异质结、量子阱和超晶格材料的研究是人们感兴趣的课题... 详细信息

光生电压谱方法对ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ异质结导带偏移的研究谌达宇王建宝靳彩霞陆日方孙恒慧（复旦大学应用表面物理国家重点实验室，李政道综合物理实验室）对宽禁带ⅡⅥ族半导体异质结、量子阱和超晶格材料的研究是人们感兴趣的课题。由于ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ异质结导带...

关键词：砷化镓硒化锌异质结异常偏移光生电压谱

高次模在半导体少数載流子光电导衰退中的作用

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复旦学报(自然科学版) 1963年第1期 63-69页

作者：孙恒慧竺树声許克明杭州大学教师

观察了样品几何尺寸、表面复合速度及光的贯穿程度,对半导体少数载流子光电导衰退中高次模的影响。在测量时使用贯穿光、大尺寸样品、及使样品表面复合速度较低时,高次模的作用可以减少,因而能准确测得体寿命。

关键词：表面复合复合(半导体) 高次模少数载流子载流子(半导体) 光电导样品尺寸

用真空紫外辐照研究Si-SiO2界面的氧化层陷阱和界面态

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Journal of Semiconductors 1983年第1期 69-77页

作者：杜瑞瑞,孙恒慧,董国胜复旦大学物理系复旦大学物理系复旦大学物理系

以氦灯真空紫外光源研究了辐照下 n（100）硅衬底MOS样品的氧化层陷阱和Si-SiO2界面态.发现在湿氧和干氧氧化层中都存在密度为1012/cm2数量级的空穴陷阱,部分氧化层中有密度为1011/cm2的受主型电子陷阱.湿氧样品在正偏置和零偏置辐照后... 详细信息

以氦灯真空紫外光源研究了辐照下 n（100）硅衬底MOS样品的氧化层陷阱和Si-SiO2界面态.发现在湿氧和干氧氧化层中都存在密度为1012/cm2数量级的空穴陷阱,部分氧化层中有密度为1011/cm2的受主型电子陷阱.湿氧样品在正偏置和零偏置辐照后出现具有确定能级(Ec-Es（?）0.40eV)的界面态密度宽峰.辐照引进的界面态和空穴被陷阱俘获有关,在1×1010～5 × 1011cm-2·eV-1范围,禁带中央界面态密度正比于被俘获空穴的密度.辐照产生的界面态不能由电子注入加以消除.本文由空穴俘获-弱键破裂模型讨论了实验结果.

关键词：界面态氧化层陷阱 Si-SiO2 辐照 SiO

一种无需表面腐蚀的测量半导体少数载流子寿命的双脉冲法

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复旦大学学报(自然科学) 1965年第1期 71-79页

作者：王福新曹锡安孙恒慧

已发表的双脉冲方法的理论分析,都假设样品的表面复合速度s为很小。本文对样品的表面复合速度s→∞时的双脉冲方法作了理论分析,得到的寿命的计算公式亦很简单,并从实验上对这方法进行了验证。对一组不同电阻率,不同导电类型的锗硅样品... 详细信息

已发表的双脉冲方法的理论分析,都假设样品的表面复合速度s为很小。本文对样品的表面复合速度s→∞时的双脉冲方法作了理论分析,得到的寿命的计算公式亦很简单,并从实验上对这方法进行了验证。对一组不同电阻率,不同导电类型的锗硅样品进行了寿命的测量。在同一块样品上,当样品表面的s→0及s→∞时,分别用双脉冲法进行了测量,得到的结果符合很好。将本方法与光电导衰退法进行比较,两者亦符合很好。最后对本方法的测准条件进行了详细分析,并列出本方法所要求的实验条件。

关键词：载流子寿命双脉冲少数载流子载流子(半导体) 表面复合复合(半导体) 脉冲法