硅分子束外延中硼δ掺杂生长研究

作     者：陈祥君 杨宇 龚大卫 陆昉 王建宝 樊永良 盛篪 孙恒慧 

作者机构：复旦大学应用表面物理国家重点实验室复旦大学李政道物理综合实验室 

出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报（英文版）)

年 卷 期：1995年第16卷第11期

页      面：826-830页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

主　　题：硅 分子束外延 硼 掺杂 外延生长 

摘      要：利用硅分子束外延技术和Ｂ２Ｏ３掺杂源，成功地实现了硅中的硼δ掺杂，硼δ掺杂面密度ＮＢ可达３．４×１０１４ｃｍ－２（１／２单层）以上，透射电镜所示宽度为１．５ｎｍ．我们首次用原位俄歇电子能谱（ＡＥＳ）对硼在Ｓｉ（１００）表面上的δ掺杂行为进行了初步的研究，发现在ＮＢ３．４×１０１４ｃｍ－２时，硼δ掺杂面密度与时间成正比，衬底温度６５０℃，掺杂源温度９０００℃时，粘附速率为４．４×１０１３ｃｍ－２／ｍｉｎ；在ＮＢ３．４×１０１４ｃｍ－２时，粘附有饱和趋势，测量表明在硼δ掺杂面密度ＮＢ高达４．４×１０１４ｃｍ－２，都未观察到氧．我们还用反射式高能电子衍射（ＲＨＥＥＤ）和Ｃ－Ｖ测试对硼δ掺杂样品进行了观察．