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一种基于碳纳米管的随机存储器

物理学报 2002年第9期51卷 2096-2100页

作者：孙劲鹏王太宏中国科学院物理研究所北京100080

利用碳纳米管之间范德瓦耳斯力 ,设计了一种基于碳纳米管的可读写的随机存储器 ,研究了系统的双稳性 ,讨论了存储器的优点和可行性。

关键词：碳纳米管范德瓦耳斯力动态随机存储器双稳性

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一种基于碳纳米管的随机存储器

微纳电子技术 2002年第10期39卷 8-13,26页

作者：孙劲鹏王太宏中国科学院物理研究所北京100080

随着传统存储器集成度的不断提高,每个存储单元的电子数目不断减少,并逐渐接近其极限。为了解决传统存储器件发展遇到的困难,利用碳纳米管之间范德瓦耳斯力,设计了一种基于碳纳米管的可读写的随机存储器,研究了系统的双稳性,讨论了存储... 详细信息

随着传统存储器集成度的不断提高,每个存储单元的电子数目不断减少,并逐渐接近其极限。为了解决传统存储器件发展遇到的困难,利用碳纳米管之间范德瓦耳斯力,设计了一种基于碳纳米管的可读写的随机存储器,研究了系统的双稳性,讨论了存储器的优点和可行性,并认为系统具有良好存储效应所应满足的条件。

关键词：碳纳米管随机存储器范德瓦耳斯力动态随机存储器化学汽相沉积

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单电子存储器

微纳电子技术 2002年第8期39卷 7-17,30页

作者：孙劲鹏王太宏中国科学院物理研究所北京100080

介绍了单电子存储器的发展情况和几种单电子存储器的基本特性,并将库仑阻塞效应作为存储器工作的理论基础进行了讨论。随着传统存储器集成度的不断提高,每个存储单元的电子数目不断减少,并逐渐接近其极限,使传统存储器的发展面临困难。... 详细信息

介绍了单电子存储器的发展情况和几种单电子存储器的基本特性,并将库仑阻塞效应作为存储器工作的理论基础进行了讨论。随着传统存储器集成度的不断提高,每个存储单元的电子数目不断减少,并逐渐接近其极限,使传统存储器的发展面临困难。采用单电子存储器有望解决这个困难,它们通常具有单个量子点或者是多隧穿结结构,存储一个比特的信息只需要精确控制增加或者减少一定数目的电子就可以实现。单电子器件的工作通常只需要很少的电子甚至一个电子就可以实现,具有高速和低功耗的特点,因此可以实现信息超高密度存储。与单电子逻辑电路相比,单电子存储器更容易解决随机背景电荷涨落的问题,因此从实际应用的角度来看,单电子存储器的应用前景更为光明。

关键词：单电子存储器库仑阻塞单电子晶体管纳米加工量子点浮栅

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点接触平面栅型硅单电子晶体管

微纳电子技术 2002年第4期39卷 8-10,36页

作者：孙劲鹏王太宏中国科学院物理研究所北京100080

设计了点接触平面栅型硅单电子晶体管,利用自对准技术实现了点接触平面栅,并通过给平面栅施加偏压实现了量子点。讨论了点接触平面栅型单电子晶体管与其通道宽度和平面栅上电压的关系。对一个具有70nm宽通道的器件,先在其表面栅上施加... 详细信息

设计了点接触平面栅型硅单电子晶体管,利用自对准技术实现了点接触平面栅,并通过给平面栅施加偏压实现了量子点。讨论了点接触平面栅型单电子晶体管与其通道宽度和平面栅上电压的关系。对一个具有70nm宽通道的器件,先在其表面栅上施加很小的正偏压,然后又在其平面栅上施加负偏压耗尽通道,最终的研究结果显示在通道中形成了单个量子点。

关键词：自对准技术库仑振荡点接触平面栅型硅单电子晶体管

脉冲激光沉积LiFePO4薄膜阴极材料及其电化学性能的研究

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脉冲激光沉积LiFePO4薄膜阴极材料及其电化学性能的研究

第十二届中国固态离子学学术会议

作者：薛明喆傅正文秦启宗孙劲鹏李泓黄学杰陈立泉复旦大学化学系激光化学研究所上海市分子催化和功能材料重点实验室中国科学院物理研究所纳米物理与器件实验室

采用脉冲激光沉积结合高温退火的方法在不锈钢基片上制备了LiFePO4薄膜电极。XRD谱图显示650℃退火后制得的是具有橄榄石结构的LiFePO4薄膜。充放电测试表明LiFePO4薄膜具有3.45/40V的充放电平台,与LiFePO4粉体材料相当。首次放电容量约... 详细信息

采用脉冲激光沉积结合高温退火的方法在不锈钢基片上制备了LiFePO4薄膜电极。XRD谱图显示650℃退火后制得的是具有橄榄石结构的LiFePO4薄膜。充放电测试表明LiFePO4薄膜具有3.45/40V的充放电平台,与LiFePO4粉体材料相当。首次放电容量约为28mAh/g。

关键词：脉冲激光沉积锂离子电池 LiFePO4薄膜

来源： cnki会议评论

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单电子三值存储器

科技开发动态 2004年第6期 47-47页

作者：孙劲鹏王太宏中国科学院物理研究所

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基于库仑阻塞原理设计的单电子三值存储器

科技开发动态 2004年第10期 42-42页

作者：孙劲鹏王太宏中国科学院物理研究所 100080

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地质断层三维建模的表达式方法

地球信息科学学报 2016年第10期18卷 1322-1331页

作者：孙劲光高天鹏辽宁工程技术大学电子与信息工程学院葫芦岛125000 辽宁工程技术大学研究生院葫芦岛125000

针对地质断层三维建模及可视化领域中现有技术存在的模拟断层局限性、插值困境等问题,本文提出了断层表达式方法建模方法。首先,以地质断层构造的形成机制为理论依据,分析构造断层表达式所需要运算对象和算子,构建表达式规则,并运用上... 详细信息

针对地质断层三维建模及可视化领域中现有技术存在的模拟断层局限性、插值困境等问题,本文提出了断层表达式方法建模方法。首先,以地质断层构造的形成机制为理论依据,分析构造断层表达式所需要运算对象和算子,构建表达式规则,并运用上下文无关文法对表达式规则进行形式化描述;然后,对断层原始勘探数据进行规范化,形成构建断层表达式所需要的断层二维数据表,从中提取构建断层表达式的运算对象集合和算子集合,形成断层表达式;最后,对断层表达式进行计算,形成断层地质体抽象模型,并结合相关勘探数据运用相关算法及图形库等工具进行三维地质建模及可视化。实验以包含多条断层的达连河地质体数据为基础进行实验验证,建模结果与真实地质情况符合。实验结果表明,断层表达式建模方法解决了现有技术的局限性问题,避免了对地层断裂区域的插值运算,从而解决了插值困境等问题。

关键词：地质断层断层表达式表达式规则断层抽象模型断层可视化

口腔癌VEGF-C mRNA表达和血管及淋巴管生成与淋巴道转移关系的研究

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癌症 2002年第3期21卷 319-322页

作者：于大海温玉明孙劲东韦山良谢鸿鹏庞芳河广西医科大学口腔医学院口腔颌面外科广西南宁530021 华西医科大学口腔医学院口腔颌面外科四川成都610041 成都市新华医院四川成都610041

背景与目的:VEGF-C与癌周的淋巴管血管生成以及肿瘤的淋巴道转移可能有密切的关系,本研究探讨口腔鳞癌组织血管、淋巴管密度与VEGF-CmRNA表达及淋巴道转移的关系。方法:VEGF-C逆转录PCR(RT-PCR),血管、淋巴管酶组化染色、光镜及图像分... 详细信息

背景与目的:VEGF-C与癌周的淋巴管血管生成以及肿瘤的淋巴道转移可能有密切的关系,本研究探讨口腔鳞癌组织血管、淋巴管密度与VEGF-CmRNA表达及淋巴道转移的关系。方法:VEGF-C逆转录PCR(RT-PCR),血管、淋巴管酶组化染色、光镜及图像分析观察血管、淋巴管总体面数密度(TNa)。结果:VEGF-CmRNA表达阳性的淋巴管TNa(26.42±5.85)明显高于阴性淋巴管TNa(17.34±6.48)(P0.05)。淋巴结转移组血管TNa(44.19±14.29)比无淋巴结转移组TNa(30.61±11.82)增加(P<0.01)、淋巴结转移组淋巴管TNa(30.67±5.76)比无淋巴结转移组TNa(21.94±5.84)增加(P<0.01)。结论:VEGF-C主要介导了癌周淋巴管生成,对血管生成有一定影响;血管、淋巴管密度的同时增加可能与VEGF、VEGF-C及其受体的协同表达有一定关系。

关键词：口腔肿瘤血管内皮生长因子-C VEGF-C 血管淋巴管 mRNA 淋巴道转移