基于库仑阻塞原理的多值存储器
Coulomb blockade three-valued single-electron memory作者机构：中国科学院物理研究所北京100080
出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)
年 卷 期：2003年第52卷第10期
页 面：2563-2568页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 081201[工学-计算机系统结构] 0812[工学-计算机科学与技术（可授工学、理学学位）]
基 金：国家重点基础研究专项经费 (批准号 :G2 0 0 1CB30 95) 国家自然科学基金 (批准号 :6 992 54 10和 6 0 2 36 0 10 )资助的课题~~
主 题：库仑阻塞 单电子晶体管 多值存储器 多隧穿结结构 随机存储器 集成电路
摘 要：设计了一种基于库仑阻塞原理的新型单电子多值存储器 .器件包括两个多隧穿结结构和一个单电子晶体管 ,其中单电子晶体管起到一个静电计的作用来实现数据的读取 .两个隧穿结库仑阻塞区域的大小不同使得器件具有三个稳定的存储状态 .利用这个原理可以制备出多值的动态随机存储器和非挥发性的随机存储器 .这种低功耗的单电子多值存储器可以实现信息的超高密度存储 .
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