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物质动态结构的非弹性散射研究

物理学进展 2002年第1期22卷 27-72页

作者：杨传铮姜玉稀上海大学理学院物理系上海200436

在静态结构的基础上 ,考虑原子的振动 ,分子键的振动、转动和振—转运动的结构称为动态结构 ,它是用非弹性散射方法来测定的。本文评述研究动态结构的实验方法 :中子非弹性散射、非弹性X射线散射、核非弹性散射和Raman散射以及红外吸收... 详细信息

在静态结构的基础上 ,考虑原子的振动 ,分子键的振动、转动和振—转运动的结构称为动态结构 ,它是用非弹性散射方法来测定的。本文评述研究动态结构的实验方法 :中子非弹性散射、非弹性X射线散射、核非弹性散射和Raman散射以及红外吸收谱。简单介绍了声子散射理论基础。继后 ,分三节描述了用这些方法来研究动态结构的若干结果。 1 )结晶物质 ,包括晶内、表面和界面、高纯近完整晶体中杂质引起的、多晶中、薄膜和纳米晶体中的点阵动力学研究 ;2 )非晶物质 ,包括非晶固体、高聚合物、生物大分子、准晶和液体的动态结构研究 ;3 )高温超导体的点阵动力学研究。文末给出了小结和最后评论。

关键词：动态结构非弹性散射核非弹性散射红外谱结晶物质点阵动力学声子散射非晶物质高温超导体

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小样本条件下的通信辐射源半监督特征提取

系统工程与电子技术 2020年第10期42卷 2381-2389页

作者：方章闻张金艺李科姜玉稀上海大学微电子研究与开发中心上海200444 上海大学特种光纤与光接入网重点实验室上海200444 上海三思系统集成研究所上海201100

在通信辐射源信号有标签样本数量较小的情况下,同类通信辐射源个体信号特征提取困难且识别精度较低。对此,提出了一种小样本条件下的通信辐射源半监督特征提取方法。该方法对少量有标签通信辐射源信号样本以及大量无标签通信辐射源信号... 详细信息

在通信辐射源信号有标签样本数量较小的情况下,同类通信辐射源个体信号特征提取困难且识别精度较低。对此,提出了一种小样本条件下的通信辐射源半监督特征提取方法。该方法对少量有标签通信辐射源信号样本以及大量无标签通信辐射源信号样本进行变分模态分解提取高维稳态信息熵,利用指数半监督判别分析法映射信息熵形成个体特征,并通过XGBoost进行通信辐射源个体识别来验证识别效果。实验表明,所提方法识别准确率达到85.33%,相比无监督特征提取方法运算时间降低了76.17%,证明其在同类通信辐射源不同个体识别中具有较好的性能。

关键词：通信辐射源个体识别特征提取变分模态分解指数半监督判别分析

MR中融合语义特征传播模型的前景对象感知定位算法

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上海大学学报（自然科学版） 2023年第1期29卷 41-55页

作者：方哲张金艺姜玉稀上海大学特种光纤与光接入网重点实验室上海200444 上海大学特种光纤与先进通信国际合作联合实验室上海200444 上海三思系统集成研究所上海201100

移动主体获得准确的定位信息是构建稳定的混合现实(mixed reality,MR)系统的关键,然而MR中的前景对象对传统定位算法的精度影响较大.现阶段基于深度学习的定位算法可以通过识别前景对象来提升精度,但深度学习模型耗时过高,导致算法实时... 详细信息

移动主体获得准确的定位信息是构建稳定的混合现实(mixed reality,MR)系统的关键,然而MR中的前景对象对传统定位算法的精度影响较大.现阶段基于深度学习的定位算法可以通过识别前景对象来提升精度,但深度学习模型耗时过高,导致算法实时性下降.针对该问题,提出了一种MR中融合语义特征传播模型的前景对象感知定位算法.该算法依托语义分割网络与一种快速旋转的二进制独立稳定描述子特征(oriented fast and rotated binary robust independent elementary feature,ORB)提取算法构建了语义特征传播模型,实现高速语义特征提取;融合该模型和几何特征检测方法实现算法中的前景对象感知层,并依赖该感知层剔除MR中前景对象的特征点,构建了背景特征点集,实现高精度、高实时性的定位.实验结果表明:在慕尼黑工业大学(Technical University of Munich,TUM)公共数据集的高动态前景对象场景中,相比动态语义视觉同步定位与建图(dynamic semantic visual simultaneous localization and mapping,DS-SLAM)算法,该算法相对位姿误差降低了60.5%,定位实时性提升了39.5%,可见该算法在MR中具有较高的应用价值.

关键词：混合现实前景对象定位语义特征

Influence of layout parameters on snapback characteristic for a gate-grounded NMOS device in 0.13-μm silicide CMOS technology

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Journal of Semiconductors 2009年第8期30卷 82-89页

作者：姜玉稀李娇冉峰曹家麟杨殿雄 Microelectronic Research & Development Center Shanghai University

Gate-grounded NMOS （GGNMOS） devices with different device dimensions and layout floorplans have been designed and fabricated in 0.13-μm silicide CMOS technology. The snapback characteristics of these GGN-MOS devices are measured using the transmission line pulsing （TLP） measurement technique. The relationships between snapback parameters and layout parameters are shown and analyzed. A TCAD device simulator is used to explain these relationships. From these results, the circuit designer can predict the behavior of the GGNMOS devices under high ESD current stress, and design area-efficient ESD protection circuits to sustain the required ESD level. Optimized layout rules for ESD protection in 0.13-μm silicide CMOS technology are also presented.

关键词： electrostatic discharge gate-grounded NMOS snapback characteristic layout parameters

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双重注意力引导的弱监督雨滴图像增强

电子测量技术 2022年第4期45卷 79-84页

作者：蒲燕虹张金艺姜玉稀上海大学特种光纤与光接入网重点实验室上海200444 上海大学特种光纤与先进通信国际合作联合实验室上海200444 上海三思系统集成研究所上海201100

基于深度学习的雨滴图像增强方法普遍存在高度依赖配对样本数据集,雨滴去除后图像背景细节模糊等问题。对此,提出一种双重注意力引导的弱监督雨滴图像增强方法。该方法设计构建弱监督雨滴图像增强网络,仅需来自雨滴图像域与干净图像域... 详细信息

基于深度学习的雨滴图像增强方法普遍存在高度依赖配对样本数据集,雨滴去除后图像背景细节模糊等问题。对此,提出一种双重注意力引导的弱监督雨滴图像增强方法。该方法设计构建弱监督雨滴图像增强网络,仅需来自雨滴图像域与干净图像域的图像进行训练,可有效降低对配对样本数据集的依赖性;同时,将双重注意力引入生成网络,引导特征提取与多分支掩模生成,掩模同输入的雨滴图像融合后,获得背景清晰的干净图像,实现雨滴图像增强。实验结果表明,该方法在Raindrop数据集上PSNR达到27.0711dB,SSIM达到0.8996,更好地保留了图像背景细节与颜色信息,证明该方法的可行性与有效性。

关键词：深度学习雨滴图像增强弱监督双重注意力循环生成对抗网络

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用电光晶体测量超快电磁辐射脉冲的几个问题

应用科学学报 2002年第3期20卷 291-295页

作者：姜玉稀程东方赵冷柱李娇上海大学理学院物理系上海200436

讨论普遍情况下超快电磁辐射脉冲 E0 (t) (THz辐射场 )及其电光采样测量值 Em(t)的函数关系 .并对THz辐射场与飞秒 (fs)

关键词：电光晶体超快电磁辐射脉冲 THz辐射场电光采样测量群速度失配色散效应光电子学

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手机背光驱动电荷泵电路的设计

微计算机信息 2005年第3期21卷 125-126,69页

作者：方蓉程东方冯旭姜玉稀上海大学

介绍了为手机背光驱动而设计的电荷泵电路,详细讨论了其中的四大模块电路:带隙基准、温度保护、振荡器、控制电路的电路结构、工作原理、性能特点。

关键词：电荷泵 DC-DC转换器背光驱动

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NMOS ESD保护器件直流仿真模型设计

微计算机信息 2008年第28期24卷 296-298页

作者：姜玉稀陆嘉冉峰杨殿雄上海大学微电子研究与开发中心上海200072 上海大学

本文对NMOS ESD保护器件建模中的骤回现象和寄生效应进行了研究,并据此提出了一个NMOS ESD保护器件的DC模型。该模型包括基于BSIM3模型的MOS管、反映寄生效应的寄生NPN晶体管、衬底电阻和串联电阻。提出了用于描述模型工作在大电流区域... 详细信息

本文对NMOS ESD保护器件建模中的骤回现象和寄生效应进行了研究,并据此提出了一个NMOS ESD保护器件的DC模型。该模型包括基于BSIM3模型的MOS管、反映寄生效应的寄生NPN晶体管、衬底电阻和串联电阻。提出了用于描述模型工作在大电流区域时状态的I-V特性计算公式和对模型所需晶体管参数进行提取的方法。仿真结果表明该模型能够较好地描述NMOS ESD保护器件的工作特性。

关键词： ESD 骤回寄生效应建模参数提取

0.6um工艺NMOS ESD保护电路版图优化

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微计算机信息 2008年第32期24卷 289-291页

作者：姜玉稀陆嘉冉峰杨殿雄上海大学微电子研究与开发中心 200072

本文研究了在0.6um工艺下,数个版图参数对NMOS ESD保护器件性能的影响,并给出了这些版图参数适宜值的范围;提出了用于I/OPAD的ESD保护电路的版图优化方法,并证明了版图优化在提高ESD保护电路性能上的作用。

关键词： ESD 版图优化 DCGS SCGS GGNMOS