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多维信任、知识转移与软件外包绩效

科研管理 2018年第6期39卷 169-176页

作者：张培夏立真马建龙孔海东河北工业大学经济管理学院天津300401

将信任视为多维变量,构建了多维信任、知识转移与软件外包绩效的影响关系模型。通过理论分析及对京津冀地区97个软件外包接发包企业的有效问卷调查和实证检验,研究发现,多维信任对知识转移、软件外包绩效的正向影响存在差异性;显性知识... 详细信息

将信任视为多维变量,构建了多维信任、知识转移与软件外包绩效的影响关系模型。通过理论分析及对京津冀地区97个软件外包接发包企业的有效问卷调查和实证检验,研究发现,多维信任对知识转移、软件外包绩效的正向影响存在差异性;显性知识转移与隐性知识转移相比,对软件外包绩效影响更显著;知识转移在多维信任与软件外包绩效之间具有中介作用,其中知识转移在能力信任与软件外包绩效之间起到完全中介作用,在计算信任、善意信任与软件外包绩效之间均起到部分中介作用。

关键词：软件外包多维信任知识转移外包绩效

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用DES理论测试数模混合电路

系统工程与电子技术 2001年第10期23卷 19-21页

作者：张巍夏立海军工程大学电气工程系武汉430033

针对数模混合电路测试时所遇到的难点 ,尝试寻找一个普遍通用的测试方法。由于数模混合电路具备DES的特点 ,文中采用近来发展的DES理论对数模混合电路进行可测性分析 ,讨论该类电路可测试的基本条件。针对电路检测时的不同要求和实际情... 详细信息

针对数模混合电路测试时所遇到的难点 ,尝试寻找一个普遍通用的测试方法。由于数模混合电路具备DES的特点 ,文中采用近来发展的DES理论对数模混合电路进行可测性分析 ,讨论该类电路可测试的基本条件。针对电路检测时的不同要求和实际情况 ,研究了测试速度较快、测试成本较低的方法 ,且该法可用一定的算法在计算机上实现 ,最后用实例进行了方法验证。

关键词：数模转换集成电路混合电路离散分布 DES

DDV作动器余度数字伺服系统工程设计与实现

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航空学报 2008年第2期29卷 505-512页

作者：夏立群西北工业大学自动化学院陕西西安710072

介绍一种直接驱动阀(DDV)式作动器的余度数字式伺服系统设计与实现,描述了系统的余度配置、设计思想及组成,建立了DDV作动器的结构参数化模型及数字伺服回路的模型,并进行了仿真,分析了作动器动静态特性、采样频率及监控器的设计性能。... 详细信息

介绍一种直接驱动阀(DDV)式作动器的余度数字式伺服系统设计与实现,描述了系统的余度配置、设计思想及组成,建立了DDV作动器的结构参数化模型及数字伺服回路的模型,并进行了仿真,分析了作动器动静态特性、采样频率及监控器的设计性能。最后,采用快速原型实时仿真,对余度数字式伺服系统完成了的性能试验验证,结果表明系统性能令人满意。

关键词：直接驱动阀余度作动器数字伺服系统快速原型

Al合金等离子体基离子注入形成AlN/DLC层结构研究

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金属学报 2001年第9期37卷 922-926页

作者：廖家轩夏立芳孙跃哈尔滨工业大学材料科学与工程学院哈尔滨150001

用Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）和小掠射角Ｘ射线衍射（ＧＡＸＲＤ）研究了铝合金ＬＹ１２等离子体基离子注入Ｎ＋原位注入Ｃ形成ＡｌＮ／ＤＬＣ（类金刚石碳膜）改性层的成分分布及相结构，用激光Ｒａｍａｎ光谱分析了表面单一碳... 详细信息

用Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）和小掠射角Ｘ射线衍射（ＧＡＸＲＤ）研究了铝合金ＬＹ１２等离子体基离子注入Ｎ＋原位注入Ｃ形成ＡｌＮ／ＤＬＣ（类金刚石碳膜）改性层的成分分布及相结构，用激光Ｒａｍａｎ光谱分析了表面单一碳层的结构，对过渡层元素进行了Ｇａｕｓｓｉａｎ—Ｌｏｒｅｎｔｚｉｏｎ峰位拟合分析．结果表明，Ｎ浓度在注入层呈Ｇａｕｓｓ分布，Ｃ浓度沿注入方向逐渐减小．Ｃ的注入使Ｎ分布有所拓宽．Ｃ在表面还能形成一层单一稳定的４００ｎｍ厚的ＤＬＣ膜．过渡层主要由Ａｌ４Ｃ３，Ａｌ２Ｏ３，ＡｌＮ，β－Ｃ３Ｎ４等组成．改性层总厚度达８００ｎｍ．

关键词：铝合金等离子体基离子注入 DLC膜表面改性

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PBII固体润滑膜的结构及真空摩擦性能

哈尔滨工业大学学报 2001年第4期33卷 481-484页

作者：夏立芳李光哈尔滨工业大学材料科学与工程学院黑龙江哈尔滨150001

利用PBII技术制备了TiN/DLC和TiN/Ag固体润滑膜 ,研究了膜层的成分结构及真空条件下的摩擦性能 .结果表明 :PBII有效地实现了表层润滑膜与基体之间成分和结构的过渡 ;真空条件下 ,接触面光滑(Ra 0 .8μm) 的摩擦副分别配以TiN/DLC和TiN... 详细信息

利用PBII技术制备了TiN/DLC和TiN/Ag固体润滑膜 ,研究了膜层的成分结构及真空条件下的摩擦性能 .结果表明 :PBII有效地实现了表层润滑膜与基体之间成分和结构的过渡 ;真空条件下 ,接触面光滑(Ra 0 .8μm) 的摩擦副分别配以TiN/DLC和TiN/Ag润滑膜 ,可获得良好的真空运转寿命 .

关键词：固体润滑膜 DLC膜 PBII XPS 类金刚石碳膜膜层结构摩擦性能航天材料

等离子体基脉冲偏压沉积DLC膜的氢分布和氢含量

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无机材料学报 2002年第4期17卷 777-781页

作者：夏立芳孙明仁哈尔滨工业大学

用核反应分析方法,对等离子体基脉冲偏压沉积DLC膜的氢分布和氢含量进行了较系统的研究.结果表明,用等离子体基脉冲偏压沉积技术可获得较低氢含量的DLC膜;其氢含量范围约为6at％～17at％,且氢沿膜厚是均匀分布的,随等离子体密度及离化... 详细信息

用核反应分析方法,对等离子体基脉冲偏压沉积DLC膜的氢分布和氢含量进行了较系统的研究.结果表明,用等离子体基脉冲偏压沉积技术可获得较低氢含量的DLC膜;其氢含量范围约为6at％～17at％,且氢沿膜厚是均匀分布的,随等离子体密度及离化率降低,DLC膜的氢含量增加,荷能离子对生长表面的轰击具有较强的析氢作用,工作气体中引入氢气促进DLC膜中氢的析出.

关键词：等离子体脉冲偏压沉积 DLC膜氢分布氢含量类金刚石膜核反应分析

铝合金等离子体基离子注入氮/钛改性层成分分布

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哈尔滨工业大学学报 2002年第1期34卷 44-48页

作者：廖家轩夏立芳孙跃哈尔滨工业大学材料科学与工程学院黑龙江哈尔滨150001

用X射线光电子能谱 (XPS)研究了工艺参数 (注入电压或能量、注入时间或剂量、磁控靶溅射电流 )对铝合金LY12 (即 2 0 2 4 )等离子体基离子注入氮 +离子注入钛形成的改性层成分分布影响 .结果表明 ,氮在注入层呈高斯分布 ,而钛沿注入方... 详细信息

用X射线光电子能谱 (XPS)研究了工艺参数 (注入电压或能量、注入时间或剂量、磁控靶溅射电流 )对铝合金LY12 (即 2 0 2 4 )等离子体基离子注入氮 +离子注入钛形成的改性层成分分布影响 .结果表明 ,氮在注入层呈高斯分布 ,而钛沿注入方向逐渐减少 .钛的注入使已注入的氮的分布有所拓宽 .随着注入电压和时间的增加 ,钛的注入深度及含量有所增加 ;存在一个注入时间或 /和磁控靶溅射电流阈值 ,在低于该值下注入钛主要表现为注入效应 ,没有钛沉积层出现 ,在高于该值下注入钛由注入效应逐渐表现为沉积效应。

关键词：铝合金等离子体基离子注入改性层 X射线光电子能谱工艺参数氮钛成分分布

偶联剂Si747原位改性单分散SiO2/天然橡胶复合材料的结构与性能

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复合材料学报 2019年第11期36卷 2699-2709页

作者：夏立建阚泽青岛科技大学高分子科学与工程学院山东省教育厅生物基高分子材料重点实验室

采用偶联剂Si747在液相体系中分别对自制单分散白炭黑(SiO2)和市售沉淀法白炭黑(SiO2)表面进行改性,利用乳液共混技术制备SiO2/天然橡胶(NR)复合材料。利用橡胶加工分析仪、DMA、SEM等测试手段对偶联剂Si747改性SiO2/NR复合材料的结构... 详细信息

采用偶联剂Si747在液相体系中分别对自制单分散白炭黑(SiO2)和市售沉淀法白炭黑(SiO2)表面进行改性,利用乳液共混技术制备SiO2/天然橡胶(NR)复合材料。利用橡胶加工分析仪、DMA、SEM等测试手段对偶联剂Si747改性SiO2/NR复合材料的结构和性能进行表征。结果表明,在硫化特性方面,与未改性SiO2相比,偶联剂Si747改性SiO2/NR复合材料的焦烧时间和工艺正硫化时间均缩短,促进了橡胶的硫化过程,其中改性前后单分散SiO2/NR硫化胶的焦烧时间和工艺正硫化时间均比沉淀法SiO2/NR硫化胶长;与未改性单分散SiO2/NR硫化胶相比,改性单分散SiO2/NR硫化胶的拉伸强度提高了17.4%,回弹性和耐磨性分别提高了9.5%和32.6%,压缩生热降低了24.3%;与改性沉淀法SiO2/NR硫化胶相比,改性单分散SiO2/NR硫化胶的Payne效应最低,填料的分散性更高,填料网络结构更弱;改性单分散SiO2/NR硫化胶抗湿滑性略低于改性沉淀法SiO2/NR硫化胶,但滚动阻力更低,更节省能源。

关键词：偶联剂Si747 原位改性单分散SiO2 沉淀法SiO2 天然橡胶

脉冲直流偏压增强的高质量立方氮化硼薄膜的合成

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物理学报 2001年第11期50卷 2258-2262页

作者：田晶泽吕反修夏立芳北京科技大学材料科学与工程学院北京100083 哈尔滨工业大学材料科学与工程学院哈尔滨150001

采用磁增强活性反应离子镀系统成功地合成了立方氮化硼薄膜 .通过给基片施加脉冲直流偏压以代替传统的射频偏压 ,增强了立方氮化硼的成膜稳定性 ,研究了基片的直流脉冲偏压、等离子体放电电流、通入气体流量比 (Ar N2 )和基片温度沉积... 详细信息

采用磁增强活性反应离子镀系统成功地合成了立方氮化硼薄膜 .通过给基片施加脉冲直流偏压以代替传统的射频偏压 ,增强了立方氮化硼的成膜稳定性 ,研究了基片的直流脉冲偏压、等离子体放电电流、通入气体流量比 (Ar N2 )和基片温度沉积参数对立方氮化硼薄膜形成的影响规律 .结果表明 :随着基片负偏压和放电电流的增大 ,薄膜中立方氮化硼的纯度提高 ,当基片负偏压为 15 5V ,放电电流为 15A时 ,可获得几乎单相的立方氮化硼薄膜 .基片温度为 5 0 0℃和Ar N2 流量比为 10时 ,最有利于立方氮化硼的形成 .偏离这个值 ,都会促进薄膜中非立方相的形成 .

关键词：立方氮化硼活性反应离子镀脉冲直流偏压薄膜合成立方相