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Ultra compact triplexing filters based on SOI nanowire AWGs

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Journal of Semiconductors 2011年第4期32卷 89-92页

作者：张家顺安俊明赵雷宋世娇王亮亮李建光王红杰吴远大胡雄伟 State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics Institute of SemiconductorsChinese Academy of Sciences

An ultra compact triplexing filter was designed based on a silicon on insulator（SOI） nanowire arrayed waveguide grating（AWG） for fiber-to-the-home FTTH.The simulation results revealed that the design performed well in the sense of having a good triplexing function.The designed SOI nanowire AWGs were fabricated using ultraviolet lithography and induced coupler plasma etching.The experimental results showed that the crosstalk was less than -15 dB,and the 3 dB-bandwidth was 11.04 nm.The peak wavelength output from ports a,c,and b were 1455,1510 and 1300 nm,respectively,which deviated from our original expectations.The deviation of the wavelength is mainly caused by 45 nm width deviation of the arrayed waveguides during the course of the fabrication process and partly caused by material dispersion.

关键词： triplexer FTTH nanowire AWG wavelength division multiplexing（WDM）

1 550 nm long-wavelength vertical-cavity surface emitting lasers

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Optoelectronics Letters 2018年第5期14卷 342-345页

作者：刘丽杰吴远大王玥安俊明胡雄伟 State Key Laboratory of Integrated Optoelectronics Institute of SemiconductorsChinese Academy of Sciences College of Material Science and Optoelectronic Technology University of Chinese Academy of Sciences

A 1 550 nm long-wavelength vertical cavity surface emitting laser(VCSEL)on InP substrate is designed and fabr icated.The transfer matrix is used to compute reflectivity spectrum of the designed epitaxial layers.The epitaxial layers mainly consist of 40 pairs of n-Al_(x )Ga_(y )In_((1-x-y))As/InP,and 6 strain compensated Al_(x )Ga_(y )In_((1-x-y))As/InP quantum wells on n-InP substrate,respectively.The top distributed Bragg reflection(DBR)mirror system has been formed by fabricating 4.5 pairs of SiO_2/Si.The designed cavity mode is around 1 536 nm.The dip of the fabricated cavity mode is around 1 530 nm.The threshold current is 30 mA and the maximum output power is around 270μW under CW operation at room temperature.

关键词：长波长表面垂直激光发射极 SiO2/Si 计算设计取向附生

Crosstalk analysis of silicon-on-insulator nanowire-arrayed waveguide grating

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Chinese Physics B 2016年第12期25卷 294-299页

作者：李凯丽安俊明张家顺王玥王亮亮李建光吴远大尹小杰胡雄伟 State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics Institute of SemiconductorsChinese Academy of Sciences

The factors influencing the crosstalk of silicon-on-insulator （SO1） nanowire arrayed waveguide grating （AWG） are analyzed using the transfer function method. The analysis shows that wider and thicker arrayed waveguides, outsider fracture of arrayed waveguide, and larger channel space, could mitigate the deterioration of crosstalk. The SOI nanowire AWGs with different arrayed waveguide widths are fabricated by using deep ultraviolet lithography （DUV） and inductively coupled plasma etching （ICP） technology. The measurement results show that the crosstalk performance is improved by about 7 dB through adopting 800 nm arrayed waveguide width.

关键词： SOI nanowire AWG crosstalk phase errors

1310nm垂直腔面发射激光器芯片制备技术的研究进展

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发光学报 2016年第7期37卷 809-815页

作者：刘丽杰吴远大王玥安俊明胡雄伟王佐中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室北京100083 河南仕佳光子科技有限公司河南鹤壁458030

垂直腔面发射激光器(VCSELs)在光纤通讯领域有着广泛的应用前景,国际上对VCSELs需求逐年增加,而国内目前VCSELs的产业化尚属空白。本文从两方面着手综述1 310 nm VCSELs制备方法。将可以制备出1 310 nm VCSELs的4种材料,从理论、制备、... 详细信息

垂直腔面发射激光器(VCSELs)在光纤通讯领域有着广泛的应用前景,国际上对VCSELs需求逐年增加,而国内目前VCSELs的产业化尚属空白。本文从两方面着手综述1 310 nm VCSELs制备方法。将可以制备出1 310 nm VCSELs的4种材料,从理论、制备、量产时需要考虑的因素等方面进行较为全面的汇总分析;同时对两种主流的制备方法从工艺步骤分析其在产业化方面的优势与不足。

关键词：垂直腔面发射激光器 1310nm 产业化

Monolithic integration of a silica-based 16-channel VMUX/VDMUX on quartz substrate

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Journal of Semiconductors 2014年第10期35卷 70-73页

作者：代红庆安俊明王玥张家顺王亮亮王红杰李建光吴远大钟飞查强 State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics Institute of Semiconductors Chinese Academy of Sciences Henan Shi Jia Photons Technology Co. Ltd

A monolithic integrated variable attenuator multiplexer/demultiplexer is demonstrated. It is composed of a 16-channel 200 GHz silica-based arrayed waveguide grating and an array of Mach-Zehnder interferometer thermo-optic variable optical attenuators. The integrated device is fabricated on a quartz substrate, which eliminates the process of depositing the undercladding layer and reduces the power consumption compared with a device fabricated on a silicon substrate. The insertion loss and crosstalk of the integrated device are -5 dB and less than -22 dB, respectively. The power consumption is only 110 mW at the attenuation of 20 dB per channel.

关键词： monolithic integration quartz substrate VMUX/VDMUX AWG thermo-optic VOA

Fabrication of a novel silica PLC hybrid integrated triplexer

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Chinese Optics Letters 2010年第6期8卷 588-590页

作者：李俊一安俊明吴远大李建光王红杰胡雄伟 Optoelectronics Research and Development Center Institute of SemiconductorsChinese Academy of Sciences

A new-style silica planar lightwave circuit（PLC） hybrid integrated triplexer,which can demultiplex 1490- nm download data and 1550-nm download analog signals,as well as transmit 1310-nm upload data,is presented.It combines SiO2 arrayed waveguide gratings（AWGs） with integrated photodetectors（PDs） and a high performance laser diode（LD）.The SiO2 AWGs realize the three-wavelength coarse wavelength-division multiplexing（CWDM）.The crosstalk is less than - 40 dB between the 1490- and 1550-nm channels, and less than - 45 dB between 1310- and 1490- or 1550-nm channels.For the static performances of the integrated triplexer,its upload output power is 0.4 mW,and the download output photo-generated current is 76μA.In the small-signal measurement,the upstream -3-dB bandwidth of the triplexer is 4 GHz,while the downstream -3-dB bandwidths of both the analog and digital sections reach 1.9 GHz.

关键词： Bandwidth? ?Optoelectronic devices? ?Silica? ?Waveform analysis? ?Waveguides

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溶胶-凝胶法制备的SnO2薄膜特性分析

溶胶-凝胶法制备的SnO2薄膜特性分析

面向长距离通讯1550nm垂直腔面发射激光器的研究

第七届中国功能材料及其应用学术会议

作者：姜婷吴远大王玥安俊明李建光李帅胡雄伟中国科学院半导体研究所光电子研究发展中心

采用溶胶-凝胶(sol-gel)法制备了高质量的SnO薄膜材料。采用SnCl·5HO作为反应前躯体,无水乙醇作为共溶剂,利用旋转涂覆的方法在Si片上成膜,经过干燥、退火处理得到SnO薄膜。采用X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)研究了不同退火温度... 详细信息

采用溶胶-凝胶(sol-gel)法制备了高质量的SnO薄膜材料。采用SnCl·5HO作为反应前躯体,无水乙醇作为共溶剂,利用旋转涂覆的方法在Si片上成膜,经过干燥、退火处理得到SnO薄膜。采用X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)研究了不同退火温度下薄膜的性能。研究结果表明,实验所得到的SnO薄膜为金红石结构;经过550℃退火处理的薄膜表面较平坦,且晶粒尺寸较小,非常适合用于气体传感。

关键词：溶胶-凝胶二氧化锡敏感膜退火

来源： cnki会议评论

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cnki会议

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红外与毫米波学报 2020年第4期39卷 397-400页

作者：刘丽杰吴远大王玥王亮亮安俊明赵有文中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室北京100083 中国科学院大学材料科学与光电技术学院北京100049 中国科学院半导体研究所材料重点实验室北京100083

采用InP基衬底设计并制备了1550 nm垂直腔面发射激光器。采用混合镜面布拉格发射镜,其中顶部采用4.5对硅和二氧化硅的介电布拉格反射镜,同时采用隧道结的方式降低p层载流子吸收。制备出阈值电流在20 mA,室温直流下输出光功率为7μW,激... 详细信息

采用InP基衬底设计并制备了1550 nm垂直腔面发射激光器。采用混合镜面布拉格发射镜,其中顶部采用4.5对硅和二氧化硅的介电布拉格反射镜,同时采用隧道结的方式降低p层载流子吸收。制备出阈值电流在20 mA,室温直流下输出光功率为7μW,激射波长为1554 nm,激射谱半高宽为3 nm的垂直腔面发射激光器。

关键词：垂直腔面发射激光器 1550 nm InP基

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高性能无源光电子材料与器件研究

光电子 2016年第3期6卷 126-129页

作者：吴远大王玥李智勇江毅黄北举陈沁张家顺张磊河南仕佳光子科技股份有限公司河南鹤壁中国科学院半导体研究所北京武汉光迅科技股份有限公司湖北武汉中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所江苏苏州

面向我国互联网+、云计算数据中心及超级计算机建设中战略性高性能无源光电子材料与器件的迫切需求,本文提出要以掌握自主知识产权的新型硅基无源材料及器件为目标,以复杂多功能集成芯片技术为牵引,着力解决低损耗、跨周期大范围波长可... 详细信息

面向我国互联网+、云计算数据中心及超级计算机建设中战略性高性能无源光电子材料与器件的迫切需求,本文提出要以掌握自主知识产权的新型硅基无源材料及器件为目标,以复杂多功能集成芯片技术为牵引,着力解决低损耗、跨周期大范围波长可调谐滤波器设计与材料制备;电光复合波导中锗硅异质外延材料双效应互耦合增强机理,极高速率调制器电光转换效率、能耗;多功能集成多层光交叉连接器顶层波导低温沉积技术、多层光波导高效耦合和隔离设计及制备;硅基超小型、低损耗、热不敏感无源合波器原理、工艺及产业化;光栅耦合器、滤波器和微电子器件的融合,片上温控及波长自动锁定算法及实现等关键技术。通过技术攻关,有望突破一批硅基光电子核心芯片关键技术,对信息产业发展和国家安全保障提供有效地支撑,服务于国家在智能化信息技术、先进半导体制造技术、新一代大规模集成电路等方面的战略需求。

关键词：可调谐滤波器高速调制器光交叉连接器无源合波器光栅耦合器温控滤波器