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多孔硅形成过程中的晶态转变

硅酸盐学报 2017年第1期45卷 78-82页

作者：吕京美程璇北京理工大学珠海学院材料与环境学院广东珠海519088 厦门大学材料学院材料科学与工程系福建厦门361005 福建省特种先进材料重点实验室福建厦门361005

采用电化学阳极氧化法,对p型单晶硅施加30 mA/cm^2的恒定电流密度,在40%氢氟酸溶液中和氮气保护气氛下分别极化1、3和5 min,制备不同生长阶段的多孔硅样品,通过表面形貌观测及微观结构表征,获得从单晶硅到多孔硅形成过程所涉及的各种晶... 详细信息

采用电化学阳极氧化法,对p型单晶硅施加30 mA/cm^2的恒定电流密度,在40%氢氟酸溶液中和氮气保护气氛下分别极化1、3和5 min,制备不同生长阶段的多孔硅样品,通过表面形貌观测及微观结构表征,获得从单晶硅到多孔硅形成过程所涉及的各种晶态组成的相对比例。结果表明:不同极化时间制得的单晶硅表面均形成了海绵状均匀分布的纳米孔洞结构。在多孔硅的形成过程中,单晶硅结构发生了显著的晶态转变和晶粒尺寸变化,导致大单晶、纳米晶和无定形态并存,晶粒直径从初期的1.41 nm减小到并保持在0.65 nm,而晶态的转变和晶粒尺寸的变化被认为与晶格畸变程度有关。

关键词：多孔硅单晶硅 Raman光谱无定形晶格畸变

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多孔与平面硅电极界面的电化学行为(英文)

物理化学学报 2016年第3期32卷 711-716页

作者：吕京美程璇北京理工大学珠海学院化工与材料学院广东珠海519088 厦门大学材料学院材料科学与工程系福建厦门361005 福建省特种先进材料重点实验室福建厦门361005

研究了重掺杂n-型单晶硅(CSi)在氢氟酸体系中生成多孔硅(PSi)的电化学行为,根据线性极化曲线,选取不同的电流密度,采用恒电流阳极极化法,制备了一系列多孔硅层。利用扫描电子显微镜对其进行了表面和断面形貌的表征,通过线性扫描极化技... 详细信息

研究了重掺杂n-型单晶硅(CSi)在氢氟酸体系中生成多孔硅(PSi)的电化学行为,根据线性极化曲线,选取不同的电流密度,采用恒电流阳极极化法,制备了一系列多孔硅层。利用扫描电子显微镜对其进行了表面和断面形貌的表征,通过线性扫描极化技术和计时电位法,比较了单晶硅电极和多孔硅电极的电化学行为,分析了多孔硅形成前后的塔菲尔曲线和计时电位曲线,给出了多孔硅形成过程中的重要电化学参数,如腐蚀电流、开路电位、塔菲尔斜率等。并对其进行深入分析,根据实验结果,提出了单晶硅电极/电解质界面和多孔硅电极/电解质界面的结构模型,并利用该模型讨论了两种电极界面的电化学特性。

关键词：多孔硅硅电极界面腐蚀速率开路电位极化曲线界面电化学

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硅片表面多金属污染的交流阻抗表征

化学学报 2009年第2期67卷 99-103页

作者：吕京美刘海帆程璇厦门大学化学化工学院化学系厦门361005 厦门大学材料学院材料科学与工程系厦门361005 特种先进材料福建省重点实验室厦门361005

在接近氢氟酸实际应用浓度条件下,利用交流阻抗技术研究了硅片表面金属微观污染行为,在氢氟酸溶液中分别加入0.5和1μg/g的铜、铁、镍、钙四种金属离子,获得了硅片在单金属溶液中的特征交流阻抗谱,并在此基础上研究了三种金属及四种金... 详细信息

在接近氢氟酸实际应用浓度条件下,利用交流阻抗技术研究了硅片表面金属微观污染行为,在氢氟酸溶液中分别加入0.5和1μg/g的铜、铁、镍、钙四种金属离子,获得了硅片在单金属溶液中的特征交流阻抗谱,并在此基础上研究了三种金属及四种金属共存时的特征交流阻抗谱,通过等效电路的拟合估算了硅/氢氟酸界面电化学反应的动力学参数,并结合扫描电镜形貌图探讨了不同类型的单金属和多金属对硅电化学行为的影响.结果表明,多金属微观污染是各种单金属协同作用的结果,铜在硅片上发生电化学沉积,直接导致硅片表面粗糙化.铁对硅片表面的破坏严重,同时影响铜的沉积.镍的存在使硅片表面更容易氧化.而钙通过在硅片表面形成氟化钙沉淀物可以钝化表面,减缓铜在硅片表面的沉积.

关键词：硅金属污染交流阻抗谱多金属共存

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电化学课程体系的构建

广州化工 2012年第22期40卷 171-172,175页

作者：吕京美北京理工大学珠海学院化工与材料科学学院广东珠海519088

简要介绍了应用化学专业电化学方向的培养目标和培养要求,给出了课程体系设置的总体思路和方向。从专业课程的设置依据、设置方式、考研的需要、课程间的相互关系及课程体系的合理分布等方面详述了电化学专业课程体系建立的原则,提出了... 详细信息

简要介绍了应用化学专业电化学方向的培养目标和培养要求,给出了课程体系设置的总体思路和方向。从专业课程的设置依据、设置方式、考研的需要、课程间的相互关系及课程体系的合理分布等方面详述了电化学专业课程体系建立的原则,提出了课程体系建立需要注意的事项,为电化学专业课程体系建立提供参考资料。

关键词：电化学课程体系培养目标构建原则

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制备多孔硅微结构的电化学表征

制备多孔硅微结构的电化学表征

溶液中微量金属对硅片表面污染的交流阻抗表征

第十三次全国电化学会议

作者：吕京美程璇谢水奋徐仁厦门大学化学系材料科学与工程系固体表面物理化学国家重点实验室厦门大学化学系材料科学与工程系固体表面物理化学国家重点实验室厦门大学化学系材料科学与工程系固体表面物理化学国家重点实验室厦门大学化学系材料科学与工程系固体表面物理化学国家重点实验室

＜正＞硅单晶是现代半导体和大规模集成电路的基础,但由于其为间接带隙半导体,发光效率很低,在光电子学领域中的应用受到一定的限制．1990年英国科学家Canham发现多孔硅在室温下具有强烈的光致发光效应．掀起了多孔硅的研究热潮．孔硅... 详细信息

＜正＞硅单晶是现代半导体和大规模集成电路的基础,但由于其为间接带隙半导体,发光效率很低,在光电子学领域中的应用受到一定的限制．1990年英国科学家Canham发现多孔硅在室温下具有强烈的光致发光效应．掀起了多孔硅的研究热潮．孔硅可以通过多种电化学技术制得,不同的技术和制备条件对多孔硅微结构和形貌会产生不同的影响．多孔硅因具有很多特殊性质而有着广泛的应用,可作光电子器件和光子器件,其它材料的载体,还可作热传感器和湿敏元件．但由于多孔硅微结构的均匀性和稳定性较难控制,使出其难以实现产业化的应用,同时多孔硅的形成机理和发光机理至今仍不清楚．针对上述问题, 我们实验小组通过尝试采用不同的电化学技术来制备多孔硅,包括恒电流法,恒电压法和周期交化的电流法及周期性交化电压法．系统的考察了不同的制备技术对多孔硅生成和结构性能的影响,初步探讨了多孔硅微结构的形成机理．

关键词：多孔硅微结构电化学表征硅单晶

来源： cnki会议评论

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溶液中微量金属对硅片表面污染的交流阻抗表征

新工科背景下应用型院校化工类工程教育体系探索--以北京理工大学珠海学院为例

第十三次全国电化学会议

作者：程璇刘海帆吕京美陈永菁郑宣厦门大学材料科学与工程系化学系固体表面物理化学国家重点实验室厦门大学材料科学与工程系化学系固体表面物理化学国家重点实验室厦门大学材料科学与工程系化学系固体表面物理化学国家重点实验室厦门大学材料科学与工程系化学系固体表面物理化学国家重点实验室厦门大学材料科学与工程系化学系固体表面物理化学国家重点实验室

＜正＞湿法化学清洗是当今IC制造工艺中使用最为频繁的步骤,主要包括硅氧化物／氮化物刻蚀、硅片清洗和化学机械抛光等,在亚微米／纳米硅器件的制造中尤为重要．氢氟酸是硅片表面准备过程中最常用的化学试剂,被广泛地用在湿法化学清洗...

＜正＞湿法化学清洗是当今IC制造工艺中使用最为频繁的步骤,主要包括硅氧化物／氮化物刻蚀、硅片清洗和化学机械抛光等,在亚微米／纳米硅器件的制造中尤为重要．氢氟酸是硅片表面准备过程中最常用的化学试剂,被广泛地用在湿法化学清洗工艺中．然而,作为清洗液的氢氟酸溶液中含有的微量（10-6-10-9 水平）金属离子会对硅片表面产生微观金属污染．为了建立有效的表征方法,从而揭示其污染本质,本工作通过采用电化学交流阻抗技术并结合SEM、EDX、XPS和AES等现代表面分析技术对稀释氢氟酸溶液中含有微量铜铁金属杂质时硅片表面的污染行为进行了较系统的研究．

关键词：

来源： cnki会议评论

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化学教育（中英文） 2020年第2期41卷 102-107页

作者：吕京美詹世景汪烈焰李冲冯彤英矫庆泽北京理工大学珠海学院材料与环境学院广东珠海519088 北京理工大学化学与化工学院北京100081

以北京理工大学珠海学院为例,围绕新工科背景下应用型地方院校化工类工科教育体系改革思路及措施进行阐述,分别从培养目标确立及教学管理体系改革、教学过程质量控制、课程体系结构改革、人才培育模式改革等4个方面展开分析,构建适用于... 详细信息

以北京理工大学珠海学院为例,围绕新工科背景下应用型地方院校化工类工科教育体系改革思路及措施进行阐述,分别从培养目标确立及教学管理体系改革、教学过程质量控制、课程体系结构改革、人才培育模式改革等4个方面展开分析,构建适用于新工科背景下应用型地方院校的工科培养体系。重点叙述了完全学分制教学管理模式、IEET认证对教学质量提升的保障及应用型特色人才教学模式的构建,并给出具体的改革举措,希望为同类型高校提供借鉴。

关键词：应用型化工类新工科完全学分制